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標(biāo)簽 > nand
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)設(shè)備,在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品,NAND被證明極具吸引力。
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東芯半導(dǎo)體榮獲2025中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)之年度最佳存儲(chǔ)器
2025年是IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)舉辦的第23年,一路伴隨和見證產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)與發(fā)展,是中國(guó)電子業(yè)界最重要的技術(shù...
2025-03-31 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)器IC設(shè)計(jì) 272 0
SK海力士已完成收購(gòu)英特爾NAND業(yè)務(wù)部門的第二(最終)階段交易
3 月 28 日消息,根據(jù) SK 海力士向韓國(guó)金融監(jiān)管機(jī)構(gòu) FSS 披露的文件,該企業(yè)已在當(dāng)?shù)貢r(shí)間今日完成了收購...
存儲(chǔ)技術(shù)探秘 NAND Flash vs NOR Flash:藏在芯片里的"門道之爭(zhēng)"
門電路玄機(jī) NOR Flash:Intel 1988 年革命性突破,終結(jié) EPROM/EEPROM 壟斷時(shí)代 NAND Flash:東芝 1989 年發(fā)...
2025-03-18 標(biāo)簽:芯片NAND存儲(chǔ)技術(shù) 182 0
從eMMC到NAND,嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)的軟件優(yōu)化策略
在嵌入式系統(tǒng)開發(fā)領(lǐng)域,存儲(chǔ)器作為信息交互的核心載體,其技術(shù)特性直接影響著系統(tǒng)性能與穩(wěn)定性。然而,有些人在面對(duì)Linu...
鎧俠與閃迪發(fā)布下一代3D閃存技術(shù),實(shí)現(xiàn)4.8Gb/s NAND接口速度
兩家公司預(yù)展第十代3D閃存技術(shù),為性能、能效和位密度設(shè)立新標(biāo)準(zhǔn)舊金山,國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)——鎧俠株式會(h...
NAND閃存價(jià)格預(yù)測(cè):2025年將呈V型走勢(shì)
市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce近日對(duì)2025年NAND閃存價(jià)格走勢(shì)進(jìn)行了預(yù)測(cè),預(yù)計(jì)全年價(ji...
DDR4內(nèi)存價(jià)格下跌,NAND閃存減產(chǎn)效果未顯
TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格趨勢(shì)報(bào)告顯示,DRAM和NAND閃存市場(chǎng)近期呈現(xiàn)出不同的態(tà...
DRAM與NAND閃存市場(chǎng)低迷,DRAM現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)下滑
近日,據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報(bào)告指出,DRAM內(nèi)存與NAND閃存市場(chǎng)近期均呈現(xiàn...
西部數(shù)據(jù)正式通知減產(chǎn)15%以縮減庫(kù)存
近日,據(jù)外媒報(bào)道,全球NAND Flash存儲(chǔ)市場(chǎng)中的一大重要參與者——西部數(shù)據(jù),已經(jīng)正式向其客戶發(fā)出了減產(chǎn)...
2025-02-06 標(biāo)簽:NAND存儲(chǔ)西部數(shù)據(jù) 322 0
根據(jù)知名研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦(TrendForce)最新發(fā)布的研究報(bào)告,NAND Flash產(chǎn)業(yè)預(yù)計(jì)在2025年將持...
SK海力士計(jì)劃減產(chǎn)NAND Flash存儲(chǔ)器以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)下滑
近日,據(jù)韓媒最新報(bào)道,全球NAND Flash存儲(chǔ)器市場(chǎng)正面臨供過于求的嚴(yán)峻挑戰(zhàn),導(dǎo)致價(jià)格連續(xù)四個(gè)月...
近日,三星電子已做出決定,將減少其位于中國(guó)西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這一舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前,全球NAND閃存...
韓廠首傳減產(chǎn)消息,NAND Flash市場(chǎng)迎供需平衡預(yù)期
近期,NAND Flash市場(chǎng)再次迎來重要變動(dòng)。據(jù)媒體報(bào)道,繼鎧俠、美光相繼宣布減產(chǎn)后,市場(chǎng)又傳出三星、SK海力士?jī)纱箜n廠...
TrendForce預(yù)測(cè)2025年Q1 NAND Flash價(jià)格將大幅下跌
近日,知名市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce發(fā)布預(yù)測(cè)報(bào)告指出,2025年第一季度,NAND Flash市場(chǎng)將面臨前所未有的...
美光調(diào)整NAND晶圓生產(chǎn)策略應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求放緩
近日,根據(jù)美光方面發(fā)布的2025財(cái)年第一財(cái)季財(cái)報(bào)電話會(huì)議文稿,公司高管在會(huì)上確認(rèn)了針對(duì)當(dāng)前閃...
前言 作為一名電子專業(yè)的學(xué)生,半導(dǎo)體存儲(chǔ)顯然是繞不過去的一個(gè)坎,今天聊一聊關(guān)于Nand Flash的一些小知識(shí)。 這里十分感謝深圳雷...
鎧俠計(jì)劃12月減產(chǎn),或助NAND Flash價(jià)格反轉(zhuǎn)
存儲(chǔ)大廠鎧俠近日宣布,計(jì)劃在2024年12月實(shí)施減產(chǎn)措施。此舉旨在應(yīng)對(duì)當(dāng)前NAND Flash市場(chǎng)的嚴(yán)...
近日,據(jù)相關(guān)報(bào)道,三星電子在3D NAND閃存生產(chǎn)領(lǐng)域取得了重要技術(shù)突破,成功大幅減少了光刻工藝中光刻膠的使用量。 據(jù)悉,三星已...
江波龍?jiān)诖鎯?chǔ)芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域取得了顯著成果,自研SLC NAND Flash累計(jì)出貨量已突破1億顆。公司充分發(fā)揮芯片設(shè)計(jì)...
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