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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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好消息 東芝650V超級結功率提高大電流設備效率的MOSFET問市
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)宣布,在其TOLL(TO-無引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結功率MOSFET-
2021-03-15 標簽:MOSFET 1423 0
PowerDI? 3333-8 D 型封裝的 3D 結構有助增加整體功率效率,且高電壓與額定電流大幅擴大其應用范圍。完全接地墊片設計可帶來良好的散熱效能...
Nexperia發布P溝道MOSFET,采用節省空間的堅固LFPAK56封裝
LFPAK封裝采用銅夾片結構,由Nexperia率先應用,已在汽車等要求嚴格的應用領域中使用近20年。
Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲EDN China 2013創新獎之最佳產品獎
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率...
日本半導體制造商 ROHM 已正式將適用于工業裝置、太陽能發電功率調節器等變流器/轉換器的碳化硅MOSFET 模組(額定規格1200V/ 180A)投入量產。
美浦森 新推出 40V 15A-160A HV MOSFET
SLD15N04TNTO-25240V15ASLD60N04TNTO-25240V60ASLM60N04TNDFN5X640V60ASLD80N04TN...
羅姆600V耐壓超級結MOSFET R60xxVNx系列產品介紹
近期羅姆推出的新品可謂各有特點,涉及的應用領域廣泛。羅姆君也總結出了幾款具有代表性的產品供大家參考,工程師朋友們可以根據自己的需要進行選擇哦!話不多說,...
英飛凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET功率模塊,助力提升功率密度和實現更緊湊的設計
英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。
IGBT高壓開關的優點說明 IGBT是一種高壓開關器件,它結合了 MOSFET和BJT的優點,具有許多獨特的優勢。在本文中,我們將詳細地探討IGBT的優...
瑞薩電子宣布開發出了導通電阻僅為150mΩ(柵源間電壓為10V時的標稱值)的600V耐壓超結(SJ:Super Junction)型功率MOSFET“R...
羅姆半導體將推出SCH2090ke型漏源極電壓可達1200V的MOSFET
SCH2090ke是?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET。耐高壓、低導通電阻、高速開關、實現整機的小型化和節能化。
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