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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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NP90P012D6 12V p通道增強模式MOSFET概述
NP90P012D6采用了先進的溝槽技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),本設(shè)備適用于用作負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。
恩智浦推出針對熱插拔應(yīng)用的新一代功率MOSFET
NextPower Live系列同時提供出色的線性模式性能和極低的RDS(on)值,該獨特組合展示了恩智浦在該領(lǐng)域的技術(shù)能力。
探索無人機動力:MOT仁懋電子MOSFET的領(lǐng)航之旅
導(dǎo)語隨著無人機技術(shù)的日益成熟,無人機在工業(yè)、農(nóng)業(yè)、國防等領(lǐng)域的應(yīng)用也越來越廣泛。從航拍美景到物流運輸,再到應(yīng)急救援,無人機的身影無處不在。然而,在這些應(yīng)...
上海貝嶺為USB-PD應(yīng)用提供高性能驅(qū)動IC和MOSFET解決方案
【導(dǎo)讀】智能化便攜式電子設(shè)備諸如智能手機、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新?lián)Q代,功能越來越豐富,隨之帶來了耗電量急劇上升的挑戰(zhàn)。然而,在現(xiàn)有電池能量密度...
EN系列:保持低導(dǎo)通電阻與開關(guān)速度,改善噪聲性能
超級結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比,導(dǎo)通電阻和柵極電荷(Qg)顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效...
Vishay推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的-30 V P溝道MOSFET,可提高能效和功率密度
日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%,降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗,從而實現(xiàn)更高功率密度。
6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板(配SiC MOSFET)
新品6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅(qū)動器評估板(配SiCMOSFET)EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路,用兩個柵極驅(qū)動IC1...
應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)擴充公司寬廣的接口及電源管理...
2012-10-18 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體電源芯片 974 0
快捷擴大PowerTrench MOSFET系列產(chǎn)品陣容
提升功率密度和輕負(fù)載效率是伺服器、電訊和AC-DC電源設(shè)計人員的主要考量。此外,這些開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計中的同步整流需要具有高成本效益的電源解決方案...
2012-08-17 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源電源設(shè)計 972 0
MOSFET 是主要用于開關(guān)應(yīng)用的半導(dǎo)體元件,具有高電壓和高電流的特點。它們在高速下的更高效率和更高開關(guān)容量使它們成為電源設(shè)計的最佳選擇。讓我們看看一些...
自2022年至今,從二極管到MOSFET等功率器件,再到各類用途的MCU芯片均歷經(jīng)供求反轉(zhuǎn)及大幅降價。受整體經(jīng)濟疲軟影響,消費電子市場需求下滑,企業(yè)紛紛...
Nexperia發(fā)布新款1200V碳化硅MOSFET
Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,公司推出了業(yè)界領(lǐng)先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,標(biāo)志著其在高功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的又一重要突破。
N溝道MOSFET延長便攜設(shè)備電池壽命 飛兆半導(dǎo)體公司(Fair...
電源設(shè)計小技巧31:如何選對同步降壓 FET 電阻比?
欲查看《電源設(shè)計小貼士》此前章節(jié)的內(nèi)容,請點擊下載 PDF合輯 (已收集1-10章和11-20章,20-30章敬請期待)。在這篇《電源設(shè)計小貼士》中,我...
Vishay推出業(yè)內(nèi)最小-20V P溝道Gen III MOSFET
賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月5 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:V...
瑞能新一代碳化硅MOSFET產(chǎn)品實現(xiàn)更快的充電速度
2022年9月6日-7日,瑞能半導(dǎo)體首席執(zhí)行官Markus Mosen先生將出席第九屆中國國際半導(dǎo)體高管峰會(以下簡稱:CISES)。此番,Markus...
2022-08-23 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅瑞能半導(dǎo)體 967 0
3D SiC技術(shù)閃耀全場,基本半導(dǎo)體參展PCIM Asia引關(guān)注
6月26日-28日,基本半導(dǎo)體成功參展PCIMAsia 2018上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。 基本半導(dǎo)體展臺以充滿科技感和未來感的藍白為主色...
ROHM開發(fā)出內(nèi)置MOSFET的4通道線性LED驅(qū)動器IC
兩項新技術(shù)有助于大幅削減車載LED燈的電路板面積和設(shè)計周期
2020-03-10 標(biāo)簽:MOSFETled驅(qū)動器Rohm 965 0
MOS管的source(源極)和drain(漏極)是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
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