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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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通過(guò)轉(zhuǎn)向1700V SiC MOSFET,無(wú)需考慮功率轉(zhuǎn)換中的權(quán)衡問(wèn)題
高壓功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員努力滿(mǎn)足硅MOSFET和IGBT用戶(hù)對(duì)持續(xù)創(chuàng)新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無(wú)法兼得,也不能滿(mǎn)足如今在尺寸、重量和成...
拒絕中途崩潰,節(jié)能穩(wěn)定的服務(wù)器如何設(shè)計(jì)?
服務(wù)器是一種管理計(jì)算資源的計(jì)算機(jī),一般部署在需要對(duì)數(shù)據(jù)處理速度有高要求的企業(yè)中,例如網(wǎng)絡(luò)運(yùn)行商、金融企業(yè)或是游戲公司等。在大數(shù)據(jù)智能時(shí)代,隨著新型移動(dòng)終...
羅姆依托自研“TDACC?”技術(shù),打造安全型智能功率器件
TDACC?技術(shù)是羅姆自有的電路和器件技術(shù),是羅姆注冊(cè)或者注冊(cè)商標(biāo)。一般是在智能功率器件里MOSFET在關(guān)斷時(shí)會(huì)因反電動(dòng)勢(shì)而發(fā)熱,通過(guò)優(yōu)化控制流過(guò)電流的...
2022-12-22 標(biāo)簽:MOSFET羅姆TDACC技術(shù) 2400 0
意法半導(dǎo)體(ST)推出五款新一代SiC MOSFET功率模組
相較于傳統(tǒng)硅基功率半導(dǎo)體,碳化硅元件尺寸更小,可以處理更高的工作電壓,還有更快的充電速度及卓越的車(chē)輛動(dòng)力性能。除此之外,碳化硅還能提升性能及可靠性并延長(zhǎng)...
實(shí)時(shí)控制驅(qū)動(dòng)階段對(duì)于可靠的系統(tǒng)輸出運(yùn)行的重要性
本文將討論實(shí)時(shí)控制的驅(qū)動(dòng)階段(更新系統(tǒng)),以及為什么此階段對(duì)于可靠的系統(tǒng)輸出運(yùn)行很重要。
2022-12-22 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)BLDC 713 0
如何讀懂MOSFET的規(guī)格書(shū)datasheet
作為電子工程師,相信大家都對(duì)MOSFET不會(huì)陌生。工程師們要選用某個(gè)型號(hào)的 MOSFET,首先要看的就是規(guī)格書(shū)-datasheet,拿到 MOSFET的...
海內(nèi)外SiC產(chǎn)業(yè)在技術(shù)節(jié)點(diǎn)、產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)上有哪些差異?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)最近海外關(guān)于中國(guó)第三代半導(dǎo)體的討論頗為熱鬧,不少機(jī)構(gòu)都對(duì)中國(guó)SiC產(chǎn)業(yè)布局的進(jìn)展、優(yōu)勢(shì)等進(jìn)行了分析,Yole Intell...
2022-12-19 標(biāo)簽:MOSFET節(jié)點(diǎn)SiC 2719 0
開(kāi)關(guān)電源項(xiàng)目實(shí)戰(zhàn)解析
PCB的元器件封裝,標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)里面的按實(shí)際情況需要更改,貼片元件焊盤(pán)加大;插件元件的孔徑比元件管腳大0.3mm,焊盤(pán)直徑大于孔0.8mm以上,焊盤(pán)大些方便焊...
2022-12-16 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)電源電解電容 1053 0
MOS管老炸,是不是驅(qū)動(dòng)的問(wèn)題?
上面這個(gè)例子顯示,當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓為0,Vds達(dá)到200V的時(shí)候,Id這個(gè)電流達(dá)到了250uA,這個(gè)時(shí)候認(rèn)為已經(jīng)達(dá)到擊穿電壓。
基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M032120HK
本文推薦基本半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET B1M032120HK用于充電樁電源模塊的LLC諧振電路中,可以有效降低熱損耗,提高工作效率,同時(shí)也可以減小變壓...
昨晚,小米13發(fā)布會(huì)圓滿(mǎn)落幕,小米集團(tuán)創(chuàng)始人雷軍攜小米13正式亮相,交出“高端機(jī)型全面對(duì)標(biāo)iPhone”的答卷。 本次發(fā)布會(huì)上,包括小米13、萬(wàn)兆路由器...
東芝開(kāi)發(fā)帶嵌入式肖特基勢(shì)壘二極管的低導(dǎo)通電阻高可靠性SiC MOSFET
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)和東芝株式會(huì)社...
從市場(chǎng)份額看,MOSFET幾乎都集中在國(guó)際大廠(chǎng)手中,其中英飛凌2015年收購(gòu)了IR(美國(guó)國(guó)際整流器公司)成為行業(yè)龍頭,安森美也在2016年9月完成對(duì)仙童...
小而薄的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC更適合小型化應(yīng)用
電器中配電、上電排序和電源狀態(tài)轉(zhuǎn)換都需要負(fù)載開(kāi)關(guān),它可以減小待機(jī)模式下的漏電流,抑制浪涌電流,實(shí)現(xiàn)斷電控制。負(fù)載開(kāi)關(guān)的作用是開(kāi)啟和關(guān)閉電源軌,大部分負(fù)載...
2022-12-12 標(biāo)簽:MOSFET東芝柵極驅(qū)動(dòng)IC 1381 0
碳化硅在車(chē)載領(lǐng)域的應(yīng)用方向及制造工藝流程
PVT法生長(zhǎng)非常緩慢,速度約為0.3-0.5mm/h,7天才能生長(zhǎng)2cm,并且最高也僅能生長(zhǎng)3-5cm,晶錠的直徑也多為4英寸、6英寸,而硅基72h即可...
場(chǎng)效應(yīng)晶體管是由p型和n型兩部分組成。當(dāng)給pn結(jié)加上正向電壓時(shí),由于p區(qū)中的空穴由n區(qū)注入到pn結(jié)電場(chǎng)中形成空間電荷層,這些空間電荷與漂移到pn區(qū)的電子...
2022-12-09 標(biāo)簽:三極管MOSFET半導(dǎo)體器件 2270 0
專(zhuān)為工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的MOSFET—TOLT封裝
【導(dǎo)讀】近年來(lái),工業(yè)應(yīng)用對(duì)MOSFET 的需求越來(lái)越高。從機(jī)械解決方案和更苛刻的應(yīng)用條件都要求半導(dǎo)體制造商開(kāi)發(fā)出新的封裝方案和實(shí)施技術(shù)改進(jìn)。從最初的通孔...
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