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MCU制程工藝邁進(jìn)28nm時(shí)代,汽車行業(yè)的創(chuàng)新之路
瑞薩日前宣布,公司已基于STT-MRAM的電路技術(shù)開發(fā)出具有快速讀寫能力的測(cè)試芯片。該MCU 測(cè)試芯片采用 22 納米工藝制造,包括一個(gè) 10.8Mbi...
Autosar(Automotive Open System Architecture)是一種用于汽車電子系統(tǒng)開發(fā)的開放式架構(gòu)標(biāo)準(zhǔn),旨在提供一種用于構(gòu)建...
簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。按照電源在關(guān)斷后數(shù)據(jù)是否依舊被保存的方式區(qū)分,存儲(chǔ)器可分為非易失性存儲(chǔ)器 (Non-volatile Memory,NVM)和...
混合NVM/DRAM平臺(tái)上的內(nèi)存帶寬調(diào)節(jié)策略
隨著相變存儲(chǔ)器 (PCM)、STT-MRAM、憶阻器和英特爾的 3D-XPoint 等技術(shù)的快速發(fā)展,高速的、可字節(jié)尋址的新興 NVM 的產(chǎn)品逐漸涌現(xiàn)于市場(chǎng)中
eFuse基于一個(gè)簡(jiǎn)單概念,即通過測(cè)量已知電阻器上的電壓來檢測(cè)電流,然后在電流超過設(shè)計(jì)限值時(shí),通過場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 切斷電流。
2023-11-01 標(biāo)簽:FET場(chǎng)效應(yīng)晶體管NVM 2.7萬 0
目前支持AI推理的最低成本處理解決方案是用于物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)的現(xiàn)成單芯片微控制器。這種芯片將通用CPU、SRAM和IO功能與非易失性存儲(chǔ)器(NVM)相結(jié)合。然...
2023-09-29 標(biāo)簽:cpu物聯(lián)網(wǎng)AI 927 0
存儲(chǔ)協(xié)議棧的Error流轉(zhuǎn)過程分析
前言 前面的文章我們?cè)敿?xì)分析了NvM,F(xiàn)ee,F(xiàn)ls模塊以及NvM User和NvM的交互,對(duì)AUTOSAR架構(gòu)下的存儲(chǔ)協(xié)議棧應(yīng)該有了一個(gè)比較深入的了解...
NVM,即Non-Volatile Memory,非易失性存儲(chǔ)器。
2023-08-29 標(biāo)簽:FlaSh嵌入式系統(tǒng)ROM 7565 0
聊聊如何實(shí)現(xiàn)一種閃存緩存設(shè)計(jì)
許多web服務(wù)需要對(duì)數(shù)十億個(gè)小對(duì)象實(shí)現(xiàn)快速訪問,而每個(gè)小對(duì)象只有幾百個(gè)字節(jié)。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)同時(shí)考慮實(shí)際生產(chǎn)效益,緩存系統(tǒng)必須做到同時(shí)低成本,大容量與高性能。
2023-08-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器DRAM芯片NVM 746 0
NVM Block連續(xù)寫及Default Value問題分析
NVM這塊還只停留在按需求配置階段,遇到問題不能深入分析。本系列文章將從遇到的問題或者提出的疑問著手,一起來更深入學(xué)習(xí)AUTOSAR架構(gòu)下的存儲(chǔ)協(xié)議棧。
AutoSAR Dem配置項(xiàng)基礎(chǔ)知識(shí)梳理
Dem負(fù)責(zé)DTC的處理,包括凍結(jié)幀、擴(kuò)展數(shù)據(jù)、運(yùn)行循環(huán)、debounce策略等。
2023-07-24 標(biāo)簽:RAM計(jì)數(shù)器AUTOSAR 7824 0
【芒果派MangoPi MQ Quad】nodejs環(huán)境部署和emqx環(huán)境部署
nvm是node版本管理工具,可以運(yùn)行在多種操作系統(tǒng)上。NVM就是用來管理多個(gè)不同版本的nodejs的工具
很多人都覺得AUTOSAR的Memory很復(fù)雜,搞了很久都摸不透里面的原理策略。
在項(xiàng)目開發(fā)過程中,使用到vue框架技術(shù),需要安裝node下載項(xiàng)目依賴,但經(jīng)常會(huì)遇到node版本不匹配而導(dǎo)致無法正常下載,重新安裝node卻又很麻煩。為解...
NVM測(cè)試要求發(fā)生演變,泰克4200A一體化測(cè)試解決方案集中進(jìn)行表征
理想的內(nèi)存應(yīng)兼具動(dòng)態(tài)內(nèi)存和非易失性內(nèi)存的特點(diǎn):成本越來越低,密度越來越高;快速讀/寫,類似于或快于現(xiàn)有的DRAM速度
2020-11-17 標(biāo)簽:示波器NVM內(nèi)存技術(shù) 1145 0
RRAM基于雙穩(wěn)態(tài)電阻轉(zhuǎn)換的阻性存儲(chǔ)器(RRAM)作為集動(dòng)態(tài)/靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器和浮柵存儲(chǔ)器功能為一體的通用存儲(chǔ)器,是NAND技術(shù)后的下一代非易失性存儲(chǔ)(N...
2020-11-04 標(biāo)簽:存儲(chǔ)技術(shù)NVM 3345 0
非易失性存儲(chǔ)器 (NVM) 在幾乎所有嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中都起著關(guān)鍵作用,但許多設(shè)計(jì)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)寫入和訪問速度、數(shù)據(jù)保留、低功耗等方面的要求越來越...
2019-07-29 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器NVM輔助駕駛系統(tǒng) 1695 0
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