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MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory）是一種非易失性（Non-Volatile）的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。

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MRAM芯片相比于其它存儲器的優(yōu)勢是什么

對于存儲器而言，重要的技術指標無非就是速度、是否為非易失性、功耗、成本、體積、壽命等。已經(jīng)有很多種類的產(chǎn)品做出了各種各樣的努力，但是始終只能偏重某一方面...

2020-10-30 標簽：存儲器 MRAM 1423 0

FRAM存儲器技術和標準的CMOS制造工藝相互兼容

新型的存儲器既具有RAM的優(yōu)點，又有非失易失性特征，同時克服了非易失性寫入速度慢且寫入次數(shù)有限等缺點。 FRAM的核心技術是鐵電晶體材料。這一特殊材料使...

2020-10-30 標簽：fram MRAM 1023 0

MRAM是一種全新的技術，它將有望改變PC的應用方式

內(nèi)存技術在幾十年的發(fā)展過程中性能提高了不少，但并沒有實質(zhì)性的改變。因為這些內(nèi)存產(chǎn)品都是基于動態(tài)隨機訪問存儲器DRAM的，一旦沒有持續(xù)的電力，所存儲的數(shù)據(jù)...

2020-10-27 標簽：存儲器 MRAM 691 0

MRAM擁有著廣泛的應用領域，它的優(yōu)異性能是什么

非易失性是指MRAM單元在關斷電源后仍可保持完整記億，功能雖與閃存類同，但本質(zhì)各異。閃存的非易失性不是閃存的固有屬性，而是靠兩個閃存反相器交叉耦合組成...

2020-10-26 標簽：存儲器 MRAM 1051 0

MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器，其原理是怎樣的

MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有SRAM的高速讀取寫入能力，以及DRAM的高集成度，基本上可以無限次地重復寫入。專注于代理銷售MRAM芯片...

2020-10-21 標簽：存儲器 MRAM 1964 0

Rick Gottscho博士：下一代芯片在堆疊、微縮和檢驗方面的挑戰(zhàn)

泛林集團首席技術官Rick Gottscho博士接受了行業(yè)媒體Semiconductor Engineering （SE）的專訪。

2020-10-12 標簽：存儲技術機器學習 EUV 748 0

為嵌入式MRAM選擇合適的內(nèi)存測試和修復解決方案

嵌入式內(nèi)存測試和修復的挑戰(zhàn)是眾所周知的，包括最大程度地擴大故障覆蓋范圍以防止測試失敗以及使用備用元件來最大程度地提高制造良率。隨著有前途的非易失性存儲器...

2020-10-14 標簽：存儲器 MRAM 744 0

通用選擇器可有效解決行錘干擾的DRAM問題

一種稱為Universal Selector的新創(chuàng)新技術，它將顯著提高現(xiàn)有和新興存儲技術（包括MRAM，DRAM和ReRAM）的功能，因為它將提供一種新...

2020-10-14 標簽：DRAM 存儲器 MRAM 473 0

記憶存儲MRAM可保持精度并有效降低功耗

盡管具有規(guī)模經(jīng)濟性，但其他類型的存儲器仍具有AI應用程序的未來可能性。 MRAM通過受外加電壓控制的磁體的方向存儲數(shù)據(jù)的每一位。如果電壓低于翻轉(zhuǎn)位所需的...

2020-10-09 標簽：存儲器 MRAM 520 0

?Everspin MRAM MR25H40VDF相比富士通FRAM MB85RS4MT的優(yōu)勢

Everspin是設計制造MRAM到市場和應用的翹楚，在這些市場和應用中，數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性是至關重要。MR25H40VDF是一個419...

2020-10-09 標簽：fram MRAM 1058 1

MRAM的讀取寫入操作

高密度MRAM具有非常低的功率，高的讀取速度，非常高的數(shù)據(jù)保留能力和耐久性，適用于廣泛的應用。單元面積僅為0.0456平方微米，讀取速度為10ns，讀取...

2020-09-19 標簽：數(shù)據(jù)寫入讀出 MRAM 讀取 4211 0

Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲

Everspin MRAM存儲芯片如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲的解決方案。首先STT-MRAM作為異常掉電數(shù)據(jù)緩存...

2020-09-19 標簽：MRAM everspin stt_mram 2976 0

MRAM具有一些獨特的功能可能導致MRAM替換現(xiàn)有的內(nèi)存

在所有常年興起的記憶中，MRAM似乎最有可能瀕臨大規(guī)模，廣泛采用。這是否會很快發(fā)生取決于制造的進步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術的生態(tài)系統(tǒng)。 MRA...

2020-09-19 標簽：MRAM reram 1618 0

SPI-MRAM如何替換SPI-FRAM

Everspin器件是一個40MHz/50MHz MRAM，工作于2.7V-3.6V，標稱Vdd=3.3V，而SPI FRAM具有更寬的工作電壓范圍（1...

2020-09-19 標簽：MRAM everspin 1878 0

Everspin MRAM內(nèi)存技術是如何工作的及其特點

Everspin MRAM內(nèi)存技術是如何工作的？ Everspin MRAM與標準CMOS處理集成 Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁...

2020-09-19 標簽：MRAM everspin 2053 0

串行MRAM MR25H256

MR25H256是一個串行MRAM，具有使用串行外圍設備接口的芯片選擇（CS），串行輸入（SI），串行輸出（SO）和串行時鐘（SCK）的四針接口在邏輯上...

2020-09-19 標簽：mcu LDO)MRAM 3193 0

淺談非易失性MRAM在汽車領域中的應用分析

Everspin是設計制造和商業(yè)銷售MRAMSTT-MRAM的全球領導者，其市場和應用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關重要。Everspin在...

2020-09-18 標簽：汽車電子 MRAM 863 0

非易失性MRAM關鍵特性，它的功能特色是什么

經(jīng)過超過八年的MRAM研發(fā)，Everspin MR2A16A是第一款4Mbit MRAM商業(yè)設備。該器件采用256K x 16位配置（圖1），并具有異步...

2020-09-21 標簽：芯片 MRAM 482 0

MRAM比較適用于具有簡歷播放功能的娛樂應用程序

磁阻RAM（MRAM）是一種非易失性存儲技術，可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應用。基于MRAM...

2020-09-15 標簽：存儲器 MRAM 795 0

MRAM芯片與目前常用的幾種計算機內(nèi)存SRAM、DRAM及閃存的性能比較

新千年信息怎樣儲存?又需要如何傳輸?MRAM芯片是磁阻隨機存取存儲器。1989年巨磁阻現(xiàn)像的發(fā)現(xiàn)及隨后幾年巨磁阻材料的開發(fā),直至巨磁阻磁頭GMR的制成與...

2020-09-07 標簽：DRAM 存儲器 sram 5782 0

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　　Vivado設計套件，是FPGA廠商賽靈思公司2012年發(fā)布的集成設計環(huán)境。包括高度集成的設計環(huán)境和新一代從系統(tǒng)到IC級的工具，這些均建立在共享的可擴展數(shù)據(jù)模型和通用調(diào)試環(huán)境基礎上。
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全志科技是領先的智能應用處理器SoC和智能模擬芯片設計廠商。公司主要產(chǎn)品為多核智能終端應用處理器、智能電源管理芯片等。憑借卓越的研發(fā)團隊及技術實力，全志科技在超高清視頻編解碼、高性能CPU/GPU多核整合、先進工藝的高集成度、超低功耗等方面處于業(yè)界領先水平，是全球平板電腦、高清視頻、移動互聯(lián)網(wǎng)設備以及智能電源管理等市場領域的主流供應商之一。公司總部設于中國珠海。
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