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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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Vishay新款20V MOSFET提高便攜式電子產(chǎn)品功率密度和可靠性
賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 3 月4 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VS...
Diodes芯片級雙向MOSFET節(jié)省空間有效提高鋰電池容量
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出雙向MOSFET DMN2023UCB4,提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護。
2015-02-02 標(biāo)簽:MOSFETDiodesDMN2023UCB4 1140 0
e絡(luò)盟攜手60家行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商為亞太區(qū)擴展分立元件產(chǎn)品系列
[中國 2015年1月28日] e絡(luò)盟日前宣布供應(yīng)來自全球60家行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商的分立元件產(chǎn)品,進一步豐富已超過2.6萬種分立元件的產(chǎn)品庫存,其中涵蓋Di...
Vishay發(fā)布11顆采用Gen II超級結(jié)技術(shù)的新款500V高壓MOSFET
賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 1 月22 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:V...
德州儀器推出NexFET N溝道功率MOSFET實現(xiàn)業(yè)界最低電阻
2015年1月22日,北京訊。日前,德州儀器 (TI) 推出其NexFET? 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET,其中包括具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻并采用...
2015-01-22 標(biāo)簽:MOSFETTICSD16570Q5B 3202 0
IR電池保護MOSFET系列為移動應(yīng)用提供靈活解決方案
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR)近日針對鋰離子電池保護應(yīng)用推出配備IR最...
中國上海,2014年11月20日–日本半導(dǎo)體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司宣布,東芝參加了于2014年11月16日至2...
IR針對工業(yè)應(yīng)用推出具有超低導(dǎo)通電阻的表面貼裝75V MOSFET
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國際整流器公司近日推出75V器件以擴充StrongIRFETMOSFET系列,適合多種工業(yè)應(yīng)用,包括電動工具、輕型電動...
安森美半導(dǎo)體推出能降低損耗的低壓功率MOSFET新系列
推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出新系列的6款N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),它們經(jīng)過設(shè)計及優(yōu)化,...
2014-05-21 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體APEX 1039 0
Vishay推出應(yīng)用在便攜電子中的最低導(dǎo)通電阻的新款MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用超小尺寸、熱增強PowerPAK? SC-70...
專有的 Optoplanar 封裝技術(shù)助力高級 2.5 A 輸出光電耦合器
該光電耦合器可實現(xiàn)快速開關(guān)驅(qū)動功率 IGBT 和 MOSFET ,同時提高系統(tǒng)效率,絕緣工作電壓額定值 (VIORM) 為 1,414 V,比競爭產(chǎn)品高...
Vishay發(fā)布寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動器 可用于高壓應(yīng)用領(lǐng)域
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出用于電機驅(qū)動、太陽能逆變器、新能源和焊接設(shè)備,以及...
飛兆推出空間節(jié)省型封裝和可優(yōu)化電能應(yīng)用的中壓MOSFET
許多終端應(yīng)用 – 比如IP電話、電機控制電路、有源鉗位開關(guān)和負(fù)載開關(guān) – 需要以更小的尺寸提供更高的能效,以便滿足制造商的要求。飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了FDMC...
2014-02-14 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET 1022 0
Vishay發(fā)布高性能非對稱雙片TrenchFET? MOSFET
Vishay發(fā)布采用PowerPAIR? 3mm x 3mm封裝,使用TrenchFET? Gen IV技術(shù)的新款30V非對稱雙片TrenchFET 功...
Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET
日前,Vishay宣布,推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP,擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MO...
Vishay的Si7655DN -20V P溝道MOSFET榮獲EDN China 2013創(chuàng)新獎之最佳產(chǎn)品獎
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其Si7655DN -20V P溝道Gen III功率...
Vishay推出業(yè)內(nèi)首款通過汽車電子元件標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101認(rèn)證的非對稱封裝雙芯片MOSFET
賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:...
移動電話滲透率在已開發(fā)市場達(dá)到了很高比例,而在世界上其他地區(qū)也不斷提高。根據(jù)GSMA的信息,先進的歐洲國家的移動用戶滲透率已經(jīng)超過90%。開發(fā)中市場的平...
2013-12-06 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體 749 0
Vishay推出業(yè)內(nèi)最小-20V P溝道Gen III MOSFET
賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 12 月5 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:V...
Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPA...
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