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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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東芝面向中大電流IGBT/MOSFET 推出內置保護功能的光耦
新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器,來控制中大電流IGBT和MOSFET。
Cissoid推出1.2kV 450A碳化硅三相mosfet功率模塊 適用于汽車等應用
Cissoid首席執行官Dave Hutton表示:“開發和優化快速開關SiC電源模塊并可靠地驅動它們仍然是一個挑戰,這款SiC智能電源模塊是針對極端溫...
CISSOID宣布推出用于電動汽車的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模塊
內置的柵極驅動器包括3個板載隔離電源(每相1個),可提供每相高達5W的功率,從而可以在高達125°C的環境溫度下輕松驅動頻率高達25KHz的功率模塊。
性價比一流:英飛凌推出面向低頻率應用的600 V CoolMOSTM S7超結MOSFET
英飛凌科技股份公司成功開發出滿足最高效率和質量要求的解決方案。對于MOSFET低頻率開關應用而言,新推出的600 V CoolMOS? S7系列產品可帶...
英飛凌650V CoolSiC? MOSFET系列為更多應用帶來最佳可靠性和性能水平
隨著新產品的發布,英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產品組合
一家成立僅六年的IC設計公司,如何通過自主創新,在中國汽車充電樁領域功率器件高壓超級結MOSFET市場獨占鰲頭,占有率超過進口功率器件。為此,電子發燒友...
安世推采用LFPAK56封裝的0.57 m?產品 擴展市場領先低RDS(on) MOSFET性能
同時優化了安全工作區、漏極電流和柵極電荷 安世半導體,分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領域的生產專家,今日宣布推出有史以來最低RDS(...
英飛凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封裝的OptiMOS?源極底置25 V功率MOSFET
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通過專注于解決當前電源管理設計面臨的挑戰,來實現系統創新和組件水平的改進。源極底置是...
LCE15P25JK替代IRF6215SPDF傳導騷擾CE問題分析
場效應管MOSFET為壓控元件,廣泛應用于消費電子、電動交通工具、電源管理、工業應用、照明等領域。 MOSFET只要加到它的壓控元件所需電壓就能使它導通...
UnitedSiC推具有最低RDS(on)的DFN 8x8格式FET器件
UnitedSiC的UF3SC065030D8S和UF3SC065040D8S具有超低的柵極電荷和出色的反向恢復特性,因而非常適合于在任何采用標準柵極驅...
在采訪中朱勇華介紹了美浦森的發展現狀,以及本次展會展示的特色產品,他還特別介紹了該公司碳化硅器件的特性。
新產品是東芝首款采用緊湊型SOP Advance(WF)封裝的車用100V N溝道功率MOSFET。封裝采用可焊錫側翼端子結構,安裝在電路板上時能夠進行...
該系列包括具備低導通電阻的“XPH4R10ANB”-其漏極電流為70A,以及“XPH6R30ANB”-其漏極電流為45A。批量生產和出貨計劃于今天開始。
Vishay推業內最低RS-S(ON)60V共漏極器件,適于24V系統和工業應用雙向開關
Vishay推出采用小型熱增強型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。
體育行業發展前景及發展機遇分析 體育行業 體育行業發展前景,體育產業是指為社會提供體育產品的同一類經濟活動的集合以及同類經濟部門的綜合。 體育產業作為國...
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