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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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寬帶隙半導(dǎo)體是一項(xiàng)關(guān)注度很高的替代技術(shù)
摘要:傳統(tǒng)硅基MOSFET技術(shù)日趨成熟,正在接近性能的理論極限。寬帶隙半導(dǎo)體的電、熱和機(jī)械特性更好,能夠提高M(jìn)OSFET的性能,是一項(xiàng)關(guān)注度很高的替代技...
特瑞仕推出新產(chǎn)品 推動(dòng)機(jī)器小型化
特瑞仕半導(dǎo)體株式會(huì)社(日本東京都中央?yún)^(qū) 董事總經(jīng)理:芝宮 孝司 第一東京證券交易所:6616)開(kāi)發(fā)了2種MOSFET新產(chǎn)品--XP22x系列(20V耐壓...
2020-09-03 標(biāo)簽:繼電器開(kāi)關(guān)電路MOSFET 1908 0
晶圓產(chǎn)能緊張需求暴漲 MOSFET價(jià)格或飆升20%
近段時(shí)間,各大晶圓廠紛紛曬出自己的傲人財(cái)報(bào),下游需求旺盛,晶圓產(chǎn)能緊張,讓臺(tái)積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)三大代工廠將8寸晶圓線代工價(jià)格紛紛調(diào)高10%-20%。而...
宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出兩款新一代200 V 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
EPC2215(8 mΩ、162 Apulsed)和EPC2207(22 mΩ、54 Apulsed)的尺寸比前代200 V eGaN器件大約縮小50%...
2020-08-22 標(biāo)簽:MOSFET晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1867 0
CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢(shì),導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長(zhǎng)度和柵面積都急劇減小。對(duì)于常規(guī)體MOSFET,當(dāng)氧化層厚度<2 nm時(shí),大量載流子以不同機(jī)...
Vishay推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的-30 V P溝道MOSFET,可提高能效和功率密度
日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場(chǎng)上排名第二的產(chǎn)品低43%,降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗,從而實(shí)現(xiàn)更高功率密度。
一個(gè)典型的輸出為12 V/500 mA的非隔離開(kāi)關(guān)電源芯片-TB1211
TB1211為一個(gè)典型的輸出為12 V/500 mA的非隔離開(kāi)關(guān)電源芯片。它通常應(yīng)用于家用電器的(電飯煲、洗衣機(jī)及其它白色家電)。電源系統(tǒng)帶有各種保護(hù),...
2020-08-16 標(biāo)簽:芯片MOSFET開(kāi)關(guān)電源 4731 0
本文主要介紹了mosfet命名方法及MOSFET電路符號(hào)。
2020-08-12 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.2萬(wàn) 0
博世入局碳化硅 博世致力于研發(fā)符合車規(guī)級(jí)的碳化硅產(chǎn)品
博世集團(tuán)是世界先進(jìn)的技術(shù)及服務(wù)供應(yīng)商。從MEMS技術(shù)問(wèn)世開(kāi)始,博世始終處于MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)的前沿位置。如今,博世已成為全球的MEMS傳感器的頭...
ST EVL400W-EUPL7評(píng)估板可實(shí)現(xiàn)較高的平均能效和典型能效
意法半導(dǎo)體的EVL400W-EUPL7評(píng)估板是一個(gè)現(xiàn)成的400W電源解決方案,符合當(dāng)今要求最嚴(yán)格的生態(tài)設(shè)計(jì)規(guī)范,借助意法半導(dǎo)體的L4984D電流式PFC...
2020-08-07 標(biāo)簽:mosfet意法半導(dǎo)體散熱器 895 0
盡管MOSFET在開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)控制等一些電子系統(tǒng)中得到廣泛的應(yīng)用,但是許多電子工程師并沒(méi)有十分清楚的理解MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程,以及MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)...
如何設(shè)計(jì)高效高可靠的LED驅(qū)動(dòng)
你知道如何讓LED驅(qū)動(dòng)具備高可靠性嗎?要普及LED燈具不但需要大幅度降低成本,還需要解決技術(shù)性的問(wèn)題。如何解決能效和可靠性這些難題,PowerInteg...
2020-08-01 標(biāo)簽:LEDMOSFET驅(qū)動(dòng)器 792 0
如何在專業(yè)音頻應(yīng)用中生成負(fù)電源軌
專業(yè)音頻產(chǎn)品系統(tǒng)產(chǎn)品中會(huì)使用到多種多樣的運(yùn)算放大器,ADC和DAC等器件,這些器件有時(shí)候不僅需要正電源軌進(jìn)行供電,還會(huì)需要負(fù)電源軌進(jìn)行供電(例如常見(jiàn)的負(fù)...
Vishay推出新款30V n溝道MOSFET半橋功率級(jí)模塊---SiZF300DT
SiZF300DT比6mm x 5mm封裝類似導(dǎo)通電阻的雙片器件節(jié)省65 %的空間,是市場(chǎng)上最緊湊的集成產(chǎn)品之一。
niPOL穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
由于在硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器的高側(cè)MOSFET兩端有很高的電壓,在降壓轉(zhuǎn)換器關(guān)-開(kāi)過(guò)渡期間,高側(cè)MOSFET中會(huì)產(chǎn)生很大的功率損耗,同時(shí)也激勵(lì)了寄生電感,這將導(dǎo)致...
ROHM開(kāi)發(fā)出業(yè)界先進(jìn)的第4代低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET
對(duì)于功率半導(dǎo)體來(lái)說(shuō),當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時(shí)短路耐受時(shí)間※2就會(huì)縮短,兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系,因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時(shí),如何兼顧短路耐受時(shí)...
ROHM研制1200V 第4代SiC MOSFET,單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約40%
在這種背景下,ROHM于2010年在全球率先開(kāi)始了SiC MOSFET的量產(chǎn)。ROHM很早就開(kāi)始加強(qiáng)符合汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101的產(chǎn)品陣容...
新形式功率MOSFET晶體管研發(fā),能夠處理超過(guò)8000伏的電壓
6月3日消息,美國(guó)布法羅大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)了一種新形式的功率MOSFET晶體管,這種晶體管可以用最小的厚度處理難以置信的高電壓,可能會(huì)提升電動(dòng)汽車電力電子...
2020-06-04 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車mosfet晶體管 3026 0
PowerDI? 3333-8 D 型封裝的 3D 結(jié)構(gòu)有助增加整體功率效率,且高電壓與額定電流大幅擴(kuò)大其應(yīng)用范圍。完全接地墊片設(shè)計(jì)可帶來(lái)良好的散熱效能...
面向汽車ECU的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)TPD7107F的介紹
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出柵驅(qū)動(dòng)器開(kāi)關(guān)IPD“TPD7107F”。該產(chǎn)品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元(EC...
2020-05-16 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器ECU 3492 0
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