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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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LRC 樂山無線電代理_二極管、三極管、MOSFET_貞光科技授權(quán)代理
各位貞朋友好,今日推薦貞光科技代理品牌,優(yōu)秀原廠——LRC樂山無線電,貞光科技主要代理樂山無線電的TVS保護(hù)管、ESD管、二極管、三極管和MOSFET等...
深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司,是金航標(biāo)電子的兄弟公司。深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司,是集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)制造、銷售服務(wù)一體的高科技企業(yè),薩科微Slkor還是國...
SiC MOSFET的設(shè)計挑戰(zhàn)——如何平衡性能與可靠性
作者簡介作者:FriedrichsPeter翻譯:趙佳碳化硅(SiC)的性能潛力是毋庸置疑的,但設(shè)計者必須掌握一個關(guān)鍵的挑戰(zhàn):確定哪種設(shè)計方法能夠在其應(yīng)...
KUU推出Trench MOSFET產(chǎn)品K060P03M
KUU推出采用DFN3.3*3.3-8L無鉛塑料封裝的P-TrenchMOSFET產(chǎn)品K060P03M。DFN3.3*3.3-8L無鉛塑料封裝占位面積僅...
摘要:碳化硅(SiC)由于其優(yōu)異的電學(xué)及熱學(xué)特性而成為一種很有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領(lǐng)域中使用,高溫...
熊康明英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部主任工程師1引言相信各位工程師在日常的電源設(shè)計中,當(dāng)面對ZVS的場景時,經(jīng)常會有如下的困惑:比如大名鼎鼎的LLC,工作在...
MOSFET在汽車電子上的應(yīng)用過去15到20年間,在汽車電子領(lǐng)域中,MOS管的應(yīng)用已經(jīng)很廣泛了,汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)...
學(xué)技術(shù) | POE 60W產(chǎn)品MOSFET的選型要求
以態(tài)網(wǎng)電源傳輸POE通過CAT5E傳輸線,以方便就近裝備PD。例如IPC,無線路由,安防攝像機(jī)等;無需墻插電源的,只需一條CAT5E的網(wǎng)絡(luò)線完成PD設(shè)備...
2023-02-08 標(biāo)簽:MOSFET網(wǎng)絡(luò) 1260 0
探究快速開關(guān)應(yīng)用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性
SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同,這是因為SiC MOSFET體二極管具有獨特的特性。對于1200V SiC M...
01認(rèn)識功率器件1.1功率半導(dǎo)體器件在工業(yè)、消費、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用,具有很高的戰(zhàn)略地位,下面我們從一張圖看功率器件的全貌:1.2功率半導(dǎo)體器件又...
學(xué)技術(shù) | 碳化硅 SIC MOSFET 如何降低功率損耗
SICMOSFET作為第三代半導(dǎo)體器件,以其卓越的高頻高壓高結(jié)溫低阻特性,已經(jīng)越來越多的應(yīng)用于功率變換電路。那么,如何用最有效的方式驅(qū)動碳化硅MOSFE...
2022-11-30 標(biāo)簽:MOSFET 4128 0
功率半導(dǎo)體器件在工業(yè)、消費、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用,具有很高的戰(zhàn)略地位。功率半導(dǎo)體產(chǎn)品可以分為功率器件、電源管理IC和功率模組三大類。圖:功率半導(dǎo)體產(chǎn)...
2022-11-18 標(biāo)簽:MOSFET 493 0
學(xué)技術(shù) | Infineon MOSFET的參數(shù)密碼--Vplateau
邪惡的一面我們稱:「魔鬼藏在細(xì)節(jié)里」;善良的一面我們稱:「天使藏在細(xì)節(jié)里」。不管之前有沒有被魔鬼陷害到——尤其是低壓控制的領(lǐng)域,今天魚干我要講的是細(xì)節(jié)里...
2022-11-04 標(biāo)簽:MOSFET 1458 0
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