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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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8吋產(chǎn)能吃緊,12吋代工價(jià)也跟著漲聲響起
全球8吋晶圓代工產(chǎn)能供不應(yīng)求,12吋產(chǎn)能利用率也跟著揚(yáng)升,訂單能見(jiàn)度已至第3季,不僅8吋代工價(jià)已在2020年第3季底起漲勢(shì)凌厲,12吋代工價(jià)也跟著漲聲響...
SIC MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)概述
導(dǎo)通電阻隨溫度變化率較小,高溫情況下導(dǎo)通阻抗很低,能在惡劣的環(huán)境下很好的工作。
2020-12-26 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路汽車(chē)電控 1768 0
中科院宣布成功開(kāi)發(fā)22nm制程的MOSFET
中國(guó)科學(xué)院微電子研究所(IMECAS)宣布在22奈米 CMOS 制程上取得進(jìn)展,成功制造出高K金屬閘 MOSFET 。中科院指出,中國(guó)本土設(shè)計(jì)與制造的...
MOSFET的結(jié)構(gòu)和電學(xué)特性小結(jié)
MOSFET是對(duì)稱(chēng)的,只有柵極是確定的,哪一端是源級(jí),哪一端是漏極只有加載了電壓才能確定。對(duì)于NMOS來(lái)說(shuō),它靠電子導(dǎo)電,電子的“源泉”定義為源級(jí)。所以...
瞻芯電子推出一款車(chē)規(guī)級(jí)1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z
近日,瞻芯電子正式推出一款車(chē)規(guī)級(jí)1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z,該模塊產(chǎn)品及其采用的1200V 80mΩ SiC...
中國(guó)首家IC行業(yè)上市公司上海貝嶺新簽合作代理商
上海貝嶺提供全面的功率器件產(chǎn)品選擇,擊穿電壓覆蓋-300V~1500V,配合先進(jìn)的封裝技術(shù),提供100mA~400A的電流選擇范圍。
2022-03-04 標(biāo)簽:MOSFETDC-DC轉(zhuǎn)換器 1758 0
Vishay Siliconix SQJ264EP提高DC/DC開(kāi)關(guān)模式電源效率需求
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264...
外殼的構(gòu)造和配置如何影響功率MOSFET器件內(nèi)部的工作溫度
與第四章一樣,本章的熱設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)是利用熱模擬軟件進(jìn)行的。這些模擬使用了MOSFET 模型,這些模型已經(jīng)根據(jù)經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行了驗(yàn)證,并且已知能夠精確地模擬真實(shí)器...
IGBT選型需要注意事項(xiàng) IGBT怎么選型一文講清楚
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 是總線電壓幾百至上千伏的應(yīng)用的理想之選。作為少數(shù)載流子器件,IGBT在該電壓范圍內(nèi)具備優(yōu)于MOSFET的導(dǎo)通特性,同時(shí)擁有...
MOSFET在汽車(chē)電子上的應(yīng)用過(guò)去15到20年間,在汽車(chē)電子領(lǐng)域中,MOS管的應(yīng)用已經(jīng)很廣泛了,汽車(chē)用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)...
同步整流MOSFET的選擇,F(xiàn)HL300N1F2A場(chǎng)效應(yīng)管更提升整流效率!
既然效率這么好,在國(guó)內(nèi)能有什么優(yōu)質(zhì)MOS管使用呢?除市場(chǎng)中的IPT020N10N5參數(shù)型號(hào),我們還是選擇飛虹半導(dǎo)體的FHL300N1F2A型號(hào)場(chǎng)效應(yīng)管。
2023-09-23 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管同步整流 1740 0
東芝半導(dǎo)體新研發(fā)具備低功耗節(jié)能屬性IGBT器件
東芝半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)計(jì)制造公司,多年來(lái)持續(xù)耕耘在功率半導(dǎo)體研發(fā)上,經(jīng)驗(yàn)豐富的設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)室及優(yōu)異的研發(fā)團(tuán)隊(duì)也一直致力于研發(fā)創(chuàng)新、提升芯片的功能...
2022-04-19 標(biāo)簽:MOSFETIGBT器件東芝半導(dǎo)體 1733 0
東芝推出新款MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC,助力縮小設(shè)備尺寸
TCK421G采用WCSP6G[1]封裝,是行業(yè)最小的封裝之一[2]。這便于TCK421G在可穿戴設(shè)備和智能手機(jī)等小型設(shè)備上實(shí)現(xiàn)高密度貼裝,從而縮小上述...
2022-02-09 標(biāo)簽:MOSFET東芝柵極驅(qū)動(dòng) 1731 0
英唐智控?cái)M取得上海芯石40%股權(quán),加碼SiC功率器件
英唐智控?cái)M取得上海芯石40%股權(quán)并成為第一大股東,加碼SiC功率器件 英唐智控發(fā)布關(guān)于收購(gòu)上海芯石股權(quán)的進(jìn)展公告稱(chēng),英唐微技術(shù)收購(gòu)?fù)瓿珊螅菊诔掷m(xù)推...
新日本無(wú)線推出內(nèi)置MOSFET降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器NJW1933
日本無(wú)線株式會(huì)社(總部:東京都中央?yún)^(qū) 代表取締役社長(zhǎng):小倉(cāng) 良)開(kāi)發(fā)出了一款600mA, 500kHz的小型封裝降壓型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 NJW1933,該穩(wěn)壓...
2013-04-12 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器新日本無(wú)線 1729 0
SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的設(shè)置探討
隨著制備技術(shù)的進(jìn)步,在需求的不斷拉動(dòng)下,碳化硅(SiC)器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車(chē),可再生能源及...
2022-06-13 標(biāo)簽:MOSFET富昌電子驅(qū)動(dòng)電壓 1728 0
近些年,伴隨著MOSFET的發(fā)展趨勢(shì),在低輸出功率快速開(kāi)關(guān)行業(yè),MOSFET正逐漸取代三極管,領(lǐng)域主要生產(chǎn)廠家對(duì)三極管的研發(fā)投入也逐漸降低;此外,面對(duì)三...
作者:Masoud Beheshti ? 電力電子世界在1959年取得突破,當(dāng)時(shí)Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了...
羅姆日前發(fā)布了耐壓為1200V的第二代SiC制MOSFET產(chǎn)品(圖1)。特點(diǎn)是與該公司第一代產(chǎn)品相比提高了可靠性、降低了單位面積的導(dǎo)通電阻,以及備有將S...
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