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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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變速驅(qū)動(dòng)器和基于寬帶隙的逆變器技術(shù)的影響
考慮到SiC MOSFET在高壓應(yīng)用中 與IGBT相比的技術(shù)優(yōu)勢(shì),人們顯然會(huì)為新設(shè)計(jì)選擇寬帶隙組件,尤其是在應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)高功率密度和低損耗的情況下。
2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器逆變器 642 0
在電氣領(lǐng)域,漏極和源極之間的漏電流 (I DSS ) 或柵極和源極之間的漏電流 (I GSS ) 是功率 MOSFET 故障的一般類別。將故障分析集中在...
2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 983 0
S-MOS單元技術(shù)提高了SiC MOSFET的效率
采用 SiC 作為功率器件材料的優(yōu)點(diǎn)之一是能夠使用許多眾所周知的硅器件原理和制造程序。基本器件拓?fù)浒ù怪毙ぬ鼗O管或垂直功率 MOSFET(在通過(guò) ...
適用于CSP GaN FET的簡(jiǎn)單且高性能的熱管理解決方案?
本文將展示芯片級(jí)封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同(如果不優(yōu)于)的熱性能。由于其卓越的電氣性能,GaN FET 的尺...
本文分析了高性能肖特基勢(shì)壘二極管和 D 型 HEMT 在基于 p-GaN HEMT 的 200-V GaN-on-SOI 智能功率 IC 平臺(tái)上的成功協(xié)...
2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFETGaNdcdc轉(zhuǎn)換器 1152 0
本文追溯了電力電子的歷史,可追溯到硅MOSFET仍用于驅(qū)動(dòng)強(qiáng)大的電子負(fù)載時(shí)。讓我們通過(guò)描述、應(yīng)用和模擬重新發(fā)現(xiàn)硅的世界,看看電子世界是如何在短短幾年內(nèi)因...
發(fā)動(dòng)機(jī)控制、智能電網(wǎng)和智能家居技術(shù)采用的增加以及對(duì)高壓設(shè)備的需求增加促進(jìn)了全球柵極驅(qū)動(dòng)器市場(chǎng)的增長(zhǎng)。 完整的發(fā)動(dòng)機(jī)控制系統(tǒng)包括電源、主機(jī)微控制器、柵極驅(qū)...
2022-08-01 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電機(jī)控制 1307 0
CoolSiC MOSFET 電機(jī)驅(qū)動(dòng)評(píng)估板
英飛凌科技為電機(jī)控制應(yīng)用開(kāi)發(fā)了一款評(píng)估板,其中包括一個(gè)三相 SiC 模塊。特別是,它在電力驅(qū)動(dòng)器中使用了 CoolSiC MOSFET 模塊的功率。 C...
2022-07-27 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)碳化硅 1451 0
我們發(fā)現(xiàn)機(jī)架式電源對(duì)電信服務(wù)器具有一定的吸引力。即使在 5g 數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)場(chǎng)中,他們只需要越來(lái)越高的效率,所有輸出范圍內(nèi)的效率都超過(guò) 90%,這讓您進(jìn)入鈦...
有限的電池壽命會(huì)損害智能手機(jī)用戶的自主權(quán)。盡管它們的尺寸很大,但最新的智能手機(jī)電池非常出色,但無(wú)論它們多么重要,它們的尺寸仍然有限。制造商試圖讓手機(jī)越來(lái)...
2022-07-27 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETusb 1419 0
近年來(lái),德州儀器 (TI) 等擁有強(qiáng)大制造足跡的全球公司已將一整套具有成本效益的 GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 產(chǎn)品組合推向市場(chǎng)。聯(lián)合電子器件工程委...
2022-07-27 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 906 0
氮化鎵 (GaN) 繼續(xù)其接管宇宙光譜的使命。GaN 的長(zhǎng)期存在并未結(jié)束,它憑借其功率晶體管進(jìn)入太空,這是支持極端太空任務(wù)的電源和射頻應(yīng)用的理想選擇。E...
MOSFET 具有三個(gè)端子:柵極、源極和漏極。電流可以通過(guò)標(biāo)記為 I G、 I S和 I D的任何這些端子流動(dòng)。工程師和電氣設(shè)計(jì)人員必須徹底了解基本功能...
SiC MOSFET在開(kāi)/關(guān)切換模式下運(yùn)行。然而,了解其在線性狀態(tài)下的行為是有用的,當(dāng)驅(qū)動(dòng)程序發(fā)生故障或設(shè)計(jì)人員為特定目的對(duì)其進(jìn)行編程時(shí),可能會(huì)發(fā)生這種情況。
適用于CSP GaN FET的簡(jiǎn)單且高性能的熱管理解決方案?
本文將展示芯片級(jí)封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同(如果不優(yōu)于)的熱性能。由于其卓越的電氣性能,GaN FET 的尺...
緩沖器/驅(qū)動(dòng)器對(duì)于可行電路的應(yīng)用設(shè)計(jì)
盡管緩沖器和驅(qū)動(dòng)器提供很少或不提供附加功能或信號(hào)處理方面,但主要在其輸出處復(fù)制其輸入但具有不同的屬性,但它們是在成功、可行的設(shè)計(jì)中具有關(guān)鍵作用的基本組件。
2022-07-24 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器緩沖器 5249 0
介紹一種使用分立式CoolSiC?MOSFET所獲得的測(cè)試結(jié)果
選擇適當(dāng)?shù)臇艠O電壓是設(shè)計(jì)所有柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術(shù),設(shè)計(jì)人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開(kāi)通電壓,從而...
2022-07-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器晶體管 1652 0
同步整流芯片U7710支持“浮地”和“共地”同步整流兩種架構(gòu)
同步整流芯片U7710是一款用于替代 Flyback 副邊肖特基二極管的高性能同步整流開(kāi)關(guān),內(nèi)置超低導(dǎo)通阻抗功率MOSFET以提升系統(tǒng)效率。
Molex Mini-Fit Sigma連接器產(chǎn)品介紹
本期Digi-Key Daily向大家推介兩款產(chǎn)品——Infineon采用TOLT封裝的OptiMOS 功率MOSFET和Molex Mini-Fit ...
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