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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
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磁阻式隨機存儲器MRAM是一種新型存儲器,其優點有讀取速度快和集成度高及非揮發性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM運用于計算機存儲系統中。同時非易失...
Everspin是專業研發生產MRAM、STT-MRAM等半導體領先供應商,在包括40nm,28nm及更高的技術節點在內的先進技術節點上進行了全包交鑰匙...
磁阻RAM(MRAM)是一種非易失性存儲技術,可以在不需要電源的情況下將其內容保留至少10年。它適用于在系統崩潰期間需要保存數據的商業應用。基于MRAM...
Everspin與GlobalFoundries有著悠久的合作歷史,而且十多年來,通過不斷改進,對其工廠進行微調優化。能迅速積累并將這些經驗傳授給Glo...
對于長期處于困境的MRAM行業來說,自旋注人方式可以說是一項能夠扭轉危機的革新技術。 MRAM轟轟烈烈地問世。但此后,MRAM在工藝發展和大容量方面并沒...
EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋轉移扭矩MRAM(STT-MRAM)是非易失性存儲器,在DDR3速度下具有非揮發性和高耐久性。該...
Rick Gottscho博士:下一代芯片在堆疊、微縮和檢驗方面的挑戰
泛林集團首席技術官Rick Gottscho博士接受了行業媒體Semiconductor Engineering (SE)的專訪。
Everspin Technologies,Inc是設計制造MRAMSTT-MRAM的翹楚,其市場和應用領域涉及數據持久性和可靠性。完整性,低延遲和安全...
Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片,組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序,續航時間無限...
三星半導體宣布,通過結構創新,實現了基于MRAM(磁阻式隨機存取存儲)的存儲內運算(In-Memory Computing),進一步拓展了三星下世代低功...
MRAM是電池儲備電源SRAM(BBSRAM)理想的替代產品。Everspin MRAM高速非易失性存儲器,使用壽命幾乎無限。所具有的綜合性能是任何其他...
Everspin科技有限公司是全球領先的設計, 制造嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋轉移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的生產商,自從Ev...
內存技術在幾十年的發展過程中性能提高了不少,但并沒有實質性的改變。因為這些內存產品都是基于動態隨機訪問存儲器DRAM的,一旦沒有持續的電力,所存儲的數據...
Everspin Technologies,Inc是設計制造MRAM和STT-MRAM的全球領導者其市場和應用領域涉及數據持久性和完整性,低延遲和安全性...
MRAM是一種新型的非易失性存儲器技術,與傳統的存儲器技術相比,MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。
北京時間8月3日早間消息,三星周二宣布,他們已收購MRAM(磁性隨機存儲器)芯片開發商Grandis。具體協議條款尚未披露。
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