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標(biāo)簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
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為什么數(shù)據(jù)沒(méi)有保存,掉電就丟失了呢?因?yàn)槲覀兙庉嬑臋n等操作,都是在內(nèi)存中進(jìn)行的。內(nèi)存是揮發(fā)性介質(zhì),掉電...
電子存儲(chǔ)器迎來(lái)革新,RRAM和MRAM的優(yōu)勢(shì)是什么
在最近的一年,固態(tài)硬盤(pán)和內(nèi)存的漲勢(shì)卻是讓很多廠商都掙得盆滿缽滿的,就連美光也一反頹勢(shì),取得了相當(dāng)不錯(cuò)的成績(jī)。
內(nèi)存市場(chǎng)轉(zhuǎn)向成效浮現(xiàn) 三星、Intel促嵌入式MRAM普及
在內(nèi)存市場(chǎng),業(yè)界普遍認(rèn)為,在前沿SoC(片上系統(tǒng))和大規(guī)模微控制器(MCU)中的邏輯嵌入式非易失性存儲(chǔ)器的...
未來(lái)五年預(yù)計(jì)上漲40倍的MRAM,正在收割下一代非易失性存儲(chǔ)市場(chǎng)?
8月5日,在美國(guó)舉行的MRAM開(kāi)發(fā)者日活動(dòng)上,Yole Development分析師Simone Bertolazzi分享了MRAM技術(shù)和市場(chǎ...
2021國(guó)內(nèi)新能源汽車銷量近300萬(wàn)輛,同比增長(zhǎng)169.1%。近日,乘聯(lián)會(huì)現(xiàn)公布了 2021 年 12 月及全年銷...
人工智能與大數(shù)據(jù)對(duì)芯片的處理能力提出了越來(lái)越嚴(yán)苛的要求,芯片的運(yùn)算能力和存儲(chǔ)能力正在成為瓶頸,這也是各家半導(dǎo)體公司...
28nm節(jié)點(diǎn)可能是eFlash最后一個(gè)經(jīng)濟(jì)高效的節(jié)點(diǎn) 格芯欲用22FDXeMRAM技術(shù)取代
格芯的戰(zhàn)略是為快速增長(zhǎng)市場(chǎng)中的客戶提供高度差異化、高附加值的解決方案,而踐行這一承諾的實(shí)際成果就是我們的22nmFD-SOI(22FDX)嵌入式...
三星開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)MRAM記憶體,結(jié)合DRAM和NAND閃存特性
三星已將下一代嵌入式半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品MRAM納入生產(chǎn)制造范疇,并在韓國(guó)器興廠區(qū)率先進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)。MRA...
MRAM是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)(MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力...
MRAM芯片與目前常用的幾種計(jì)算機(jī)內(nèi)存SRAM、DRAM及閃存的性能比較
新千年信息怎樣儲(chǔ)存?又需要如何傳輸?MRAM芯片是磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。1989年巨磁阻現(xiàn)像的發(fā)現(xiàn)及隨后幾年巨磁阻材料的開(kāi)...
新興記憶體已初露曙光 長(zhǎng)期或影響DRAM、NAND閃存?
依據(jù)von Neumann架構(gòu),計(jì)算機(jī)中記憶體和控制單元是分離的,這也是目前計(jì)算機(jī)及相關(guān)的半導(dǎo)體零件制造的指導(dǎ...
初創(chuàng)公司發(fā)布可用于物聯(lián)網(wǎng)可穿戴設(shè)備為目標(biāo)市場(chǎng)的的MRAM微控制器
法國(guó)格勒諾布爾的一家創(chuàng)業(yè)公司發(fā)布了為以電池供電的物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴設(shè)備為目標(biāo)市場(chǎng)的基于MRAM微控制器...
2018-01-10 標(biāo)簽:微控制器物聯(lián)網(wǎng)mram 5782 0
殺手锏!臺(tái)積電開(kāi)發(fā)SOT-MRAM陣列芯片
臺(tái)積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展,成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線,并積累了大量?jī)?nèi)...
芯片晶粒在未來(lái)搭載愈來(lái)愈多晶體管可望成為趨勢(shì),讓芯片運(yùn)算能力達(dá)到人腦水平也可望有朝一日達(dá)成,對(duì)于這類新技術(shù)的發(f...
DRAM正轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方市場(chǎng) 是時(shí)候?qū)ふ业统杀镜腄RAM替代方案了
DRAM正轉(zhuǎn)變?yōu)橘u方市場(chǎng),也為DRAM廠商寫(xiě)下利潤(rùn)新高紀(jì)錄。就像石油危機(jī)一樣,在DRAM危機(jī)下,客...
MRAM存儲(chǔ)器在未來(lái)將得到更多的應(yīng)用
MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器,可與其他的NVM技術(shù)相媲美,如閃存,英特爾的Optane,以及FRAM和RRAM (圖1)。每種NVM都有自己的優(yōu)缺點(d...
長(zhǎng)久以來(lái),我們這些缺乏耐性的人,一直期待著所有消費(fèi)電子產(chǎn)品的開(kāi)機(jī)時(shí)間能盡量縮短,愈快愈好。剛剛才打入消費(fè...
2012-04-22 標(biāo)簽:SSD固態(tài)硬盤(pán)拆解 4976 0
MRAM的嵌入式和獨(dú)立式存儲(chǔ)器會(huì)開(kāi)始分流
幾乎所有的新興存儲(chǔ)器出道時(shí)都宣稱與CMOS工藝兼容,意思是可以做邏輯工藝的嵌入式存儲(chǔ)器。
隨著越來(lái)越多具成本效益的應(yīng)用選擇磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM),不僅為其帶來(lái)了成長(zhǎng)動(dòng)能,業(yè)界生態(tài)系...
嵌入式存儲(chǔ)器是邏輯工藝中不可或缺的一環(huán),過(guò)去卻往往讓人忽略。但是邏輯工藝推進(jìn)日益艱辛,嵌入式存儲(chǔ)器工藝推進(jìn)的難處全浮上臺(tái)面...
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