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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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選擇強(qiáng)茂P溝道低壓MOSFET,簡化您的車用電路設(shè)計(jì)
通過AEC-Q101認(rèn)證且可承受的接面溫度高達(dá)175°C,強(qiáng)茂P溝道MOSFET是汽車設(shè)計(jì)工程師理想的選擇,可實(shí)現(xiàn)簡化電路而又不犧牲性能。提供DFN33...
2023-07-20 標(biāo)簽:MOSFET電路設(shè)計(jì)p溝道 850 0
英飛凌近期發(fā)布了搭載第五代人機(jī)界面(HMI)技術(shù)的新型汽車可編程SoC,以及汽車和工業(yè)級(jí)750V G1離散SiC MOSFET,這兩項(xiàng)新產(chǎn)品的發(fā)布進(jìn)一步...
意法半導(dǎo)體推出新型功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器
意法半導(dǎo)體(ST)近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器,這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性,還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性,以...
2024-03-12 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體柵極驅(qū)動(dòng)器 849 0
南芯科技發(fā)布高效同步升降壓變換器SC8742B與SC8746
在快速發(fā)展的電子消費(fèi)市場(chǎng)中,高效、穩(wěn)定且靈活的電源管理解決方案成為了推動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新的關(guān)鍵因素。今日,國內(nèi)領(lǐng)先的電源及電池管理芯片設(shè)計(jì)公司——南芯科技,正式...
瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過車規(guī)級(jí)可靠性測(cè)試認(rèn)證
近日,上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡稱“瞻芯電子”)基于第三代工藝平臺(tái)開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品(IV3Q12013T4...
瞄準(zhǔn)SiC MOS出貨量飆升,五大策略應(yīng)對(duì)市場(chǎng)挑戰(zhàn)
截至2023年,1200V碳化硅器件累計(jì)出貨超過了2400萬顆,得到了新能源汽車、消費(fèi)電子以及工業(yè)市場(chǎng)的客戶好評(píng)。其中SiC MOSFET營收迅速提升,...
MOSFET功率器件行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀
Trench MOS:溝槽型MOS,主要低壓領(lǐng)域100V內(nèi);SGT (Split Gate)MOS:分裂柵MOS,主要中低壓領(lǐng)域200V內(nèi);SJ MOS...
NP2307SR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2307SR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供卓越的RDS(ON) 一般特征 ,低柵極電荷和 工作電壓低至1.8V。這 該器件適用于作為負(fù)載開關(guān)或PW...
S-MOS單元技術(shù)提高了SiC MOSFET的效率
采用 SiC 作為功率器件材料的優(yōu)點(diǎn)之一是能夠使用許多眾所周知的硅器件原理和制造程序。基本器件拓?fù)浒ù怪毙ぬ鼗O管或垂直功率 MOSFET(在通過 ...
仁懋MOSFET:為智能機(jī)器人的未來注入動(dòng)力
隨著人工智能、感知技術(shù)、自主導(dǎo)航等技術(shù)方面的突破,近年來機(jī)器人功能不斷精進(jìn),市場(chǎng)也變得極為火熱。面對(duì)巨大的市場(chǎng)潛力,國內(nèi)企業(yè)正在積極布局人形機(jī)器人產(chǎn)業(yè)鏈...
國產(chǎn)新風(fēng)尚!WAYON維安針對(duì)PC及PC電源推出MOSFET細(xì)分產(chǎn)品
國產(chǎn)新風(fēng)尚!WAYON維安針對(duì)PC及PC電源推出MOSFET細(xì)分產(chǎn)品
英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS
英飛凌推出25V OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列 為提高計(jì)算和電信產(chǎn)品的能效,英飛凌...
ROHM開發(fā)出具有絕緣構(gòu)造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
非常有助于提高無線耳機(jī)和可穿戴設(shè)備等小而薄設(shè)備的效率和運(yùn)行安全性! 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出一款小型且高效的20V耐壓N...
2022-12-01 標(biāo)簽:MOSFET 839 0
IR推出汽車專用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡...
基本半導(dǎo)體攜多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC國際光伏展
? 6月13-15日,SNEC第十七屆(2024)國際太陽能光伏與智慧能源大會(huì)暨展覽會(huì)在國家會(huì)展中心(上海)隆重舉辦。本屆展會(huì)匯聚了超過3500家全球光...
98%能效!PowerPAIR? 3x3FS封裝,30V對(duì)稱雙通道MOSFET
Vishay TrenchFET Gen V MOSFET? 節(jié)省空間型器件所需 PCB 空間比 PowerPAIR 6x5F 封裝減少 63% 有助于...
中國上海,2014年11月20日–日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布,東芝參加了于2014年11月16日至2...
英飛凌推出全新StrongIRFET 2功率MOSFET 30V產(chǎn)品組合
英飛凌科技股份公司(股票代碼:FSE: IFX,OTCQX: IFNNY)近期推出了其StrongIRFET? 2系列中的全新30V功率MOSFET產(chǎn)品...
2024-09-30 標(biāo)簽:英飛凌MOSFETStrongIRFET 834 0
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