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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%,且具備低導通電阻RDS(on)
PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝,占位面積僅為0.62 x 0.62 mm,與前一代DFN1006器件相比,節省了超過36%的空間。
昕感科技發布一款1200V低導通電阻SiC MOSFET產品N2M120013PP0
近日,昕感科技發布一款兼容15V柵壓驅動的1200V低導通電阻SiC MOSFET產品N2M120013PP0,導通電阻在15V柵壓下低至13mΩ,配合...
Vishay推出600V EF系列快速體二極管MOSFET,導通電阻比其前代器件低29%
Vishay提供豐富的MOSFET技術支持各級功率轉換,涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統。
Diodes公司近日宣布推出三款符合汽車標準的新型雙通道高側電源開關,分別為ZXMS82090S14PQ、ZXMS82120S14PQ和ZXMS8218...
ROHM發布創新TRCDRIVE pack模塊,助力xEV逆變器升級
全球半導體制造巨頭ROHM(總部位于日本京都市)近日宣布,面向300kW以下的xEV(電動汽車)用牽引逆變器,成功開發出了一款革命性的二合一SiC封裝型...
Vishay新款20V MOSFET提高便攜式電子產品功率密度和可靠性
賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 3 月4 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VS...
近日,安徽芯塔電子科技有限公司董事長兼總經理倪煒江一行到訪南京博蘭得電子科技有限公司,與博蘭得董事長徐明博士進行深入交流。
安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規全部測試
安建半導體40V SGT MOSFET產品已經通過AEC-Q101車規認證的全部測試。
東芝推出采用超級結結構的600V N溝道功率MOSFET,助力提高電源效率
中國上海, 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1...
美高森美新型較大功率和較高電壓MOSFET器件 瞄準RF和寬帶通信應用
致力于提供功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司宣布擴展高頻率垂直擴散金屬氧化物半導體(VDMOS) MOSFET產品系列,...
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