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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
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在今年即將于美國加州舉行的國際電子元件會議(IEDM)上,來自三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究團隊...
SoC有基于應用程序的內存。這些存儲器是用于計算的半導體存儲器塊。半導體存儲器通常是指在單個硅片上制造的金屬氧化物半導體存儲器單元。內存類型包括: 易失...
?Everspin和Globalfoundries將其MRAM協議擴展到12nm工藝
MRAM是基于電子自旋而不是電荷的下一代存儲技術。MRAM通常被稱為存儲器的圣杯,具有快速,高密度和非易失性的特點,可以在單個芯片中替代當今使用的所有類...
新興的記憶已經存在了數十年。盡管有些人已經發現嵌入式技術在商業上取得了一定程度的成功,但它們也落后于離散存儲器的高性價比替代方案。盡管具有更高的性能,耐...
近日,浙江馳拓科技有限公司在杭州成功舉辦了B輪融資簽約大會。此次大會標志著公司獲得了誠通混改基金、誠通國調基金、國調科改基金、國新綜改基金、浙江金控、湖...
MRAM是一種非易失性存儲技術,可以在不需要電源的情況下將其內容保留至少10年。它適用于在系統崩潰期間需要保存數據的商業應用。基于MRAM的設備可以為“...
MRAM芯片MR4A16BMA35是一款適用于自動化控制器的存儲器芯片
Everspin了解客戶在工業市場中對長期數據保留和極端溫度支持等功能在通常惡劣的工業環境中非常重要。該技術的固有耐用性通過避免使用其他非易失性存儲器技...
上海矽朋微電子怎么樣?MRAM榮獲“中國半導體市場年度最佳產品獎”
? — 芯紐帶?新未來?—7月20日,由江蘇省工業和信息化廳、南京江北新區管理委員會主辦,江蘇省半導體行業協會、南京江北新區產業技術創研園、南京浦口經濟...
太空應用中多功能性工業級Everspin 4Mbit MRAM
Everspin的合作伙伴CAES他們共同開發的Toggle MRAM在太空應用中的多功能性和性能。CAES是太空存儲器市場的翹楚,并基于Everspi...
在2019全球閃存峰會上,Everspin作為MRAM存儲芯片供應商分享如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構建未來的云存儲的解決方案。 首...
最初的MRAM都是用微電磁線圈產生電磁場,使自由層的磁矩方向反轉來進行0、1數據的讀寫。這種復雜的結構大大地制約了MRAM存貯單元的微型化進程,因此當時...
Everspin在磁存儲器設計,制造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產權產...
Everspin是設計制造和商業銷售MRAMSTT-MRAM的全球領導者,其市場和應用涉及數據持久性和完整性,低延遲和安全性至關重要。Everspin在...
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