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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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MOSFET系列(二):從制造到封裝,精益求精的日系MOSFET
上一期中提到,MOSFET的市場格局以歐美系和日系為主流,歐美系英飛凌與安森美穩(wěn)坐頭兩把交椅,日系瑞薩,東芝,羅姆緊隨其后。日系廠商和歐美廠商類似,都擁...
2021-10-18 標(biāo)簽:MOSFET封裝功率半導(dǎo)體 6932 0
晶體管BJT和MOSFET都適用于放大和開關(guān)應(yīng)用。然而,它們具有顯著不同的特征。圖源:華秋商城雙極結(jié)型晶體管(BJT)雙極結(jié)型晶體管,通常稱為BJT,從...
2022-05-26 標(biāo)簽:MOSFET 6863 0
首款100V DC-DC轉(zhuǎn)換器橋式功率級模塊的性能與應(yīng)用介紹
視頻簡介:DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員正設(shè)法減少設(shè)計的尺寸/提高輸出功率。在本視頻中,我們將為您介紹行業(yè)首款100 V橋式功率級模塊FDMF8811,能以緊...
2019-03-04 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器mosfet驅(qū)動器 6836 0
01 認(rèn)識功率器件 1.1 功率半導(dǎo)體器件在工業(yè) 、消費 、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用 ,具有很高的戰(zhàn)略地位,下面我們從一張圖看功率器件的全貌: 1.2 ...
宜普電源推出40 V氮化鎵功率晶體管,應(yīng)用于POL、LiDAR的馬達(dá)驅(qū)動器
宜普公司為功率系統(tǒng)設(shè)計師提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 m?氮化鎵功率晶體管(EPC2049),應(yīng)用于負(fù)載點(POL)轉(zhuǎn)換器、激光雷達(dá)(...
2017-12-29 標(biāo)簽:mosfet晶體管馬達(dá)驅(qū)動器 6768 0
光宇睿芯劉建朝:“新能源產(chǎn)品中不可或缺的MOSFET
劉建朝表示,MOSFET領(lǐng)域,目前主要呈現(xiàn)五大趨勢:一是小信號MOSFET(小于1.5A);二是單體多芯封裝形式;三是MOSFET芯片的單位面積通態(tài)電阻...
MOSFET廠商發(fā)布漲價通知,10月開始MOS管漲幅將達(dá)20%
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/黃山明)受上游晶圓供應(yīng)緊缺情況的持續(xù)影響,近日,電子發(fā)燒友網(wǎng)獨家獲悉,某兩家廠商啟動漲價,漲幅達(dá)到20%。
英飛凌、NXP、瑞薩等十大汽車芯片廠,怎么看2024行情呢?
2019年汽車半導(dǎo)體市場規(guī)模大約372億美元,2020年受疫情影響縮減到355億美元,2021年增長31.5%達(dá)到467億美元,2022年增長約26%達(dá)...
相比于晶體管,MOSFET這個管子相對來說比較復(fù)雜,它的工作過程理解起來還是有一定難度的。那么這其中最難以理解的部分,可能還是MOS管開關(guān)損耗的理解。相...
延續(xù)2017年缺貨、漲價的勢頭,今年MOSFET、二極管、電阻、電容等元器件紛紛漲價,背后的主要原因為供不應(yīng)求,市場需求暴增、上游原材料缺貨漲價。據(jù)悉,...
航順MCU芯片價格上漲10%至20%的背后是MCU供不應(yīng)求
有消息報道稱,國內(nèi)最早開始研發(fā)國產(chǎn)32位MCU芯片的企業(yè)航順芯片近日發(fā)布調(diào)價通知函,NOR FLASH、LCD驅(qū)動等產(chǎn)品價格上漲10%至20%。 該調(diào)價...
由于以前器件的存在,多是分離式器件(discrete device)或模塊(module)形式,而不是更習(xí)見的集成電路封裝;其生產(chǎn)工廠多為傳統(tǒng)的6吋廠、...
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈九大廠商推進(jìn)IPO,上海博通和卓勝微備受關(guān)注
6月15日,耐威科技發(fā)布業(yè)績預(yù)告,預(yù)計上半年凈利為4095萬元-4818萬元,同比增長約70%-100%。 據(jù)披露,耐威科技二季度MEMS業(yè)務(wù)延續(xù)一季度...
mos管源極和漏極的區(qū)別? MOSFET,金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,是一種晶體管,其目的是通過改變其柵極和源極端子之間的電勢差來控制電子電路內(nèi)的電流...
功率MOSFET雪崩擊穿問題分析 摘要:分析了功率MOSFET雪崩擊穿的原因,以及MOSFET故障時能量耗散與器件溫升的關(guān)系。和傳統(tǒng)的
2009-07-06 標(biāo)簽:MOSFET 6248 0
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