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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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茂捷M6362A替換昂寶OB2362A,茂捷M5579A/B替換昂寶OB2269
M6362A 是一款高度集成的電流模式PWM 控制芯片,主要用于高性能、低待機功耗和低成本的離線反激式電源適配器中。 在滿載時,IC 在固定頻率(65K...
深圳市銳駿半導體(www.ruichips.com)在深圳市南山區科興科學園會議中心召開了他們12英寸MOSFET成功投產的發布會,2019年12英寸新...
ROHM開發出采用4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),開發出6款溝槽柵結構※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品(650V/1200...
Wolfspeed推出適用于電動車充電器的1200V 450A全碳化硅半橋模塊
日前,Wolfspeed宣布推出1200V 450A全碳化硅半橋模塊CAB450M12XM3,該產品可最大限度地提高功率密度,同時最大限度地降低環路電感...
肖特基勢壘二極管(SBD)常用于高級駕駛輔助系統(ADAS)相機模塊的反向連接保護電路中。
Vishay 60V TrenchFET第四代n溝道功率MOSFET 專用于標準柵極驅動電路
器件專門用于標準柵極驅動電路,柵極電荷低至22.5 nC,QOSS為34.2 nC,采用PowerPAK? 1212-8S封裝。
行業 | 用于工業和汽車級碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅動
CISSOID在論文中提出了一種新的柵極驅動板,其額定溫度為125°C(Ta),它還針對采用半橋式SiC MOSFET的62mm功率模塊進行了優化。
7月23日,2019英飛凌電源管理研討會在深圳盛大開幕,英飛凌電源管理與多元化市場事業部大中華區高級市場經理陳清源就全球半導市場和功率半導體的市場應用熱...
ROHM開發出1.6mm×1.6mm尺寸超小型車載用超小型MOSFET
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Maxim發布新型LED驅動器,內置MOSFET,效率高達90%
MAX25610A/B內置MOSFET,效率高達90%并符合CISPR 25 EMI要求
儒卓力發布英飛凌OptiMOS功率MOSFET 具有出色的性能數據和功率密度
由于具有最低的導通電阻(RDS(on)),這些BiC MOSFET能夠以良好的性價比降低損耗。此外,通管殼(Junction to Case (RthJ...
近年來,SiC功率器件的出現大大提升了半導體器件的性能,這對電力電子行業的發展意義重大。據Yole預測,到2023年SiC功率器件市場規模預計將達14億...
功率MOSFET平均售價持續上升 成為IDM大廠產品主要發展重點
自2018年開始,功率MOSFET(Power MOSFET)的平均售價(ASP)持續上升,其中以工作電壓范圍超過400伏特高電壓功率MOSFET產品成...
雖然工業市場規模龐大,然而卻高度碎片化,要像吃下這塊“肥肉”并不那么容易。為了能順利吃到肉,2019年5月28日,ST攜手龍頭企業、中小企業、合作伙伴和...
英飛凌科聯合Schweizer開發出面向輕度混合動力汽車新技術
英飛凌聯合Schweizer電子股份公司成功開發出面向輕度混合動力汽車的新技術:芯片嵌入式功率MOSFET。
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