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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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深入探索TK160F10N1L MOSFET:性能、優(yōu)勢及應(yīng)用
在當(dāng)今電子產(chǎn)品的發(fā)展中,功率半導(dǎo)體元件如MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor...
安建半導(dǎo)體持續(xù)擴充中高壓MOSFET產(chǎn)品平臺
安建半導(dǎo)體 (JSAB) 繼年初推出業(yè)界領(lǐng)先的150V SGT MOSFET 產(chǎn)品平臺,同年已將中高壓平臺擴充至120V 及200V,平臺沿用先進的技術(shù)...
2024-11-12 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動器安建半導(dǎo)體 341 0
近年來,隨著電動車滲透率的逐步提升,在各類汽車半導(dǎo)體產(chǎn)品中,功率半導(dǎo)體無疑是受益最大的領(lǐng)域;其高效能與低損耗特性,為電動車的續(xù)航提升與性能優(yōu)化提供了堅實...
2024-12-04 標(biāo)簽:MOSFETIGBT汽車產(chǎn)業(yè) 339 0
GaN FET如何實現(xiàn)下一代工業(yè)電源的應(yīng)用設(shè)計
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
具備出色穩(wěn)定性的CoolSiC? MOSFET M1H
引言 ? 過去幾年,實際應(yīng)用條件下的閾值電壓漂移(VGS(th))一直是SiC的關(guān)注重點。 ? 英飛凌率先發(fā)現(xiàn)了動態(tài)工作引起的長期應(yīng)力下VGS(th)的...
2024-01-22 標(biāo)簽:MOSFET 336 0
由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎晚會”將于2024年12月07日在深圳隆重舉辦。安森美(onsemi)憑借領(lǐng)先的功率器件入圍國際功率器件行...
高效率,全集成4-MOSFET 升降壓轉(zhuǎn)換器TMI5330
一周前迎來Apple發(fā)布新機iPhone16,該系列新機繼續(xù)秉承Qi2無線充電協(xié)議并且最高功率可達15W。而無線充為適應(yīng)市面紛繁復(fù)雜的充電器,在發(fā)射端的...
2024-10-08 標(biāo)簽:充電MOSFET升降壓轉(zhuǎn)換器 334 0
意法半導(dǎo)體發(fā)布第四代STPower硅碳化物MOSFET技術(shù)
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)近日推出了其第四代STPower硅碳化物(SiC)MOSFET技術(shù),標(biāo)志著在高效能和高功率密度領(lǐng)域的又...
AOS MOSFET并聯(lián)在高功率設(shè)計中的應(yīng)用
如今,由于對大電流和高功率應(yīng)用的需求不斷增加,單一的MOSFET已經(jīng)無法滿足整個系統(tǒng)的電流要求。在這種情況下,需要多個MOSFET并聯(lián)工作,以提供更高的...
芯力特推出40/60/80/100V車規(guī)級MOSFET產(chǎn)品
隨著新能源汽車市場的高速發(fā)展,現(xiàn)代汽車對舒適性和安全性的要求越來越高,汽車電子化的趨勢明顯。其中,小電機的數(shù)量增長顯著,而對于小電機的驅(qū)動方式,傳統(tǒng)的繼...
羅姆EcoSiC?技術(shù)應(yīng)用于科索3.5kW AC-DC電源單元HFA/HCA系列
全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商羅姆公司推出的EcoSiC?系列產(chǎn)品,包括SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(SBD),已被日本先進的電源制造商科索公司...
近年來,隨著碳化硅技術(shù)的不斷成熟,行業(yè)對碳化硅功率器件的應(yīng)用需求正日益趨向多樣化、集成化及輕量化。碳化硅功率器件具有極低的門極電荷與導(dǎo)通阻抗、極高的開關(guān)...
Qorvo借助SiC FET獨特優(yōu)勢,穩(wěn)固行業(yè)領(lǐng)先地位
在產(chǎn)品研發(fā)方面,2023年,Qorvo宣布采用具備業(yè)界最低RDS(on)(5.4mΩ)的TOLL封裝750V FET,這是任何其它功率半導(dǎo)體技術(shù)(如硅基...
SIC功率器件在新能源領(lǐng)域所發(fā)揮的作用都有哪些呢?
中國碳化硅行業(yè)是一個極具潛力的行業(yè),其涉及的產(chǎn)品多樣化,產(chǎn)業(yè)鏈深入,應(yīng)用領(lǐng)域廣泛,具有良好的市場發(fā)展前景。
仁懋MOSFET產(chǎn)品在TV電源領(lǐng)域的應(yīng)用
隨著科技的不斷進步,電視作為家庭娛樂的中心,其顯示技術(shù)也在不斷更新?lián)Q代。而背光照明系統(tǒng)作為電視顯示技術(shù)的重要組成部分,其性能直接影響著電視的顯示效果。本...
晶揚電子發(fā)布單通道負(fù)載開關(guān)芯片TL1304
晶揚電子近日推出一款超低電阻與快速上升時間單通道負(fù)載開關(guān)芯片—TL1304。該產(chǎn)品包含一個N通道的MOSFET,可以在0.8V至5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作...
2024-11-20 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)載開關(guān)開關(guān)芯片 313 0
WT5105集成非隔離式電源控制器,高雪崩能力功率MOSFET,內(nèi)部集成650 VMOSFET,用于外圍元 器件精簡的小功率非隔離開關(guān)電源。多模式輸出:...
新品第2代CoolSiCMOSFET400VCoolSiCMOSFET400VG2將高堅固性與超低開關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻結(jié)合在一起,同時改善了系統(tǒng)成本。40...
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