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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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高頻驅(qū)動,有利于外圍元器件的小型化 在PWM逆變器驅(qū)動時(shí)的損耗仿真中,與同等額定電流的IGBT模塊相比,相同開關(guān)頻率的損耗在5kHz時(shí)減少30%、20k...
來源:羅姆半導(dǎo)體社區(qū) ? ? ? ??金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Fie...
專為強(qiáng)化諧振拓?fù)溥\(yùn)作性能打造,英飛凌推出全新 650 V CoolMOS? CFD7
新款 650 V器件擴(kuò)展了聲譽(yù)卓越的 CoolMOS CFD7 系列的電壓范圍,且為 CoolMOS CFD2 的后繼產(chǎn)品。
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1的超小型MOSFET “RV8C010UN”、“R...
知名半導(dǎo)體制造商ROHM開發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品的MOSFET
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※1的超小型MOSFET “RV8C010UN”、“R...
英飛凌 CoolSiC? 技術(shù)助力光寶科技推出80 PLUS 鈦金認(rèn)證的 SMPS 交換式電源供應(yīng)器
為符合最高效率 80 PLUS 鈦金認(rèn)證的要求,在 50% 負(fù)載條件下,115 V 輸入電壓需達(dá)到94% 效率,另在 230 V 電壓下則需達(dá)到 96% 效率。
2020-09-28 標(biāo)簽:MOSFET電源供應(yīng)器碳化硅 961 0
受晶圓供應(yīng)緊缺情況影響 深圳兩家MOS管廠商啟動漲價(jià)
據(jù)電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道,受上游晶圓供應(yīng)緊缺情況的持續(xù)影響,近日,深圳兩家MOS管廠商已經(jīng)啟動漲價(jià),漲幅達(dá)到20%。據(jù)了解,深圳德**已經(jīng)在9月18日已經(jīng)率先...
2020-09-28 標(biāo)簽:MOSFET 2248 0
2021年半導(dǎo)體產(chǎn)能全面吃緊 硅晶圓缺貨效應(yīng)會延續(xù)到明年
2021年半導(dǎo)體產(chǎn)能全面吃緊,業(yè)界看好硅晶圓供不應(yīng)求且價(jià)格逐季調(diào)漲,法人預(yù)期包括環(huán)球晶(6488)、臺勝科(3532)、合晶(6182)、嘉晶(3016...
MOSFET廠將在2021年受惠漲價(jià)潮 有望持續(xù)繳出新高水準(zhǔn)
金氧半場效電晶體(MOSFET)2021年在美系大廠喊漲兩成,加上中國MOSFET廠雙位數(shù)調(diào)漲帶動下。法人看好,大中(6435)、杰力(5299)、富鼎...
8吋產(chǎn)能吃緊,12吋代工價(jià)也跟著漲聲響起
全球8吋晶圓代工產(chǎn)能供不應(yīng)求,12吋產(chǎn)能利用率也跟著揚(yáng)升,訂單能見度已至第3季,不僅8吋代工價(jià)已在2020年第3季底起漲勢凌厲,12吋代工價(jià)也跟著漲聲響...
晶圓代工產(chǎn)能吃緊 MOSFET產(chǎn)業(yè)或?qū)⒂瓉頋q價(jià)潮
晶圓代工產(chǎn)能吃緊,MOSFET供給也連帶緊縮,加上晶圓代工及封測報(bào)價(jià)全面上漲,全宇昕(6651)將在第二季起對客戶溝通議價(jià),漲幅約落在5~15%左右,藉...
利用功率MOSFET制造線性放大器的風(fēng)險(xiǎn)分析
多年前,Rudy Severns曾參加國際整流器(International Rectifier,IR)的巡回演講,討論了該公司的Hexfets功率MO...
ROHM推出適用于FA和機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備的Pch MOSFET*1/*2產(chǎn)品
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)推出非常適用于FA和機(jī)器人等工業(yè)設(shè)備以及空調(diào)等消費(fèi)電子產(chǎn)品的共計(jì)24款Pch MOSFET*1/*2產(chǎn)...
2020-12-26 標(biāo)簽:MOSFET機(jī)器人場效應(yīng)晶體管 2125 0
電源和熱管理在提高計(jì)算機(jī)性能方面起著至關(guān)重要的作用。在計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中,傳統(tǒng)上將操作限制置于功率和溫度上。即使計(jì)算機(jī)能夠以較少的功耗平穩(wěn)運(yùn)行,計(jì)算機(jī)也會...
意法半導(dǎo)體(ST)推出了第二代SiC功率MosFET,具有單位面積極低的導(dǎo)通電阻(RDSon)和優(yōu)良的開關(guān)性能,開關(guān)損耗在結(jié)溫范圍內(nèi)幾乎沒有變化。 ST...
2020-11-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFET逆變器 1455 0
5G市場持續(xù)高速成長,各大研調(diào)機(jī)構(gòu)預(yù)期2020年5G智慧手機(jī)市場規(guī)模大約落在2億支左右水準(zhǔn),且進(jìn)入2021年后將可望翻倍成長至4億支以上,使5G智慧手機(jī)...
Vishay推出新款200V N溝道MOSFET的RDS(ON)導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平,提高系統(tǒng)功率密度且節(jié)省能源
TrenchFETa器件典型RDS(ON)為 61 mΩ,優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC,封裝面積10.89 mm2
MOSFET廠商發(fā)布漲價(jià)通知,10月開始MOS管漲幅將達(dá)20%
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)受上游晶圓供應(yīng)緊缺情況的持續(xù)影響,近日,電子發(fā)燒友網(wǎng)獨(dú)家獲悉,某兩家廠商啟動漲價(jià),漲幅達(dá)到20%。
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