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標(biāo)簽 > mosfet

mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet資訊

Wolfspeed開始向中國終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET

? 根據(jù)Wolfspeed的最新消息,隨著其在紐約州莫霍克谷工廠的投產(chǎn),Wolfspeed已經(jīng)開始向中國終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET,首批供應(yīng)的產(chǎn)...

2023-07-06 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅sic器件 680 0

美浦森 新推出 200V32A  260V38A  300V35A  430V11A VD MOSFET

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美浦森半導(dǎo)體成立于2014年,總部位于深圳市南山區(qū),在深圳,上海均設(shè)有研發(fā)中心。是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)為一體的完整型產(chǎn)業(yè)鏈公司,國家級(jí)高新...

2022-05-06 標(biāo)簽:電源MOSFET開關(guān)電源 680 0

受益于物聯(lián)網(wǎng)的FD-SOI卷土重來

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如今談起晶圓工藝,大家提及的往往是日趨成熟的Fin-FET,抑或是尚出于完善階段的GAA,臺(tái)積電、三星、英特爾……無數(shù)廠商都在為了這兩種工藝前后奔忙,不...

2023-07-25 標(biāo)簽:MOSFETFETFinFET 679 0

碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)97%能效

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2023-12-04 標(biāo)簽:電路MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器 679 0

三菱電機(jī)SiC器件的發(fā)展歷程

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三菱電機(jī)從事SiC器件開發(fā)和應(yīng)用研究已有近30年的歷史,從基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究到批量商業(yè)化,從2英寸、4英寸晶圓到6英寸晶圓,三菱電機(jī)一直致力于開發(fā)和應(yīng)用...

2024-07-24 標(biāo)簽:MOSFET三菱電機(jī)SiC 678 0

內(nèi)置高耐壓低導(dǎo)通電阻MOSFET的降壓型1ch DC/DC轉(zhuǎn)換器

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ROHM推出內(nèi)置耐壓高達(dá)80V的MOSFET的DC/DC轉(zhuǎn)換器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐壓是內(nèi)置功率晶體管的非隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器IC...

2023-02-13 標(biāo)簽:電阻轉(zhuǎn)換器MOSFET 677 0

英飛凌推出80 V MOSFET OptiMOS 7

英飛凌科技近日推出了其最新的OptiMOS? 7 80 V系列首款產(chǎn)品——IAUCN08S7N013。這款MOSFET技術(shù)不僅顯著提升了功率密度,還采用...

2024-05-07 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET 677 0

Littelfuse推出高頻應(yīng)用的IX4341和IX4342雙5安培低壓側(cè)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器

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驅(qū)動(dòng)器系列的擴(kuò)展解決了廣泛的工業(yè)、樓宇自動(dòng)化、數(shù)據(jù)中心和可再生能源應(yīng)用問題 ? 芝加哥,2024年9月19日-- Littelfuse公司(NASDAQ...

2024-09-19 標(biāo)簽:MOSFETLittelfuse柵極驅(qū)動(dòng)器 675 0

GaN在應(yīng)用太空工業(yè)中的應(yīng)用

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在新一代電力電子技術(shù)領(lǐng)域,氮化鎵(GaN)技術(shù)因其出色的抗輻射能力和卓越的電氣性能,已成為太空任務(wù)的革命性突破的關(guān)鍵。氮化鎵 (GaN) 技術(shù)已成為天基...

2024-02-26 標(biāo)簽:MOSFETGaN太空工業(yè) 674 0

NP2018DR(20v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)

NP2018DR(20v n溝道增強(qiáng)型MOSFET)

NP2018DR使用先進(jìn)的海溝技術(shù) 提供優(yōu)秀的RDS()、低門和收費(fèi) 操作門電壓2.5 v。這 設(shè)備適用于作為負(fù)荷開關(guān)或脈寬調(diào)制 應(yīng)用程序。

2022-07-12 標(biāo)簽:MOSFETMOS 673 0

安森美的EliteSiC碳化硅系列方案帶來領(lǐng)先業(yè)界的高能效

新的1700 V EliteSiC器件在能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可靠、高能效的工作 2023年1月4日?—?領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美...

2023-01-05 標(biāo)簽:MOSFETSiC 671 0

探索馬達(dá)驅(qū)動(dòng)科技的未來——愛美雅科技推出步進(jìn)/無刷馬達(dá)芯片ERD4001

隨著科技的飛速發(fā)展,馬達(dá)在各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。無論是玩具、冰箱、打印機(jī)還是白色商品,馬達(dá)都扮演著重要的角色。然而,為了實(shí)現(xiàn)更高效、更可靠的馬達(dá)控制...

