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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復寫入。
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由于智能電表必須不斷記錄數據,因此需要高耐久性的內存。另外,OTA功能的加入,使得內存的高效寫入速度更加關鍵。MRAM的應用是最理想的存儲器,它能滿足智...
Everspin MRAM加強了RIM智能電表的即時非易失性
今天介紹Everspin的MR25H40非易失性存儲器MRAM如何在RIM的三相智能電表中提供強大的系統存儲優勢。 Everspin的4Mbit MR2...
盡管具有規模經濟性,但其他類型的存儲器仍具有AI應用程序的未來可能性。 MRAM通過受外加電壓控制的磁體的方向存儲數據的每一位。如果電壓低于翻轉位所需的...
MRAM在數據記錄應用中,數據記錄是如下持續、反復地將重要數據保存于設備的過程。可以記錄系統內外部發生的事件;使用歷史;環境參數 ;機器狀態;用于分析目...
Everspin非易失性MRAM-MR0D08BMA45R的特征
MR0D08BMA45R是一款雙電源1Mbit的磁阻隨機存取存儲器(MRAM)器件。支持+1.6~+3.6V的I/O電壓。提供SRAM兼容的45ns讀/...
嵌入式閃存及其對應的離片NOR閃存,在非易失性內存領域(即用于持久性或長期數據存儲)多年來占據著標準地位。然而,隨著工藝技術尺寸縮小至28nm以下,這些...
MRAM是一種以電阻為存儲方式結合非易失性及隨機訪問兩種特性,可以兼做內存和硬盤的新型存儲介質。寫入速度可達NAND閃存的數千倍,此外...
Netsol的MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對于需要使用最少數量的引腳來快速存儲、檢索數據和程序的應用程序而言,是最為理想的存儲器。適用于工...
MRAM是一種非易失性存儲技術,可以在不需要電源的情況下將其內容保留至少10年。它適用于在系統崩潰期間需要保存數據的商業應用。基于MRA...
其數據始終是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于簡化系統設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續...
一種稱為Universal Selector的新創新技術,它將顯著提高現有和新興存儲技術(包括MRAM,DRAM和ReRAM)的功能,因為它將提供一種新...
nvSRAM使用傳統的捕獲電荷技術進行非易失性存儲。由于溫度和過多的寫入周期會導致數據損耗,因此數據可能會泄漏。
Everspin半導體為環境苛刻的應用,如軍事、航空航天、工業和汽車系統等提供非易失性存儲技術。Angstrom Aerospace在其磁力計子系統中使...
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