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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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接下來討論低閾值管子的優(yōu)勢。那么,MOSFET的導通閾值低,它的好處就說對信號的幅值要求就小了。假設MOSFET的導通閾值是1V 或者2V,那么一個3....
2021-08-13 標簽:MOSFET 5559 0
探究羅姆非隔離型柵極驅(qū)動器以及超級結(jié)MOSFET PrestoMOS
ROHM不僅提供電機驅(qū)動器IC,還提供適用于電機驅(qū)動的非隔離型柵極驅(qū)動器,以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動...
英飛凌推出采用高性能AIN陶瓷的新EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET功率模塊,助力提升功率密度和實現(xiàn)更緊湊的設計
英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。
適用于熱插拔的Nexperia新款特定應用MOSFET (ASFET)將SOA增加了166%,并將PCB占用空間減小80%
新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值,并改善均流,從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統(tǒng)成本。
關(guān)于MOSFET的開關(guān)特性你們了解多少
MOSFET的開關(guān)特性解析|必看 MOS管最顯著的特點也是具有放大能力。不過它是通過柵極電壓uGS控制其工作狀態(tài)的,是一種具有放大特性的由電壓uGS控制...
2021-07-23 標簽:MOSFET 9244 0
在電子元件市場中,芯片一路水漲船高的價格一直牢牢抓住著電子人的心。從“哇塞這價格高到離譜,還是我認識的那顆料嗎?”,到“又漲了?哦又漲了!”等等,電子人...
Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權(quán),正式更名為Nexperia Newport
這家威爾士半導體工廠將繼續(xù)專注于MOSFET、IGBT、Analog、化合物半導體等車規(guī)級產(chǎn)品的生產(chǎn)
功率半導體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要用于改變電子裝置中電壓和頻率,及直流交流轉(zhuǎn)換等。只要在擁有電流電壓及相位轉(zhuǎn)換的電路系統(tǒng)中,都會用到功...
三星首款基于MOSFET冰箱變頻器設計采用英飛凌600V CoolMOS? PFD7
變頻是當代變頻器設計中,采用直流轉(zhuǎn)交流的新興轉(zhuǎn)換趨勢。與傳統(tǒng)的開/關(guān)控制相比,變頻能讓產(chǎn)品應用更安靜平穩(wěn)地運轉(zhuǎn),同時也能減少平均耗電量。
Nexperia新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動,首批產(chǎn)品具有行業(yè)內(nèi)極低的Qrr品質(zhì)因數(shù)(RDS(on)x Qrr)
Nexperia今日宣布,位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動,首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術(shù)的低RDS(on)和低Qrr ,80 V...
第三代半導體高速成長GaN功率元件今年產(chǎn)值可望大增9成
2021年6月,富士經(jīng)濟對SiC(碳化硅)、Si(硅)功率半導體等下一代功率半導體的全球市場進行了調(diào)查。功率半導體市場預計到 2030 年將達到 404...
本文對MOS失效原因總結(jié)以下六點,然后對1,2重點進行分析: 1、雪崩失效(電壓失效),也就是漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓,并且超過...
在前一篇文章里,Roland 在給大家的演示中使用了一個自制的汽車冷啟動電池電壓波形發(fā)生器,它的作用是要模擬出車輛啟動時的電池電壓跌落。 使對車用電子設...
2021-06-22 標簽:mcu轉(zhuǎn)換器MOSFET 3249 0
ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”
ROHM針對這些挑戰(zhàn),于2019年開始開發(fā)內(nèi)置高耐壓、低損耗SiC MOSFET的插裝型AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,并一直致力于開發(fā)出能夠更大程度地發(fā)揮SiC...
大聯(lián)大友尚集團推出基于Diodes產(chǎn)品的65W ACF Type-C PD3.0充電器方案
大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出基于達爾科技(Diodes)AP3306+APR347+AP43771的65W ACF Type-C PD3.0充電器解決方案。
盡管分立式功率MOSFET的幾何結(jié)構(gòu),電壓和電流電平與超大規(guī)模集成電路(VLSI)設備采用的設計方式有極大的不同,它仍然采用了與VLSI電路類似的半導體...
2021-06-15 標簽:MOSFET 3537 0
MOSFET和IGBT等功率半導體作為開關(guān)元件已被廣泛應用于各種電源應用和電力線路中。其中,SiC MOSFET在近年來的應用速度與日俱增,它的工作速度...
英飛凌EiceDRIVER? X3 Enhanced和X3 Compact柵極驅(qū)動器系列推出增強型隔離產(chǎn)品
應用廣泛的EiceDRIVER X3 Compact系列擁有5.5、10和14 A的驅(qū)動電流等規(guī)格,及90 ns的優(yōu)化傳輸時延。
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