NMOS和PMOS的導(dǎo)通特性

項(xiàng)目中最常用的為增強(qiáng)型mos管，分為N溝道和P溝道兩種。由于NMOS其導(dǎo)通電阻小，且容易制造所以項(xiàng)目中大部分

2018-09-23 標(biāo)簽：MOS管N溝道p溝道 6.5萬 0

MOS管的正確用法

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的...

2019-07-08 標(biāo)簽：MOS管電極p溝道 4.7萬 0

N溝道MOS管和P溝道MOS管的區(qū)別

　　金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之...

2023-02-23 標(biāo)簽：MOS管晶體管N溝道 3.3萬 0

n溝道m(xù)os管和p溝道m(xù)os管詳解

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為...

2023-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOSN溝道 2.1萬 0

耗盡型MOS管的結(jié)構(gòu)及工作原理

在SiO2絕緣層中摻入大量正離子，那么即使Ugs=0,在正離子作用下，P襯底的表面會(huì)有電子匯聚，也會(huì)形成反型層，造成漏-源之間存在導(dǎo)電溝道。

2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS管MOS 1.9萬 0

P溝道MOSFET的基本概念及主要類型

MOSFET是一種三端、電壓控制、高輸入阻抗和單極器件，是不同電子電路中必不可少的元件。一般來說，這些器件根據(jù)其默認(rèn)狀態(tài)下是否有相應(yīng)的通道，分為增強(qiáng)型M...

2022-09-23 標(biāo)簽：MOSFETp溝道 1.8萬 0

N溝道和P溝道怎么區(qū)分

場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型，場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為N...

2023-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管N溝道 1.2萬 0

MOS管的種類、結(jié)構(gòu)及導(dǎo)通特性詳解

一般情況下，普遍用于高端驅(qū)動(dòng)的MOS，導(dǎo)通時(shí)需要是柵極電壓大于源極電壓，而高端驅(qū)動(dòng)的MOS管導(dǎo)通時(shí)源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時(shí)柵極電壓要比...

2023-08-02 標(biāo)簽：MOSFETMOS管晶體管 9723 0

N溝道型和P溝道型MOSFET的導(dǎo)通條件

從事于電子電路設(shè)計(jì)的朋友們應(yīng)該都知道，MOSFET是十分常見的一種電子元器件。

2023-02-21 標(biāo)簽：MOSFETN溝道電子電路 9508 0

N溝道和P溝道MOSFET的開關(guān)電路講解

　　MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(Field Effect Transistor場(chǎng)...

2023-02-27 標(biāo)簽：開關(guān)電路MOSFET晶體管 9111 0

如何使用P/N溝道MOSFET構(gòu)建通用全橋或H橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的...

2023-04-29 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)電路N溝道 8883 0

MOSFET的定義及種類 N溝道和P溝道MOSFET的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路講解

　　MOSFET是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect T...

2023-02-27 標(biāo)簽：MOSFET晶體管N溝道 4356 0

由RC電路和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管組成的延時(shí)關(guān)機(jī)電路講解

下圖是一個(gè)由 RC 電路和 P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管組成的延時(shí)關(guān)機(jī)電路。

2023-02-15 標(biāo)簽：電容場(chǎng)效應(yīng)管RC電路 4035 0

寄生二極管的作用和方向判斷方法

mos管本身自帶有寄生二極管，作用是防止VDD過壓的情況下，燒壞mos管，因?yàn)樵谶^壓對(duì)MOS管造成破壞之前，二極管先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免...

2023-02-24 標(biāo)簽：二極管MOS管N溝道 3986 0

四種類型的MOSFET的主要區(qū)別

MOSFET （Metal -Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的...

2023-11-07 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體晶體管 2932 0

MOS管的開關(guān)作用

如下圖所示：當(dāng)PQ27控制腳G為低電平時(shí)，PQ27截止，此時(shí)PQ26的控制腳G為高電平，PQ26導(dǎo)通。

2023-02-24 標(biāo)簽：二極管MOS管N溝道 2204 0