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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
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來源:半導體行業觀察 位于加利福尼亞州弗里蒙特的MRAM初創公司Spin Memory表示,它已經開發出一種晶體管,可以大大縮小MRAM和電阻性RAM的...
Everspin是設計制造MRAM、STT-MRAM的翹楚,其市場和應用涉及數據持久性和完整性,低延遲和安全性至關重要。 在磁存儲器設計,制造和交付給相...
MRAM實現了SPIEEPROM和SPIFlash組件通用的命令子集
Everspin是設計,制造和商業銷售分立磁阻RAM(MRAM)到市場和應用的全球領導者,在這些市場和應用中,數據持久性和完整性,低延遲和安全性至關重要...
Everspin主要是設計制造和商業銷售MRAM和STT-MRAM的領先者,其市場和應用領域涉及數據持久性和完整性,低延遲和安全性至關重要。Eversp...
MRAM(磁性RAM)是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術
MRAM(磁性RAM)是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(MRAM設備是Spintronics設備)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力,能夠將存儲存...
Everspin公司在磁存儲器設計制造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。Everspin擁有超過600多項有效專利和申請的知識產...
隨著有希望的非易失性存儲器架構的可用性不斷增加,以增加并潛在地替代傳統的易失性存儲器,新的SoC級存儲器測試和修復挑戰正在出現。通過將自旋轉移扭矩MRA...
在所有常年興起的記憶中,MRAM似乎最有可能瀕臨大規模,廣泛采用。這是否會很快發生取決于制造的進步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術的生態系統。 MRA...
高密度MRAM作為新興內存的潛力取代DRAM和閃存等現有設備,通常使它已經成功取代Toggle MRAM形式的成熟技術的陰影。 對于Everspin而言...
MRAM等新興的非易失存儲器將成為實現內存計算架構的關鍵技術之一
第一代MRAM是toggle MRAM,采取磁場寫入數據的方式,其特點是容易設計制造,缺點在于尺寸大,難以微縮。
Everspin專注于制造MRAM和STT-MRAM的翹楚,其市場和應用領域涉及數據持久性和完整性,低延遲和安全性至關重要。為云存儲,能源,工業,汽車和...
在2019全球閃存峰會上,Everspin作為MRAM存儲芯片供應商分享如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構建未來的云存儲的解決方案。 首...
新式存儲器技術隊伍包括MRAM、PCRAM和ReRAM,受惠技術、材料、設備等環節的關鍵突破,正邁向大規模量產的路上,眼前我們正處于見證存儲器歷史的轉折...
切換(或場驅動)MRAM包括大部分的獨立MRAM設備。然而切換MRAM的規模不足以取代大多數其他記憶。STT-MRAM產品將擴展到更高的密度,需要更低的...
醫療設備專用MR25H40-4Mb SPI串行接口MRAM的應用
Everspin MR25H40-4Mb SPI串行接口MRAM適用于醫療設備中的非易失存儲器,例如在醫用呼吸中,4Mb (MR25H40)的MRAM可...
Everspin并行輸入/輸出MRAM產品的簡單異步靜態隨機存取存儲器標準JEDEC接口和QSPI/SPI接口使設計易于實現,無需額外的組件或生態系統支...
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