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標簽 > mram
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
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太空應用中多功能性工業級Everspin 4Mbit MRAM
Everspin的合作伙伴CAES他們共同開發的Toggle MRAM在太空應用中的多功能性和性能。CAES是太空存儲器市場的翹楚,并基于Everspi...
MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度結合在一起,同時始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射,可以在極端溫度...
2020-04-08 標簽:MRAM 1021 0
Everspin在磁存儲器設計,制造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業中是獨一無二的。Everspin擁有超過600項有效專利和申請的知識產權產...
MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(MRAM設備是Spintronics設備)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠將存儲存儲器的密度與S...
MRAM技術是以可沉積在標準邏輯制程上的磁性隧道結 (MTJ)儲存單元為基礎,MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層,和一個通過隧道結與其隔離的自由...
Everspin是專業研發生產MRAM、STT-MRAM等半導體領先供應商,在包括40nm,28nm及更高的技術節點在內的先進技術節點上進行了全包交鑰匙...
eMRAM屬于新型存儲技術,同目前占據市場主流的NAND閃存相比較,其具有更快的存取速度和更高的耐用性,在邊緣設備中具有替代NAND閃存和部分SRAM芯...
非易失性MRAM芯片組件通常在半導體晶圓廠的后端工藝生產,下面英尚微電子介紹關于MRAM關鍵工藝步驟包括哪幾個方面. (1)底部電極的形成(參考圖1):...
2020-04-07 標簽:MRAM 1768 0
ST-MRAM有潛力成為領先的存儲技術,因為它是一種高性能存儲器(可以挑戰DRAM和SRAM),可擴展至10nm以下,并挑戰了閃存的低成本。STT代表旋...
?Everspin和Globalfoundries將其MRAM協議擴展到12nm工藝
MRAM是基于電子自旋而不是電荷的下一代存儲技術。MRAM通常被稱為存儲器的圣杯,具有快速,高密度和非易失性的特點,可以在單個芯片中替代當今使用的所有類...
在不久的將來,我們將看到嵌入式STT-MRAM (eMRAM)出現在諸如物聯網(IoT)、微控制器(MCU)、汽車、邊緣運算和人工智能(AI)等應用中。...
2020-03-25 標簽:MRAM 567 0
Everspin與GlobalFoundries有著悠久的合作歷史,而且十多年來,通過不斷改進,對其工廠進行微調優化。能迅速積累并將這些經驗傳授給Glo...
格芯表示要做MRAM領域的領導者 以推動潛在的新計算架構等新技術發展
2018年8月份AMD宣布將7nm CPU訂單全都交給臺積電,雙方的合作關系這兩年非常密切。與之相比,AMD的前女友GF公司現在與X86 CPU代工漸行...
Globalfoundries提供eMRAM 計劃在2020年實現多個流片
Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM技術,該公司正在與幾個客戶合作,計劃在2020年實現多個流片。
臺工業技術研究院10日于美國舉辦的國際電子元件會議(IEDM)中發表鐵電存儲器(FRAM)、磁阻隨機存取存儲器(MRAM)等6篇技術論文。其中,從研究成...
在最近的一年,固態硬盤和內存的漲勢卻是讓很多廠商都掙得盆滿缽滿的,就連美光也一反頹勢,取得了相當不錯的成績。
28nm節點可能是eFlash最后一個經濟高效的節點 格芯欲用22FDXeMRAM技術取代
格芯的戰略是為快速增長市場中的客戶提供高度差異化、高附加值的解決方案,而踐行這一承諾的實際成果就是我們的22nmFD-SOI(22FDX)嵌入式MRAM...
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