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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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Toshiba推車(chē)用低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
東芝公司(Toshiba Corporation)推出了一種低導(dǎo)通電阻功率MOSFET,該產(chǎn)品也成為其專(zhuān)為汽車(chē)應(yīng)用打造的TO-220SIS封裝系列中的最...
英飛凌市場(chǎng)部總監(jiān):智能電網(wǎng)只是“智能”還不夠!
受宏觀(guān)經(jīng)濟(jì)疲軟影響,2012年半導(dǎo)體市場(chǎng)總體呈現(xiàn)了不景氣。英飛凌科技電源管理與多元化市場(chǎng)部全球總監(jiān)Thomas Schmidt表示,2013年的半導(dǎo)...
2013-01-11 標(biāo)簽:英飛凌MOSFET智能電網(wǎng) 1218 0
東芝新穎IGBT/MOSFET門(mén)驅(qū)動(dòng)光電耦合器
東芝公司(Toshiba Corporation)(TOKYO:6502)今天宣布將推出采用DIP8封裝的IC耦合器,可直接驅(qū)動(dòng)中等容量的IGBT或功率...
提供更高效率 快捷半導(dǎo)體導(dǎo)入高壓SuperFET II MOSFET
快捷半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)透過(guò)導(dǎo)入600V N-通道SuperFET II MOSFET系列,以使用更小的電路板空...
2013-01-10 標(biāo)簽:MOSFET電源芯片快捷半導(dǎo)體 1096 0
Vishay發(fā)布率先采用PowerPAK SC-75和SC-70封裝的MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOS...
飛兆半導(dǎo)體推出Dual Cool封裝的MOSFET
飛兆半導(dǎo)體已擴(kuò)展和改進(jìn)了其采用Dual Cool封裝的產(chǎn)品組合,這種封裝屬于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)引腳排列封裝,帶有頂側(cè)冷卻,適用的產(chǎn)品中包括40-100V中壓產(chǎn)品系...
2013-01-08 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET電源芯片 1251 0
在這片文章里,我們給大家介紹最基本的功率器件MOSFET,對(duì)其進(jìn)行初步的解析和各種應(yīng)用介紹。
美信(Maxim)CMOS模擬開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)精華集錦
集成模擬開(kāi)關(guān)常常用作模擬信號(hào)與數(shù)字控制器的接口。當(dāng)今市場(chǎng)上的模擬開(kāi)關(guān)數(shù)量眾多,產(chǎn)品設(shè)計(jì)人員需要考慮多項(xiàng)性能標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)也有許多35年前開(kāi)發(fā)的標(biāo)準(zhǔn)CMOS開(kāi)...
2012-12-26 標(biāo)簽:CMOSMOSFET模擬開(kāi)關(guān) 1.5萬(wàn) 0
中科院宣布成功開(kāi)發(fā)22nm制程的MOSFET
中國(guó)科學(xué)院微電子研究所(IMECAS)宣布在22奈米 CMOS 制程上取得進(jìn)展,成功制造出高K金屬閘 MOSFET 。中科院指出,中國(guó)本土設(shè)計(jì)與制造的...
同步整流技術(shù)在通信電源模塊中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
現(xiàn)今電力電子技術(shù)在電源模塊中發(fā)展的趨勢(shì)是低電壓、大電流。使得在次級(jí)整流電路中選用同步整流技術(shù)成為一種高效、低損耗的方法。
飛兆半導(dǎo)體推出600V N-通道 SuperFET II MOSFET
高端AC-DC開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 應(yīng)用如伺服器、電信、計(jì)算及工業(yè)電源應(yīng)用需要高功率密度;為了取得成功,設(shè)計(jì)者需要具有成本效益的解決方案,從而佔(zhàn)用更小...
2012-12-17 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET電源芯片 1136 1
姆與大阪大學(xué)研究生院工學(xué)研究科助教細(xì)井卓治、京都大學(xué)研究生院工學(xué)研究科教授木本恒暢及東電電子合作試制出了新的SiC制MOSFET。特點(diǎn)是將透過(guò)柵極絕緣膜...
麥瑞半導(dǎo)體推出N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)器MIC5019
麥瑞半導(dǎo)體公司(Micrel Inc.)(納斯達(dá)克股票代碼:MCRL)今天推出了一款帶集成電荷泵的小型高邊MOSFET驅(qū)動(dòng)器MIC5019,該器件是為在...
2012-12-13 標(biāo)簽:MOSFET電源芯片麥瑞半導(dǎo)體 1643 0
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 近日推出具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(...
飛兆半導(dǎo)體推出型號(hào)為FDB9403的40V PowerTrench MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司新推出了40V 的N溝道PowerTrench MOSFET FDB9403,該產(chǎn)品可幫助設(shè)計(jì)人員在汽車(chē)動(dòng)力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計(jì)工程師需要能夠提...
2012-12-04 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET電源芯片 1099 0
MOSFET作為一種常用的功率器件,在電源的設(shè)計(jì)應(yīng)用中有著不可替代的地位,本文就影響MOSFET的一些因素進(jìn)行分析,給大家講述一下影響MOSFET的因素。
恩智浦推高整合LED驅(qū)動(dòng)器 應(yīng)對(duì)MOSFET缺貨
產(chǎn)業(yè)鏈上某一環(huán)缺少都將引起產(chǎn)業(yè)動(dòng)蕩,日前由于高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET)產(chǎn)能吃緊,LED照明系統(tǒng)商特別是恩智浦正在多方解決這一問(wèn)題,確...
Vishay推出最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在...
所謂功率半導(dǎo)體器件,以前也被稱(chēng)為電力電子器件,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),就是進(jìn)行功率處理的,具有處理高電壓,大電流能力的半導(dǎo)體器件。其電壓處理范圍從幾十V~幾千V,電流...
Microchip推出內(nèi)建MOSFET驅(qū)動(dòng)器的高電壓模擬降壓PWM控制器
Microchip Technology宣佈推出全新電源轉(zhuǎn)換控制器系列及其首個(gè)功率MOSFET元件系列。該系列的全新脈衝寬度調(diào)變(PWM)控制器和互補(bǔ)型...
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