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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
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“持久性存儲器”通常是指駐留在存儲器總線上的高性能、字節可尋址、非易失性存儲器設備。MRAM(磁性只讀存儲器)和FRAM(鐵電RAM)都聲稱具有相似的性...
對于存儲器而言,重要的技術指標無非就是速度、是否為非易失性、功耗、成本、體積、壽命等。已經有很多種類的產品做出了各種各樣的努力,但是始終只能偏重某一方面...
eMRAM屬于新型存儲技術,同目前占據市場主流的NAND閃存相比較,其具有更快的存取速度和更高的耐用性,在邊緣設備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯...
隨著半導體工藝技術的不斷進步,芯片工藝制程的不斷演進和成本的不斷降低,半導體芯片廣泛應用在物聯網、個人終端、汽車電子、可穿戴設備、工業互聯網等各個領域。...
ST-MRAM有潛力成為領先的存儲技術,因為它是一種高性能存儲器(可以挑戰DRAM和SRAM),可擴展至10nm以下,并挑戰了閃存的低成本。STT代表旋...
在今年即將于美國加州舉行的國際電子組件會議(IEDM)上,來自三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究團隊...
MRAM即磁阻式隨機訪問存儲器的簡稱。經過10多年不間斷的研發,全球第一款正式量產并供貨的MRAM芯片型號為MR2A16A,它采用44腳的TSOP封裝,...
MRAM像SRAM一樣是快速寫入的,而像Flash一樣也是非易失性的,但是不需要頁面擦除或長寫入周期。事件數據可以以總線速度保存到MRAM,并且即使意外...
Everspin MRAM是面向數據持久性和完整性、低延遲和安全性至關重要的市場和應用的翹楚。MR20H40CDF是位寬512Kx8的非易失性存儲器MR...
英特爾及三星推出了嵌入式MRAM在邏輯芯片制造工藝中的新技術
MRAM (Magnetic Random Access Memory,磁阻式隨機存取存儲),是一種非易失性存儲技術,從 1990 年代開始發展。此技術...
Everspin專注于制造MRAM和STT-MRAM的翹楚,其市場和應用領域涉及數據持久性和完整性,低延遲和安全性至關重要。為云存儲,能源,工業,汽車和...
新式存儲器技術隊伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM,受惠技術、材料、設備等環節的關鍵突破,正邁向大規模量產的路上,眼前我們正處于見證存儲器歷史的轉折...
MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起,同時始終保持非易失性...
MRAM是一種磁性多層膜的堆棧結構,在這當中最為關鍵的三層,上下兩層為磁性層(一為參考層,一為自由層),中間則為絕緣層。早前的MRAM的磁性層的磁化方向...
切換(或場驅動)MRAM包括大部分的獨立MRAM設備。然而切換MRAM的規模不足以取代大多數其他記憶。STT-MRAM產品將擴展到更高的密度,需要更低的...
在工研院即將進入歡慶40周年院慶之際,工研院電光所的研究團隊所開發出來的“垂直式自旋磁性內存技術”榮獲杰出研究金牌獎,此技術乍看之下并不顯眼,但該內存技...
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