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標(biāo)簽 > nand flash
Nand-flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種,其內(nèi)部采用非線(xiàn)性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。
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存儲(chǔ)器國(guó)家隊(duì)豪言:2020年追上世界領(lǐng)先技術(shù)
楊士寧透露,長(zhǎng)江存儲(chǔ) 32 層 3D NAND Flash 發(fā)展順利,產(chǎn)品指標(biāo)也良好,預(yù)計(jì)將在 2019 年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能滿(mǎn)載。甚至豪言,要在 2019 年與...
2017-01-17 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器NAND Flash長(zhǎng)江存儲(chǔ) 845 0
汽車(chē)、消費(fèi)電子等需求強(qiáng)勁 NAND Flash將缺貨一整年
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成表示,今年NAND Flash產(chǎn)業(yè)的供需十分緊張,需求端包括手機(jī)、電腦、服務(wù)器、車(chē)用、消費(fèi)性電子領(lǐng)域的應(yīng)用都很強(qiáng)烈,估計(jì)...
2017-01-17 標(biāo)簽:芯片NAND Flash 714 0
去年全球半導(dǎo)體資本支出成長(zhǎng)5.1%,研調(diào)機(jī)構(gòu)顧能 (Gartner)預(yù)估,今年半導(dǎo)體資本支出將逼近700億美元, 將較去年再成長(zhǎng)2.9%。
2017-01-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓代工NAND Flash 595 0
紫光打造國(guó)家級(jí)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)艦隊(duì)
大陸打造上中下游一條鞭的半導(dǎo)體航空母艦的輪廓看似越來(lái)越清晰,但其實(shí)格局越拉越大,劇情超展開(kāi),且紫光集團(tuán)在當(dāng)中扮演的角色越來(lái)越重要,更是提供滿(mǎn)滿(mǎn)大平臺(tái),吸...
2017-01-11 標(biāo)簽:DRAM晶圓代工NAND Flash 685 0
DRAM/NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模2017年將創(chuàng)新高
在2015、2016連續(xù)兩年下跌后,DRAM和NAND Flash內(nèi)存平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASP)正穩(wěn)健走揚(yáng),研究機(jī)構(gòu)IC Insights認(rèn)為,此將有助推升...
2017-01-06 標(biāo)簽:DRAMNAND Flash 2061 0
紫光3D儲(chǔ)存型快閃記憶體武漢動(dòng)工 總投資超240億美元
中國(guó)紫光集團(tuán)宣布,投入快閃記憶體戰(zhàn)場(chǎng),在武漢興建全球規(guī)模最大廠(chǎng)房,總投資金額超過(guò)240億美元,引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó):“我們?cè)谖錆h投資兩百...
2017-01-03 標(biāo)簽:NAND Flash快閃記憶體紫光集團(tuán) 1171 0
紫光興建全球最大3D儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器廠(chǎng) 軍備競(jìng)賽再起
中國(guó)紫光集團(tuán)宣布,投入快閃存儲(chǔ)器戰(zhàn)場(chǎng),在武漢興建全球規(guī)模最大廠(chǎng)房,總投資金額超過(guò)240億美元,引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。
2017-01-03 標(biāo)簽:NAND Flash快閃存儲(chǔ)器紫光 942 0
不止三星和海力士,韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面面觀(guān)
根據(jù)2016年第三季度的統(tǒng)計(jì),三星電子在DRAM存儲(chǔ)器領(lǐng)域已拿下半壁江山,達(dá)到驚人的50.2%,而另一家韓國(guó)大廠(chǎng)SK海力士則占了24.8%的市場(chǎng)份額。...
中韓NAND Flash軍備競(jìng)賽再起 2018年或供過(guò)于求
儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)軍備競(jìng)賽再起,南韓存儲(chǔ)器大廠(chǎng)SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元),在南韓及大陸兩地增加存儲(chǔ)器產(chǎn)能;...
