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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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東芝于日前宣布,開始銷售可確保在175℃條件下工作的車載設(shè)備用功率MOSFET“TK80A04K3L”。這是一款耐壓為+40V的n通道產(chǎn)品,是該公司功率...
IR新型車用MOSFET可減少50%引線電阻,并提高30%電流
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出采用新型 WideLead TO-26...
適用于熱插拔的Nexperia新款特定應(yīng)用MOSFET (ASFET)將SOA增加了166%,并將PCB占用空間減小80%
新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值,并改善均流,從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統(tǒng)成本。
飛兆半導(dǎo)體新型低功率LED驅(qū)動器集成MOSFET
隨著LED照明市場持續(xù)增長,設(shè)計人員需要能夠適合有限的線路板占位面積、滿足電路保護和系統(tǒng)可靠性要求并簡化供應(yīng)鏈物流,同時符合全球能源法規(guī)要求的解決方...
2012-07-25 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFETLED照明 818 0
NP2312A使用先進的海溝技術(shù) 提供優(yōu)秀的RDS()、低門和收費 操作門電壓2.5 v。這 設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
Wolfspeed SiC TOLL MOSFET榮獲2022年全球電子成就獎
Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 針對高性能電力電子應(yīng)用優(yōu)化設(shè)計,適合企業(yè) / 服務(wù)器 / 通信電源、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電系統(tǒng)、電池...
EiceDRIVER? X3 Enhanced系列可提高設(shè)計靈活性并降低硬件復(fù)雜性
EiceDRIVER X3 Enhanced 1ED34xx和1ED38xx系列適用于IGBT以及 SiC和Si MOSFET單管和模塊。輸出電流高達9...
SiC 器件取代服務(wù)器、電機、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
SiC 器件取代服務(wù)器、電機、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
Littelfuse推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品IXTY2P50PA
Littelfuse宣布推出首款汽車級PolarP P通道功率MOSFET產(chǎn)品 IXTY2P50PA。這個創(chuàng)新的產(chǎn)品設(shè)計能滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)苛要求,提供卓...
2023-10-25 標(biāo)簽:MOSFETLittelfuse 810 0
具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC? MOSFET M1H
2023PCIMAsia英飛凌將重磅亮相2023PCIMAsia設(shè)立“綠色能源與工業(yè)”“電動交通和電動出行”“智能家居”三大核心展示區(qū)域8月29日-31...
Vishay發(fā)布寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動器 可用于高壓應(yīng)用領(lǐng)域
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出用于電機驅(qū)動、太陽能逆變器、新能源和焊接設(shè)備,以及...
上海汽車芯片工程中心與功成半導(dǎo)體簽署重要戰(zhàn)略合作協(xié)議!
5月15日,上海汽車芯片工程中心有限公司(簡稱:上海汽車芯片工程中心)與上海功成半導(dǎo)體科技有限公司(簡稱:功成半導(dǎo)體)簽署重要戰(zhàn)略合作協(xié)議。
超級電容器自動平衡 (SAB) MOSFET在工業(yè)中的應(yīng)用
超級電容器自動平衡 (SAB) MOSFET 系列適合工業(yè)應(yīng)用,以調(diào)節(jié)和平衡泄漏電流,同時最大限度地減少用于平衡兩個或多個串聯(lián)堆疊的超級電容器電池的能量。
據(jù)鉅亨網(wǎng)報道,全球景氣去年下半年起下滑,筆電等消費性市場享受階段紅利后,需求出現(xiàn)滑落,導(dǎo)致終端庫存水位高檔
芯塔電子發(fā)布1200V/14mΩ SiC MOSFET 助力電動汽車主驅(qū)功率模塊
芯塔團隊?wèi){借出色的器件結(jié)構(gòu)設(shè)計,使得新品各項參數(shù)表現(xiàn)卓越:在擊穿電壓與閾值電壓方面保持高度一致且穩(wěn)定;Rsp達到行業(yè)領(lǐng)先水準(zhǔn),整體優(yōu)勢顯著。
恩智浦NextPowerS3可提供帶軟恢復(fù)功能的超快速開關(guān)性能的MOSFET
9月24日訊——恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼:NXPI)近日宣布推出NextPowerS3——一款全新高...
國星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證
繼1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管)器件獲AEC-Q101車規(guī)級認(rèn)證后
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET,適用于帶有USB的設(shè)備以及電...
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