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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列,可為各種高效工業應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ,全新功率MOSFET系列具有極低...
歐姆龍繼電器主要可用于哪些領域?繼電器是歐姆龍產品系列中頗具實力的產品之一,有著悠久的歷史,上世紀70年代歐姆龍已經開發出各種小型繼電器,經過近40年的...
應對大電流場景的“法寶”,WAYON維安TOLL MOSFET優勢講解
應對大電流場景的“法寶”,WAYON維安TOLL MOSFET優勢講解由代理商KOYUELEC光與電子為您提供技術交流服務,歡迎來我司考察進行技術交流合...
華虹半導體怎么樣?華虹半導體今日正式登陸科創板 今年最大募資規模IPO
華虹半導體今天正式登錄科創板。華虹半導體本次發行價為52.00元/股,發行市盈率為34.71倍,華虹半導體預計募集資金總額為212.03億元。華虹半導體...
該系列包括具備低導通電阻的“XPH4R10ANB”-其漏極電流為70A,以及“XPH6R30ANB”-其漏極電流為45A。批量生產和出貨計劃于今天開始。
Vishay推出新款200V N溝道MOSFET的RDS(ON)導通電阻達到業內最低水平,提高系統功率密度且節省能源
TrenchFETa器件典型RDS(ON)為 61 mΩ,優值系數為 854 mΩ*nC,封裝面積10.89 mm2
安森美半導體發布新的650V碳化硅 (SiC) MOSFET
新一代SiC MOSFET采用新穎的有源單元設計,結合先進的薄晶圓技術,可在650 V擊穿電壓實現同類最佳的品質因數Rsp (Rdson * area)。
[中國 2015年1月28日] e絡盟日前宣布供應來自全球60家行業領先供應商的分立元件產品,進一步豐富已超過2.6萬種分立元件的產品庫存,其中涵蓋Di...
SRII重磅亮相CICD 2021,以先進ALD技術賦能第三代半導體產業
思銳智能不僅在GaN器件的ALD鍍膜上實現了量產化的解決方案,也在持續挖掘ALD技術之于傳統硅基,SiC,GaN器件的創新應用潛力。
Microchip推出內建MOSFET驅動器的高電壓模擬降壓PWM控制器
Microchip Technology宣佈推出全新電源轉換控制器系列及其首個功率MOSFET元件系列。該系列的全新脈衝寬度調變(PWM)控制器和互補型...
東芝開發帶嵌入式肖特基勢壘二極管的低導通電阻高可靠性SiC MOSFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)和東芝株式會社...
瀚薪科技完成B輪融資,已出貨碳化硅二極管、MOSFET超3000萬顆
根據公司披露:上海瀚薪具備多年的車規級SiC肖特基二極管與SiC MOSFET研發及量產經驗。量產產品均在各市場龍頭企業得到認可并大批量出貨。碳化硅二極...
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