2016-12-26 標(biāo)簽:NAND Flash3D NAND 660 0
2017年NAND產(chǎn)能成長(zhǎng)有限、價(jià)格走揚(yáng)
017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%,隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND,2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。
2016-12-23 標(biāo)簽:NANDNAND Flash3D-NAND 758 0
高階制程、3D NAND Flash推升12寸晶圓代工產(chǎn)能需求
全球包括高階制程、3D NAND Flash及大陸半導(dǎo)體業(yè)者對(duì)于12寸晶圓代工產(chǎn)能需求大增,導(dǎo)致硅晶圓供應(yīng)缺口持續(xù)擴(kuò)大,近期全球三大硅晶圓廠(chǎng)信越(Shi...
2016-12-21 標(biāo)簽:晶圓代工NAND Flash 1194 0
NAND Flash持續(xù)缺貨 SSD/eMMC漲價(jià)將超10%
根據(jù)TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新研究顯示,受惠于強(qiáng)勁的智能型手機(jī)出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的...
2016-12-16 標(biāo)簽:SSDNAND Flash 781 0
NAND Flash缺貨達(dá)巔峰 明年Q1 SSD價(jià)格漲幅將超10%
DRAMeXchange最新研究顯示,受惠于強(qiáng)勁的智能手機(jī)出貨、eMMC/eMCP平均搭載容量提升及SSD的穩(wěn)健成長(zhǎng),第四季NAND Flash缺貨情況...
2016-12-13 標(biāo)簽:SSDNAND Flash 619 0
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,在華亞科入并美光,外界關(guān)注陸廠(chǎng)是否可能與美光合作,美光CEO德肯(Mark Durcan)認(rèn)為,在DRAM的部分,依照現(xiàn)況并不那么可行,...
2016-12-13 標(biāo)簽:美光NAND Flash 547 0
智能手機(jī)需求強(qiáng)勁 第三季NAND Flash供應(yīng)商營(yíng)收增長(zhǎng)兩成
TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,受惠于智能型手機(jī)需求強(qiáng)勁,及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND 所導(dǎo)致...
2016-12-08 標(biāo)簽:SSDNAND Flash 706 0
2016年筆記本電腦SSD搭載率將超30% SSD價(jià)格持續(xù)看漲
整體而言SSD的性?xún)r(jià)比已超過(guò)傳統(tǒng)硬盤(pán),刺激出強(qiáng)勁的客戶(hù)需求,使得無(wú)論是商務(wù)或消費(fèi)型筆電的SSD搭載率,在今年下半年的提升速度皆?xún)?yōu)于預(yù)期。
2016-12-05 標(biāo)簽:筆記本電腦SSDNAND Flash 1171 0
NAND Flash缺貨 存儲(chǔ)器成為三星的搖錢(qián)樹(shù)
根據(jù)DIGITIMES的報(bào)導(dǎo),NAND Flash缺貨,加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇,缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計(jì)2017年DRA...
2016-12-01 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器NAND Flash 813 0
中國(guó)存儲(chǔ)鐵三角逐步成形 急建廠(chǎng)力拼2018量產(chǎn)
存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)在歷經(jīng)價(jià)格血戰(zhàn)成了三強(qiáng)鼎立的寡占市場(chǎng),中國(guó)在市場(chǎng)、國(guó)安考量力求在存儲(chǔ)有所突圍,原先的紫光、武漢新芯從各自進(jìn)擊到合體發(fā)展,另外兩組勢(shì)力在聯(lián)電、中芯...
2016-11-15 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)NAND Flash 961 0
英特爾牽手大連市政府生產(chǎn)Nand flash芯片
英特爾投資 55 億美元轉(zhuǎn)型建造的大連 NAND Flash 廠(chǎng)房已完工,并于 25 日正式投產(chǎn)。報(bào)導(dǎo)指稱(chēng),位于遼寧省大連市金普新區(qū)的該廠(chǎng)區(qū),為全球首座...
2016-08-17 標(biāo)簽:Nand flash 1079 0
三星電子(Samsung Electronics)與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲(chǔ)器自旋傳輸(Spin Transfer Torque)磁性存...
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