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標(biāo)簽 > nvm
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eFuse基于一個簡單概念,即通過測量已知電阻器上的電壓來檢測電流,然后在電流超過設(shè)計限值時,通過場效應(yīng)晶體管 (FET) 切斷電流。
2023-11-01 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管NVM 2.7萬 0
NVM,即Non-Volatile Memory,非易失性存儲器。
2023-08-29 標(biāo)簽:FlaSh嵌入式系統(tǒng)ROM 7564 0
大型廠商的產(chǎn)品導(dǎo)入、存儲級內(nèi)存(SCM)的新興應(yīng)用以及五大邏輯代工廠的涉足將推動非易失性存儲市場的增長。 新興非易失性存儲(NON-VOLATILE M...
NVM Block連續(xù)寫及Default Value問題分析
NVM這塊還只停留在按需求配置階段,遇到問題不能深入分析。本系列文章將從遇到的問題或者提出的疑問著手,一起來更深入學(xué)習(xí)AUTOSAR架構(gòu)下的存儲協(xié)議棧。
Spansion:第七代電荷捕獲技術(shù)MirrorBit的演進(jìn)
對部分人來說,電荷捕獲(CT)技術(shù)聽起來好像是新發(fā)明,但其實早在1967年H.A.R Wegner就在IEDM(國際電子器件大會)的技術(shù)文摘上首次介紹了...
RRAM基于雙穩(wěn)態(tài)電阻轉(zhuǎn)換的阻性存儲器(RRAM)作為集動態(tài)/靜態(tài)隨機(jī)存儲器和浮柵存儲器功能為一體的通用存儲器,是NAND技術(shù)后的下一代非易失性存儲(N...
很多人都覺得AUTOSAR的Memory很復(fù)雜,搞了很久都摸不透里面的原理策略。
MCU制程工藝邁進(jìn)28nm時代,汽車行業(yè)的創(chuàng)新之路
瑞薩日前宣布,公司已基于STT-MRAM的電路技術(shù)開發(fā)出具有快速讀寫能力的測試芯片。該MCU 測試芯片采用 22 納米工藝制造,包括一個 10.8Mbi...
Autosar(Automotive Open System Architecture)是一種用于汽車電子系統(tǒng)開發(fā)的開放式架構(gòu)標(biāo)準(zhǔn),旨在提供一種用于構(gòu)建...
非易失性存儲器 (NVM) 在幾乎所有嵌入式系統(tǒng)設(shè)計中都起著關(guān)鍵作用,但許多設(shè)計對非易失性存儲器在數(shù)據(jù)寫入和訪問速度、數(shù)據(jù)保留、低功耗等方面的要求越來越...
2019-07-29 標(biāo)簽:存儲器NVM輔助駕駛系統(tǒng) 1695 0
混合NVM/DRAM平臺上的內(nèi)存帶寬調(diào)節(jié)策略
隨著相變存儲器 (PCM)、STT-MRAM、憶阻器和英特爾的 3D-XPoint 等技術(shù)的快速發(fā)展,高速的、可字節(jié)尋址的新興 NVM 的產(chǎn)品逐漸涌現(xiàn)于市場中
前言 前面的文章我們詳細(xì)分析了NvM,F(xiàn)ee,F(xiàn)ls模塊以及NvM User和NvM的交互,對AUTOSAR架構(gòu)下的存儲協(xié)議棧應(yīng)該有了一個比較深入的了解...
【芒果派MangoPi MQ Quad】nodejs環(huán)境部署和emqx環(huán)境部署
nvm是node版本管理工具,可以運(yùn)行在多種操作系統(tǒng)上。NVM就是用來管理多個不同版本的nodejs的工具
NVM測試要求發(fā)生演變,泰克4200A一體化測試解決方案集中進(jìn)行表征
理想的內(nèi)存應(yīng)兼具動態(tài)內(nèi)存和非易失性內(nèi)存的特點(diǎn):成本越來越低,密度越來越高;快速讀/寫,類似于或快于現(xiàn)有的DRAM速度
2020-11-17 標(biāo)簽:示波器NVM內(nèi)存技術(shù) 1145 0
半導(dǎo)體存儲器用于數(shù)據(jù)存儲。按照電源在關(guān)斷后數(shù)據(jù)是否依舊被保存的方式區(qū)分,存儲器可分為非易失性存儲器 (Non-volatile Memory,NVM)和...
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