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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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英飛凌推出EasyPACK? CoolSiC? MOSFET模塊,適用于1500V太陽能系統和ESS應用的快速開關
Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專為在整個功率因數(cos φ)范圍內工作而設計,它采用最先進的CoolSiC MOSFET和TRENC...
IGBT的結構 一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構,N+區稱為源區,附于其上的電極稱為源極。N+區稱為漏區。器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵極...
安森美半導體在APEC 2021發布新的用于電動車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案
新的1200 V M1完整 SiC MOSFET 2 pack模塊,基于平面技術,適合18 V到20 V范圍內的驅動電壓,易于用負門極電壓驅動。
東芝推出新款1200V碳化硅MOSFET——TW070J120B
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN) ? ? 眾所周知,硅元素因其獨特的穩定性成為功率MOS中最常用的材料。然而隨著半導體材料的不斷發展,越來越多的化合物...
接下來我們討論一下Igs電流。 由于下拉電阻R2比柵極驅動電阻R3大很多,所以,接下來分析時忽略掉下拉電阻,這個時候就要看電容了。剛開始充電的是時候,電...
Vishay推出新型TrenchFET第五代功率MOSFET
Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212?8S 封裝,導通電阻低至 0.95 mΩ,優異的 FOM 僅為 2...
這個主要是Drain加反偏電壓后,使得Drain/Bulk的PN結耗盡區延展,當耗盡區碰到Source的時候,那源漏之間就不需要開啟就形成了 通路,所以...
功率半導體器件一直被廣泛應用于通信、汽車、消費電子和工業領域,特別是近年來節能減排、新能源的興起,使其市場規模持續擴大。隨著人們對環保的日益重視,行業開...
Nexperia新型40V低RDS(on) MOSFET助力汽車和工業應用實現更高功率密度
新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET將最新的高性能超結硅技術與成熟的LFPAK銅夾片技術相結合,后者因提供顯著的電氣性能和熱性能而著稱。
Vishay推出先進的30V N溝道MOSFET,進一步提升隔離和非隔離拓撲結構功率密度和能效
器件采用PowerPAK? 1212?8S封裝,導通電阻低至0.95 mW,優異的FOM僅為29.8 mW*nC。
微碩SGT工藝場效應管新品上線,關于SGT MOSFET你了解多少?
相對于MOSFET也屬于高端功率器件,但在廣大的中低壓應用當中,無論是消費類電子,還是家用電器,或是嵌入式系統和工業領域,MOSFET依然占據著巨大的市場份額。
Nexperia推出全新Trench肖特基整流器 旨在為快速開關應用提高效率
Trench肖特基整流器能夠實現超快的開關速度,既能減少整流器的開關損耗,又減少了同一換向單元中MOSFET產生的損耗(此種配置通常用于異步開關模式功率...
金升陽緊跟功率半導體市場動向,推出QAxx3D-2GR3(下文稱:QA-R3系列驅動電源),可有效應用于1700V及以下電壓的IGBT/SiC MOSFET上。
SiC肖特基勢壘二極管不使用反并聯硅二極管,可集成到系統中。硅基二極管有反向恢復電流,會造成開關損耗(以及產生電磁干擾,或EMI),而SiC二極管的反向...
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