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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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Nexperia全新定義MOSFET產品 為特定應用提供優化的參數
Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網供電(PoE)應用提供ASFET系列。
ROHM新增5款100V耐壓雙MOSFET,實現業界超低導通電阻
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向通信基站和工業設備等的風扇電機驅動應 用,開發出將兩枚100V耐壓MOSFET* 1一體化封裝的雙...
Vishay擴充其TrenchFETGen III P溝道功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V...
2013-07-15 標簽:MOSFETVishayTrenchFETGen 1001 0
ROHM開發出業界先進的第4代低導通電阻SiC MOSFET
對于功率半導體來說,當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短,兩者之間存在著矛盾權衡關系,因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時,如何兼顧短路耐受時...
飛兆半導體開發出功率級非對稱雙MOSFET模塊FDMS36xxS
為了幫助設計人員應對這些挑戰,飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊.
英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術的15 V溝槽功率MOSFET
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Nexperia新型40V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業應用實現更高功率密度
新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET將最新的高性能超結硅技術與成熟的LFPAK銅夾片技術相結合,后者因提供顯著的電氣性能和熱性能而著稱。
圣邦微電子推出一款最小脈沖寬度為1ns的車規級低側驅動器SGM48521Q
圣邦微電子推出 SGM48521Q,一款最小脈沖寬度為 1ns 的 5V、7A/6A 車規級低側 GaN 和 MOSFET 驅動器。
快捷半導體擴大PowerTrench? MOSFET系列產品陣容
快捷半導體擴大PowerTrench? MOSFET系列產品陣容 提供更高的功率密度與提升開關電源的效率 中電壓MOSFET元件采用...
半導體器件中性能最好的是什么?? 半導體器件是現代電子技術中最為重要的組成部分之一,是連接芯片和外部電路的中間介質。通常,半導體器件的性能被評價的標準是...
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