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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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三安集成打造碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺(tái),提升電源系統(tǒng)功率密度
中國(guó)化合物半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺(tái)——三安集成于日前宣布,已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺(tái)的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產(chǎn)品已完成研發(fā)...
性能更優(yōu),可靠性更高的國(guó)產(chǎn)IGBT產(chǎn)品
近些年是國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件迅猛發(fā)展的良好時(shí)機(jī),國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體企業(yè)在MOSFET ,IGBT及SiC等產(chǎn)品領(lǐng)域的優(yōu)秀表現(xiàn)吸引了越來(lái)越多的電力電子產(chǎn)品大廠的關(guān)注...
國(guó)內(nèi)首家打通碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈,三安集成完成MOSFET量產(chǎn)平臺(tái)打造
隨著中國(guó)“十四五”規(guī)劃浮出水面,第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目投資升溫加劇。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),2020年有8家企業(yè)計(jì)劃投資總計(jì)超過(guò)430億元,碳化硅、氮化鎵材料半導(dǎo)體建設(shè)...
捷捷微電:擁有氮化鎵和碳化硅相關(guān)實(shí)用新型專利4件
11月30日,捷捷微電發(fā)布投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表稱,晶閘管是2019年占公司總營(yíng)收49%的產(chǎn)品,由于公司產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的調(diào)整,今年預(yù)計(jì)占營(yíng)收的比重在40%左右,...
立霸股份主營(yíng)業(yè)務(wù)保持穩(wěn)定,半導(dǎo)體投資將為公司打開(kāi)彈性空間
近期半導(dǎo)體可謂是全線吃緊,前有晶圓體產(chǎn)能供不應(yīng)求,后有封裝測(cè)試需求爆棚。在國(guó)產(chǎn)替代的大邏輯下,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展前景一片大好。作為一家老牌的制造業(yè)企業(yè)...
揚(yáng)杰科技發(fā)布N40-150V SGT功率MOSFET新品,全面提升開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通特性
產(chǎn)品特點(diǎn) 1、優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通特性; 2、更好的導(dǎo)通電阻溫度特性,顯著增強(qiáng)器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性; 3、配合先進(jìn)的封裝技術(shù),SGT ...
2020-11-26 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻揚(yáng)杰科技 2426 0
英唐智控?cái)M取得上海芯石40%股權(quán),加碼SiC功率器件
英唐智控?cái)M取得上海芯石40%股權(quán)并成為第一大股東,加碼SiC功率器件 英唐智控發(fā)布關(guān)于收購(gòu)上海芯石股權(quán)的進(jìn)展公告稱,英唐微技術(shù)收購(gòu)?fù)瓿珊螅菊诔掷m(xù)推...
航順MCU芯片價(jià)格上漲10%至20%的背后是MCU供不應(yīng)求
有消息報(bào)道稱,國(guó)內(nèi)最早開(kāi)始研發(fā)國(guó)產(chǎn)32位MCU芯片的企業(yè)航順芯片近日發(fā)布調(diào)價(jià)通知函,NOR FLASH、LCD驅(qū)動(dòng)等產(chǎn)品價(jià)格上漲10%至20%。 該調(diào)價(jià)...
外殼的構(gòu)造和配置如何影響功率MOSFET器件內(nèi)部的工作溫度
與第四章一樣,本章的熱設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)是利用熱模擬軟件進(jìn)行的。這些模擬使用了MOSFET 模型,這些模型已經(jīng)根據(jù)經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)進(jìn)行了驗(yàn)證,并且已知能夠精確地模擬真實(shí)器...
晶圓代工產(chǎn)能緊張 各路芯片喊漲聲連成一片 Mosfet等元器件率先漲價(jià)
下半年開(kāi)始,晶圓代工產(chǎn)能開(kāi)始緊張,各路芯片喊漲聲連成一片,Mosfet等元器件率先漲價(jià)。 第三季度晶圓產(chǎn)能供應(yīng)不足順延至第四季度,8~12寸晶圓代工交期...
晶圓代工產(chǎn)能開(kāi)始緊張,各路芯片喊漲聲連成一片
下半年開(kāi)始,晶圓代工產(chǎn)能開(kāi)始緊張,各路芯片喊漲聲連成一片,Mosfet等元器件率先漲價(jià)。 第三季度晶圓產(chǎn)能供應(yīng)不足順延至第四季度,8~12寸晶圓代工交期...
全球SiC和GaN功率半導(dǎo)體銷售收入,預(yù)計(jì)到2029年將超過(guò)50億美元
SiC肖特基二極管已經(jīng)上市十多年了,近年來(lái)出現(xiàn)了SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC MOSFETs)和結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFETs)。S...
CISSOID的N溝道功率MOSFET晶體管的性能特點(diǎn)及應(yīng)用范圍
高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID推出的高溫40V N溝道功率MOSFET晶體管,保證在-55°C至+ 225°C的溫度范圍內(nèi)工作。這些名為CHT...
Hexfets如何為開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)做出了出色的貢獻(xiàn)
Severns介紹了Hexfets如何為開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)做出了出色的貢獻(xiàn)。但他明確建議,對(duì)于制造線性放大器或用于任何其他非飽和業(yè)務(wù),選擇Hexf...
值得注意的是,此前9月22日,富滿電子就已經(jīng)發(fā)布調(diào)價(jià)通知,針對(duì)8205 TSS0P8及SOT23-6系列、DWo1 SOT23-6系列,在公司原標(biāo)準(zhǔn)報(bào)價(jià)...
貿(mào)澤電子與SemiQ簽署全球分銷協(xié)議 分銷碳化硅電源產(chǎn)品組合
SemiQ SiC MOSFET模塊在高溫下的導(dǎo)通電阻較低,并具有出色的開(kāi)關(guān)性能,可以簡(jiǎn)化電力電子系統(tǒng)的散熱設(shè)計(jì),非常適合用于光伏逆變器、電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)...
英飛凌OptiMOS?源極底置功率MOSFET系列新添PQFN封裝的40 V裝置
OptiMOS SD 40 V低電壓功率 MOSFET 提供兩種版本:標(biāo)準(zhǔn)版和中央柵極版。中央柵極版針對(duì)多部裝置并聯(lián)作業(yè)進(jìn)行了優(yōu)化。
聞泰科技擬募資不超90億元,投資于智能制造產(chǎn)業(yè)園
11月1日晚間,聞泰科技發(fā)布公告稱,公司擬發(fā)行可轉(zhuǎn)債募資不超90億元。扣除發(fā)行費(fèi)用后,本次募集資金將投資于聞泰無(wú)錫智能制造產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目、聞泰昆明智能制造產(chǎn)...
IC封裝供應(yīng)鏈?zhǔn)苄酒枨笥绊?封裝現(xiàn)貨短缺局勢(shì)越加嚴(yán)重
芯片需求的激增正在影響IC封裝供應(yīng)鏈,造成精選制造能力、各種封裝類型、關(guān)鍵部件和設(shè)備的短缺。封裝方面的現(xiàn)貨短缺在2020年底浮出水面,此后蔓延到其他行業(yè)...
英飛凌1200V CoolSiC? MOSFET助力不同功率的工業(yè)電源實(shí)現(xiàn)最高效率
英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET,導(dǎo)通電阻從 30m?到 350m?,可助力不同功率的工業(yè)電源、充電...
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