2023-06-16 標(biāo)簽:MOSFET馬達(dá)驅(qū)動(dòng) 670 0

武漢芯源半導(dǎo)體2024慕尼黑上海電子展圓滿結(jié)束

在盛夏的七月,備受矚目的2024慕尼黑上海電子展(electronica China)在上海新國際博覽中心圓滿落下帷幕。作為電子行業(yè)的年度盛會(huì),本次展會(huì)...

2024-08-12 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體武漢芯源 669 0

符合Energy Star的新版本6.0介紹

符合Energy Star的新版本6.0介紹

ROHM正在擴(kuò)充AC/DC轉(zhuǎn)換器用IC的產(chǎn)品陣容。主要面向25W以下的應(yīng)用,比以往相同目的的IC設(shè)計(jì)更簡(jiǎn)單,并滿足近年來對(duì)AC/DC轉(zhuǎn)換器的需求事項(xiàng)的涵...

2023-02-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETIC 668 0

瑞能半導(dǎo)體2024慕尼黑上海電子展精彩回顧

日前,全球領(lǐng)先的國際化功率器件品牌瑞能半導(dǎo)體以“高效節(jié)能,奔赴零碳”為主題參展2024慕尼黑上海電子展(Electronica China 2024),...

2024-07-19 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅瑞能半導(dǎo)體 667 0

英飛凌EiceDRIVER? X3 Enhanced和X3 Compact柵極驅(qū)動(dòng)器系列推出增強(qiáng)型隔離產(chǎn)品

應(yīng)用廣泛的EiceDRIVER X3 Compact系列擁有5.5、10和14 A的驅(qū)動(dòng)電流等規(guī)格,及90 ns的優(yōu)化傳輸時(shí)延。

2021-06-10 標(biāo)簽:英飛凌MOSFETSiC 667 0

安森美專家深度解析:SiC業(yè)務(wù)高速增長的制勝策略

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SiC市場(chǎng)需求旺盛增長,對(duì)于供應(yīng)商而言,抓緊產(chǎn)能擴(kuò)充是重中之重。雖然市場(chǎng)足夠大,但競(jìng)爭(zhēng)依然存在。對(duì)于SiC技術(shù)、設(shè)計(jì)支持和解決方案等方面,供應(yīng)商也要體現(xiàn)...

2023-11-14 標(biāo)簽:MOSFET安森美SiC 667 0

簡(jiǎn)述碳化硅MOSFET尖峰的抑制 1

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SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。其中一個(gè)...

2023-02-10 標(biāo)簽:MOSFETSiC寬禁帶半導(dǎo)體 667 0

應(yīng)能微電子推出Load Switch APL0501系列

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在快速發(fā)展的智能穿戴、智能手寫筆等市場(chǎng),受限于產(chǎn)品的體積,及鋰電池的容量通常都比較?。?0mAh到500mAh)。為了更好的延長使用時(shí)間,需要利用電源分...

2023-04-07 標(biāo)簽:鋰電池芯片MOSFET 666 0

瑞薩電子推出P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體MOSFET系列μPA2812T1L

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瑞薩電子"今天宣布推出包含五款低功耗P通道功率金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET系列產(chǎn)品,包括用于筆記本電腦中鋰離子Li-ion二級(jí)電池的充電控制開...

2012-02-28 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體瑞薩電子 665 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    海思
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    數(shù)字隔離技術(shù)常用于工業(yè)網(wǎng)絡(luò)環(huán)境的現(xiàn)場(chǎng)總線、軍用電子系統(tǒng)和航空航天電子設(shè)備中,尤其是一些應(yīng)用環(huán)境比較惡劣的場(chǎng)合。數(shù)字隔離電路主要用于數(shù)字信號(hào)和開關(guān)量信號(hào)的傳輸。另一個(gè)重要原因是保護(hù)器件(或人)免受高電壓的危害。本文詳細(xì)介紹了數(shù)字隔離器工作原理及特點(diǎn),選型及應(yīng)用,各類數(shù)字隔離器件性能比較等內(nèi)容。
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    OBD
    +關(guān)注
    OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫,中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài),一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況,會(huì)馬上發(fā)出警示。
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