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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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3.3kw高效數(shù)字電源方案:英飛凌XMC1400與CoolSiC? Mosfet的完美結(jié)合
品佳集團(tuán)基于英飛凌 XMC1400開發(fā)的高功率密度3300W全數(shù)字雙向圖騰柱PFC,是性價(jià)比最高的方案之一。 該方案是基于英飛凌ARM Corte...
飛兆半導(dǎo)體新推30V PowerTrench MOSFET
在能源效率標(biāo)準(zhǔn)和最終系統(tǒng)要求的推動(dòng)之下,電源設(shè)計(jì)人員需要有助于縮減其應(yīng)用電源的外形尺寸且不影響功率密度的高能效解決方案。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairch...
2012-04-27 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET電源芯片 701 0
SiC MOSFET逆變器的創(chuàng)新應(yīng)用
碳化硅逆變器將有助于駕駛員更快地為電動(dòng)汽車充電,減輕消費(fèi)者對(duì)續(xù)航里程的焦慮。由于SiC具有更高的工作溫度和更快的開關(guān)速度,因此它是用于快速充電解決方案的...
2023-09-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET逆變器 699 0
Vishay VOMDA1271汽車級(jí)光電壓輸出光耦,用于MOSFET開關(guān),集成關(guān)斷電路,提升應(yīng)用性能
Vishay VOMDA1271 器件通過 AEC-Q102 認(rèn)證 開關(guān)速度和開路輸出電壓(8.5V)達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平 Vishay? 推出一款業(yè)內(nèi)先進(jìn)...
超越期望,引領(lǐng)控制革新——ASDM65N18S功率MOSFET
引言: 在現(xiàn)代高效能系統(tǒng)中,功率MOSFET扮演著至關(guān)重要的角色,它們是實(shí)現(xiàn)低功耗、高效率和精確控制的關(guān)鍵元件。為滿足不斷發(fā)展的市場需求,我們推出了全新...
深圳至信微電子獲千萬元A輪融資,加速碳化硅功率器件研發(fā)與市場布局?
至信微電子創(chuàng)立于2021年,致力于碳化硅功率器件的研發(fā)與生產(chǎn),主要產(chǎn)品包括碳化硅MOSFET以及相關(guān)模組等。據(jù)了解,該公司核心團(tuán)隊(duì)匯聚了來自全球著名半導(dǎo)...
仁懋電子MOSFET在安防電源領(lǐng)域的應(yīng)用
數(shù)字化時(shí)代,安全監(jiān)控系統(tǒng)的重要性日益凸顯,而以太網(wǎng)供電(PoE)技術(shù)無疑是這一領(lǐng)域的一股創(chuàng)新力量。隨著技術(shù)的進(jìn)步,PoE的應(yīng)用已經(jīng)不僅限于簡單的數(shù)據(jù)傳輸...
NP8P016MR 16V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP8P016MR采用先進(jìn)壕溝 技術(shù)提供優(yōu)良的RDS(ON),低柵 充電和工作的柵極電壓低至1.8V。 本裝置適用于作為負(fù)載開關(guān)或中壓開關(guān) 脈寬調(diào)...
適用于CSP GaN FET的簡單且高性能的熱管理解決方案?
本文將展示芯片級(jí)封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同(如果不優(yōu)于)的熱性能。由于其卓越的電氣性能,GaN FET 的尺...
該公司成立于2008年,是一家專門生產(chǎn)尖端國產(chǎn)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的企業(yè)。到目前為止,包括73項(xiàng)發(fā)明專利權(quán)和國際專利在內(nèi),共有165項(xiàng)其他原創(chuàng)專利。
Nexperia將首次亮相第三屆中國國際進(jìn)口博覽會(huì)
Nexperia為多個(gè)汽車應(yīng)用領(lǐng)域貢獻(xiàn)力量,約270款Nexperia產(chǎn)品運(yùn)用在不同的汽車應(yīng)用中。
7 月 8 日至 10 日,2024 年慕尼黑上海電子展 ( electronica China ) 在上海新國際博覽中心召開。開展當(dāng)天,Vishay ...
什么是Buck電源?矽力杰SQ51201值得關(guān)注
什么是多相Buck電源? 大數(shù)據(jù),云計(jì)算,人工智能概念的興起,通信基站,數(shù)據(jù)中心等基建設(shè)施及汽車電動(dòng)智能化催生出的自動(dòng)駕駛等終端應(yīng)用都需要耗電更大的CP...
NP2300BHR(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2300BHR使用先進(jìn)的海溝技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS()、低門和高收費(fèi) 超低密度細(xì)胞設(shè)計(jì)導(dǎo)通電阻。這設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)?
怎么提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)? 提高SIC MOSFET的動(dòng)態(tài)響應(yīng)是一個(gè)復(fù)雜的問題,涉及到多個(gè)方面的考慮和優(yōu)化。在本文中,我們將詳細(xì)討論如何提...
英飛凌近期推出的EiceDRIVER? 2ED314xMC12L系列,是一款專為驅(qū)動(dòng)Si MOSFET、IGBT及SiC MOSFET而設(shè)計(jì)的雙通道隔離...
2024-09-03 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器 687 0
NP2300VR-M(20 v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2300VR-M使用先進(jìn)的戰(zhàn)壕 技術(shù)提供優(yōu)秀的RDS(上)、低門電荷和高密度細(xì)胞設(shè)計(jì)超低導(dǎo)通電阻。本設(shè)備適用于作為負(fù)載 在PWM開關(guān)或應(yīng)用程序。
如何更好地驅(qū)動(dòng)SiC MOSFET器件?
IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓一般都是15V,而SiC MOSFET的推薦驅(qū)動(dòng)電壓各品牌并不一致,15V、18V、20V都有廠家在用。更高的門極驅(qū)動(dòng)電壓有助于降低器...
NP2301BMR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述 NP2301BMR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供卓越的RDS(ON) 一般特征 ,低柵極電荷和 工作電壓低至1.8V。這個(gè)設(shè)備 適合用作負(fù)載開關(guān)或PW...
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