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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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Wolfspeed開始向中國終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET
? 根據(jù)Wolfspeed的最新消息,隨著其在紐約州莫霍克谷工廠的投產(chǎn),Wolfspeed已經(jīng)開始向中國終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET,首批供應(yīng)的產(chǎn)...
美浦森 新推出 200V32A 260V38A 300V35A 430V11A VD MOSFET
美浦森半導(dǎo)體成立于2014年,總部位于深圳市南山區(qū),在深圳,上海均設(shè)有研發(fā)中心。是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)為一體的完整型產(chǎn)業(yè)鏈公司,國家級(jí)高新...
2022-05-06 標(biāo)簽:電源MOSFET開關(guān)電源 680 0
碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)97%能效
碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)97%能效
2023-12-04 標(biāo)簽:電路MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器 679 0
三菱電機(jī)從事SiC器件開發(fā)和應(yīng)用研究已有近30年的歷史,從基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究到批量商業(yè)化,從2英寸、4英寸晶圓到6英寸晶圓,三菱電機(jī)一直致力于開發(fā)和應(yīng)用...
內(nèi)置高耐壓低導(dǎo)通電阻MOSFET的降壓型1ch DC/DC轉(zhuǎn)換器
ROHM推出內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC...
2023-02-13 標(biāo)簽:電阻轉(zhuǎn)換器MOSFET 677 0
英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度,還采用...
Littelfuse推出高頻應(yīng)用的IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器
驅(qū)動(dòng)器系列的擴(kuò)展解決了廣泛的工業(yè)、樓宇自動(dòng)化、數(shù)據(jù)中心和可再生能源應(yīng)用問題 ? 芝加哥,2024年9月19日-- Littelfuse公司(NASDAQ...
2024-09-19 標(biāo)簽:MOSFETLittelfuse柵極驅(qū)動(dòng)器 675 0
GaN在應(yīng)用太空工業(yè)中的應(yīng)用
在新一代電力電子技術(shù)領(lǐng)域,氮化鎵(GaN)技術(shù)因其出色的抗輻射能力和卓越的電氣性能,已成為太空任務(wù)的革命性突破的關(guān)鍵。氮化鎵 (GaN) 技術(shù)已成為天基...
NP2018DR(20v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)
NP2018DR使用先進(jìn)的海溝技術(shù) 提供優(yōu)秀的RDS()、低門和收費(fèi) 操作門電壓2.5 v。這 設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案帶來領(lǐng)先業(yè)界的高能效
新的1700 V EliteSiC器件在能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可靠、高能效的工作 2023年1月4日?—?領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美...
探索馬達(dá)驅(qū)動(dòng)科技的未來——愛美雅科技推出步進(jìn)/無刷馬達(dá)芯片ERD4001
隨著科技的飛速發(fā)展,馬達(dá)在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。無論是玩具、冰箱、打印機(jī)還是白色商品,馬達(dá)都扮演著重要的角色。然而,為了實(shí)現(xiàn)更高效、更可靠的馬達(dá)控制...
2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFET馬達(dá)驅(qū)動(dòng) 670 0
武漢芯源半導(dǎo)體2024慕尼黑上海電子展圓滿結(jié)束
在盛夏的七月,備受矚目的2024慕尼黑上海電子展(electronica China)在上海新國際博覽中心圓滿落下帷幕。作為電子行業(yè)的年度盛會(huì),本次展會(huì)...
ROHM正在擴(kuò)充AC/DC轉(zhuǎn)換器用IC的產(chǎn)品陣容。主要面向25W以下的應(yīng)用,比以往相同目的的IC設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單,并滿足近年來對(duì)AC/DC轉(zhuǎn)換器的需求事項(xiàng)的涵...
2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIC 668 0
日前,全球領(lǐng)先的國際化功率器件品牌瑞能半導(dǎo)體以“高效節(jié)能,奔赴零碳”為主題參展2024慕尼黑上海電子展(Electronica China 2024),...
2024-07-19 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅瑞能半導(dǎo)體 667 0
英飛凌EiceDRIVER? X3 Enhanced和X3 Compact柵極驅(qū)動(dòng)器系列推出增強(qiáng)型隔離產(chǎn)品
應(yīng)用廣泛的EiceDRIVER X3 Compact系列擁有5.5、10和14 A的驅(qū)動(dòng)電流等規(guī)格,及90 ns的優(yōu)化傳輸時(shí)延。
安森美專家深度解析:SiC業(yè)務(wù)高速增長的制勝策略
SiC市場(chǎng)需求旺盛增長,對(duì)于供應(yīng)商而言,抓緊產(chǎn)能擴(kuò)充是重中之重。雖然市場(chǎng)足夠大,但競(jìng)爭(zhēng)依然存在。對(duì)于SiC技術(shù)、設(shè)計(jì)支持和解決方案等方面,供應(yīng)商也要體現(xiàn)...
SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。其中一個(gè)...
2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFETSiC寬禁帶半導(dǎo)體 667 0
應(yīng)能微電子推出Load Switch APL0501系列
在快速發(fā)展的智能穿戴、智能手寫筆等市場(chǎng),受限于產(chǎn)品的體積,及鋰電池的容量通常都比較?。?0mAh到500mAh)。為了更好的延長使用時(shí)間,需要利用電源分...
瑞薩電子推出P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體MOSFET系列μPA2812T1L
瑞薩電子"今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET系列產(chǎn)品,包括用于筆記本電腦中鋰離子Li-ion二級(jí)電池的充電控制開...
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