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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
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在美國舉行的“MRAM開發者日”活動上,Yole Development分析師Simone Bertolazzi分享了MRAM技術和市場的最新趨勢。
未來五年預計上漲40倍的MRAM,正在收割下一代非易失性存儲市場?
8月5日,在美國舉行的MRAM開發者日活動上,Yole Development分析師Simone Bertolazzi分享了MRAM技術和市場的最新趨勢...
人工智能與大數據對芯片的處理能力提出了越來越嚴苛的要求,芯片的運算能力和存儲能力正在成為瓶頸,這也是各家半導體公司競相開發新的硬件平臺、計算架構與設計路...
據報道,近日,三星宣布已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產線上,開始大規模生產和商業運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。
依據von Neumann架構,計算機中記憶體和控制單元是分離的,這也是目前計算機及相關的半導體零件制造的指導方針。但是在目前海量資料的處理與儲存上,這...
在內存市場,業界普遍認為,在前沿SoC(片上系統)和大規模微控制器(MCU)中的邏輯嵌入式非易失性存儲器的開發可謂非常活躍。到目前為止,處理器內核的程序...
三星開始大規模生產MRAM記憶體,結合DRAM和NAND閃存特性
三星已將下一代嵌入式半導體存儲器產品MRAM納入生產制造范疇,并在韓國器興廠區率先進入大規模生產。MRAM號稱是次世代記憶體,是繼半導體存儲器DRAM和...
MRAM是一種非易失性存儲器,可與其他的NVM技術相媲美,如閃存,英特爾的Optane,以及FRAM和RRAM (圖1)。每種NVM都有自己的優缺點。雖...
在第 64 屆國際電子器件會議 (IEDM) 上,全球兩大半導體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術。
英特爾及三星推出了嵌入式MRAM在邏輯芯片制造工藝中的新技術
MRAM (Magnetic Random Access Memory,磁阻式隨機存取存儲),是一種非易失性存儲技術,從 1990 年代開始發展。此技術...
嵌入式存儲器是邏輯工藝中不可或缺的一環,過去卻往往讓人忽略。但是邏輯工藝推進日益艱辛,嵌入式存儲器工藝推進的難處全浮上臺面。
據臺灣經濟日報最新消息,聯電(2303)與下一代ST-MRAM(自旋轉移力矩磁阻RAM)領導者美商Avalanche共同宣布,合作技術開發MRAM及相關...
eMRAM下半年要量產了。有趣的是這些即將要量產eMRAM的代工大廠中,其MRAM技術或多或少是購并或授權而來的。
隨著越來越多具成本效益的應用選擇磁阻隨機存取內存(MRAM),不僅為其帶來了成長動能,業界生態系統也開始支持這一新興內存選擇。
為什么數據沒有保存,掉電就丟失了呢?因為我們編輯文檔等操作,都是在內存中進行的。內存是揮發性介質,掉電后數據就丟失。而硬盤是非揮發性介質,數據一旦保存,...
DRAM正轉變為賣方市場 是時候尋找低成本的DRAM替代方案了
DRAM正轉變為賣方市場,也為DRAM廠商寫下利潤新高紀錄。就像石油危機一樣,在DRAM危機下,客戶必須為DRAM付出更多代價。現在正是尋找低成本替代方...
初創公司發布可用于物聯網可穿戴設備為目標市場的的MRAM微控制器
法國格勒諾布爾的一家創業公司發布了為以電池供電的物聯網和可穿戴設備為目標市場的基于MRAM微控制器。
芯片晶粒在未來搭載愈來愈多晶體管可望成為趨勢,讓芯片運算能力達到人腦水平也可望有朝一日達成,對于這類新技術的發展,在芯片上以及在多層堆疊芯片之間打造先進...
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