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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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ROHM開發出安裝可靠性高的10種型號、3種封裝的車載Nch MOSFET
在汽車領域,隨著安全性和便捷性的提高,電子產品逐漸增加,使得所安裝的電子元器件數量也與日俱增,而且,為了提高燃油效率和降低電耗,還要求降低這些產品的功耗...
Nexperia(安世半導體)近日宣布推出一系列高性能柵極驅動器IC,可用于驅動同步降壓或半橋配置中的高邊和低邊N溝道MOSFET。這些驅動器包含車規級...
高壓MOSFET功率器件4A-500V N溝道MOSFET半導體提供平面條紋和DMOS技術
4A-500V N溝道功率器件MOSFET采用先進技術N溝道模式,提供平面條紋和DMOS技術。實現最低的導通電阻和卓越開關性能。4N50通常應用于開關電...
美浦森碳化硅二極管650V120V1700V 2A到 60A
美浦森半導體成立于2014年,總部位于深圳市南山區,在深圳,上海均設有研發中心。是一家集研發、設計、生產、銷售和服務為一體的完整型產業鏈公司,國家級高新...
羅徹斯特電子繼續與東芝電子元件及存儲裝置株式會社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporatio...
在開關應用中表現出色的NextPower 100V MOSFET
在許多開關應用中,設計人員面臨著平衡高效率和低尖峰電壓的挑戰,要達到該平衡,最顯而易見的方法是在電路板上使用額外的元器件,但這會增加成本和復雜性。
Nexperia榮獲2024年度全球電子成就獎之年度功率半導體產品獎
在2024年度全球電子成就獎的頒獎典禮上,安世半導體憑借其1200 V SiC(碳化硅)MOSFET在功率半導體領域的卓越表現,榮獲“年度功率半導體產品...
ACS AMI:通過襯底集成和器件封裝協同設計實現具有極低器件熱阻的氧化鎵MOSFETs
原創:Xoitec 異質集成XOI技術 來源:上海微系統所,集成電路材料實驗室,異質集成XOI課題組 1 工作簡介 超寬禁帶氧化鎵是實現超高壓、大功率、...
SCT1270、SCT1271高效同步升壓轉換器,完全集成了17mΩ高壓側MOSFET和14mΩ低壓側MOSFET,具有2.7V至12V的寬輸入電壓范圍...
SemiQ 1200V SiC MOSFET Module說明介紹
SiCMOSFET模塊是一種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導體器件,它結合了MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)的高效開關特性和SiC材料...
強茂車用產品目錄Q3,2024 PDF版本上線啰!內含AEC-Q101認證的分離式器件,為您的汽車應用提供可靠性及最佳性能。
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