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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
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Globalfoundries提供eMRAM 計劃在2020年實現多個流片
Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技術,該公司正在與幾個客戶合作,計劃在2020年實現多個流片。
來源:半導體行業觀察 位于加利福尼亞州弗里蒙特的MRAM初創公司Spin Memory表示,它已經開發出一種晶體管,可以大大縮小MRAM和電阻性RAM的...
MRAM(磁性RAM)是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術
MRAM(磁性RAM)是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(MRAM設備是Spintronics設備)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力,能夠將存儲存...
Everspin公司生產的MRAM用于數據持久性和應用的市場和應用。Everspin MRAM應用在數據中心和云存儲、汽車和運輸市場。MRAM是一種利用...
存儲產業中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態隨機存取存儲(SRAM)的快速、快閃存儲的高密度以及如同唯讀存儲(ROM)般低成本等各種優勢的非揮發性存儲...
存儲器的歷史始于1984年,彼時 Masuoka 教授發明了 NAND Flash(NAND 閃存)。1989年,東芝首款 NAND Flash 上市。...
磁性隨機存儲器(MRAM)是一種基于自旋電子學的新型信息存儲器件,其核心結構由一個磁性隧道結和一個訪問晶體管構成。MTJ 呈現“三明治”結構,兩層磁性固...
Everspin MRAM內存技術是如何工作的? Everspin MRAM與標準CMOS處理集成 Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁...
格芯表示要做MRAM領域的領導者 以推動潛在的新計算架構等新技術發展
2018年8月份AMD宣布將7nm CPU訂單全都交給臺積電,雙方的合作關系這兩年非常密切。與之相比,AMD的前女友GF公司現在與X86 CPU代工漸行...
一些自旋電子存儲器已經面世。MRAM(磁性隨機存儲器)已經商業化,在某些情況下可以取代電子存儲器,但它是基于鐵磁開關的。
Everspin器件是一個40MHz/50MHz MRAM,工作于2.7V-3.6V,標稱Vdd=3.3V,而SPI FRAM具有更寬的工作電壓范圍(1...
在所有常年興起的記憶中,MRAM似乎最有可能瀕臨大規模,廣泛采用。這是否會很快發生取決于制造的進步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術的生態系統。 MRA...
目前主流的MRAM利用巨磁阻效應( GMR)和磁性隧道結(MTJ))的隧穿電阻效應來進行存儲。以MTJ為例,其元胞結構包括自由層、隧道層和固定層3個層面...
非易失性MRAM芯片組件通常在半導體晶圓廠的后端工藝生產,下面英尚微電子介紹關于MRAM關鍵工藝步驟包括哪幾個方面. (1)底部電極的形成(參考圖1):...
2020-04-07 標簽:MRAM 1778 0
在所有常年興起的記憶中,MRAM似乎最有可能瀕臨大規模,廣泛采用。這是否會很快發生取決于制造的進步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術的生態系統。 MRA...
STT-MRAM非易失性隨機存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節訪問的工作,也可以像ROM/Flash一樣非揮發性,保留時間長的存儲。...
臺積電和ITRI成功研發SOT-MRAM,功耗僅為STT-MRAM的百分之一
鑒于AI、5G新時代的到來以及自動駕駛、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用對更高效率、穩定性和更低功耗的內存的需求愈發緊迫,如磁阻式隨機存取內存(MRAM...
ReRAM 代工工藝由臺積電、華邦和 Globalfoundries 提供支持,ReRAM 由瑞薩(通過收購 Adesto)、富士通、Microchip...
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