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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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微碩SGT工藝場效應(yīng)管新品上線,關(guān)于SGT MOSFET你了解多少?
相對于MOSFET也屬于高端功率器件,但在廣大的中低壓應(yīng)用當(dāng)中,無論是消費類電子,還是家用電器,或是嵌入式系統(tǒng)和工業(yè)領(lǐng)域,MOSFET依然占據(jù)著巨大的市場份額。
2021-05-20 標(biāo)簽:MOSFET晶閘管功率半導(dǎo)體 9002 0
IGBT的結(jié)構(gòu) 一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),N+區(qū)稱為源區(qū),附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū),附于其上的電極稱為柵極...
igbt國內(nèi)龍頭企業(yè)有哪些? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種電力半導(dǎo)體器件,可以在高壓、高電流的環(huán)...
電動汽車充電樁電源模塊系統(tǒng)趨勢和超級結(jié)MOSFET的優(yōu)勢
插電式混合動力/電動汽車(xEV)包含一個高壓電池子系統(tǒng),可采用內(nèi)置的車載充電器(OBC)或外部的充電樁進行充電。充電(應(yīng)用)要求在高溫環(huán)境下具有高電壓...
igbt的優(yōu)缺點介紹 IGBT的優(yōu)缺點介紹 IGBT是一種晶體管,是MOSFET和BJT集成而成的開關(guān),具有高速開關(guān)能力和較低的導(dǎo)通電阻,用于高效率的功...
從工業(yè)到智慧工業(yè),半導(dǎo)體廠商可以做什么?
從第一次工業(yè)革命開始到現(xiàn)在,工業(yè)領(lǐng)域發(fā)生了翻天覆地的變化,現(xiàn)在及未來的工業(yè)將會更加智能化。
本文將介紹一種門極驅(qū)動器利用SiC-MOSFET的檢測端子為其提供全面保護的先進方法。所提供的測試結(jié)果包括了可調(diào)整過流和短路檢測以及軟關(guān)斷和有源鉗位(可...
星恒電源馮笑先談第一個初心:在技術(shù)和質(zhì)量上趕超全球領(lǐng)先的企業(yè)
2019年電動汽車的補貼將大幅下降,2020年后會取消,這對星恒是一個利好。因為我們在十五年前,就把目標(biāo)設(shè)定成了,讓老百姓能夠買得起裝我們電池的電動汽車...
什么是CMOS集成電路?CMOS的主要功能是什么? CMOS是一種常見的集成電路技術(shù),其全稱為互補金屬氧化物半導(dǎo)體。CMOS技術(shù)和傳統(tǒng)的TTL集成電路技...
主板MOSFET的封裝技術(shù)圖解大全 主板的供電一直是廠商和用戶關(guān)注的焦點,視線從供電相數(shù)開始向MOSFET器件轉(zhuǎn)移。這是
國內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體的碳化硅新布局有哪些?
基本半導(dǎo)體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在1...
2022年派恩杰完成數(shù)億元融資;僅車規(guī)功率MOS芯片營收過半億
派恩杰在這一年取得了優(yōu)秀的成績!近日,碳化硅功率器件設(shè)計及方案商派恩杰半導(dǎo)體(杭州)有限公司(下稱“派恩杰半導(dǎo)體”)在1月19日正式完成數(shù)億元A輪融資,...
功率半導(dǎo)體在經(jīng)歷了2017年的行業(yè)高點之后,整體營收開始逐漸下滑,在2019年第一季度增速進入最低點,至-3.47%,隨后開始回升,在2019年第三季度...
2020-05-07 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體IGBT模塊 8269 0
英飛凌推出革命性的1200V碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù) 助力電源轉(zhuǎn)換設(shè)計提升效率和性能
英飛凌全新1200V SiC MOSFET經(jīng)過優(yōu)化,兼具可靠性與性能優(yōu)勢。它們在動態(tài)損耗方面樹立了新標(biāo)桿,相比1200V硅(Si)IGBT低了一個數(shù)量級...
dcdc隔離電源模塊工作原理? DC-DC隔離電源模塊是一種基于變換原理而設(shè)計的模塊,可以將一種電壓轉(zhuǎn)變?yōu)榱硪环N電壓,同時實現(xiàn)電氣信號的隔離和濾波作用。...
國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求持續(xù)上升 產(chǎn)品價格預(yù)期仍將上漲
全球市場研究機構(gòu)集邦咨詢在最新《中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出,受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持...
2019-03-19 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 8173 0
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