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標簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
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醫療設備專用MR25H40-4Mb SPI串行接口MRAM的應用
Everspin MR25H40-4Mb SPI串行接口MRAM適用于醫療設備中的非易失存儲器,例如在醫用呼吸中,4Mb (MR25H40)的MRAM可...
STT-MRAM它具有SPl總線接口、XIP(就地執行)功能和基于硬件/軟件的數據保護機制。SPl(串行外圍接口)是一個帶有命令、地址和數據信號的同步串...
亙存科技成立于2019年,是一家以mram技術為中心,致力于設計、開發和銷售相關產品的Fabless企業。總公司設在深圳,在上海、蘇州等地設有r&...
MR4A16B是一個16,777,216位磁阻隨機存取存儲器(MRAM)設備,組織為1,048,576個16位字。 MR4A16B提供SRAM兼容的35...
MRAM可能是非易失性存儲技術的下一個大事件。該技術利用了磁性材料的相對極性和電阻之間的關系。本質上,當兩個磁鐵靠近時,它們的電阻會發生變化,這取決于它...
自旋傳遞扭矩RAM(STT-MRAM)有著出色的可擴展性和耐用性
自旋傳遞扭矩RAM(STT-MRAM)它結合了非易失性,出色的可擴展性和耐用性以及較低的功耗和快速的讀寫功能。 自旋傳遞轉矩(STT)寫入是一種通過對齊...
MRAM與傳統的隨機存儲器的區別在于MRAM的信息攜帶者是磁性隧道結(MTJ ),而后者則是電荷。 每一個磁性隧道結包含一個固定層和一個自由層。固定層的...
?Everspin MRAM MR25H40VDF相比富士通FRAM MB85RS4MT的優勢
Everspin是設計制造MRAM到市場和應用的翹楚,在這些市場和應用中,數據持久性和完整性,低延遲和安全性是至關重要。MR25H40VDF是一個419...
非易失性是指MRAM單元在關斷電源后仍可保持完整記億,功能雖與閃存類同,但本質各異。 閃存的非易失性不是閃存的固有屬性,而是靠兩個閃存反相器交叉耦合組成...
MRAM是一種利用電子自旋來存儲信息的存儲技術。MRAM具有成為通用存儲器的潛力,能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度相結合,同時具有非易失性和節能性...
高密度MRAM作為新興內存的潛力取代DRAM和閃存等現有設備,通常使它已經成功取代Toggle MRAM形式的成熟技術的陰影。 對于Everspin而言...
MR10Q010是理想的存儲器解決方案,適用于必須使用少量引腳、低功耗和24引腳BGA或16引腳SOIC封裝快速存儲和檢索數據和程序的應用。Quad S...
MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起,同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射,可以在極端溫度...
2020-04-08 標簽:MRAM 1026 0
新型的存儲器既具有RAM的優點,又有非失易失性特征,同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數有限等缺點。 FRAM的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊材料使...
在 MRAM 這類內存寫入時,組件的穿隧氧化層會承受的龐大電壓,使得數據的保存、寫入耐久性,以及寫入速度三者往往不可兼得,必須有所權衡。這意味著即使ST...
Everspin并行輸入/輸出MRAM產品的簡單異步靜態隨機存取存儲器標準JEDEC接口和QSPI/SPI接口使設計易于實現,無需額外的組件或生態系統支...
瑞薩電子公司日前宣布,該公司已開發出用于嵌入式自旋轉移矩磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)的電路技術,以下簡稱MRAM)具有快速讀寫操作的測試芯片。
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