pmos

+關(guān)注4人關(guān)注

PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)（MOS）晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，源極上加有足夠的正電壓（柵極接地）時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。

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pmos技術(shù)

NMOS與PMOS經(jīng)典電源開(kāi)關(guān)電路的深入解析

NMOS低邊開(kāi)關(guān)電路切換的是對(duì)地的導(dǎo)通，PMOS作為高邊開(kāi)關(guān)電路切換的是對(duì)電源的導(dǎo)通。

2024-04-10 標(biāo)簽：NMOS 電源開(kāi)關(guān)PMOS 7594 0

電源開(kāi)關(guān)電路-NMOS和PMOS區(qū)別

NMOS和PMOS都是MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管的重要類型，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)和功能上有一些關(guān)鍵的區(qū)別。

2024-04-09 標(biāo)簽：NMOS 電源開(kāi)關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管 8936 0

常見(jiàn)的PMOS開(kāi)關(guān)電路問(wèn)題分析

當(dāng)控制信號(hào)PWR_EN為高時(shí)，三極管Q1導(dǎo)通，R2下端等于接GND。由于R1和R2的分壓作用，MOS管M1的Vgs會(huì)有壓差Vgs=-Vin*R1/(R ...

2024-04-07 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電路濾波電容波形 3173 0

PMOS LDO線性穩(wěn)壓器內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖

當(dāng)輸出電壓增大時(shí)，F(xiàn)B增大，放大器輸出電壓增加，PMOS管的G極電壓增大，Usg減小，PMOS的輸出電流和電壓較小，形成了一個(gè)負(fù)反饋系統(tǒng)。

2024-03-27 標(biāo)簽：穩(wěn)壓器 ldo 電壓源 1424 0

構(gòu)建完整的超低功耗精密高邊電流檢測(cè)電路的理想選擇！

精密微安級(jí)高邊電流測(cè)量需要一個(gè)小阻值檢測(cè)電阻和一個(gè)低失調(diào)電壓的放大器。

2024-03-14 標(biāo)簽：放大器 MOSFET PMOS 1108 0

合科泰推出一款采用SOT-23封裝的P溝道MOS管IRLML6402

PMOS是指N型襯底、P溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管，因?yàn)镻MOS是N型硅襯底，多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是空穴，源漏區(qū)的摻雜類型是P型，所以...

2024-03-01 標(biāo)簽：led照明穩(wěn)壓器 PMOS 2040 0

低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用設(shè)計(jì)指南

本文通過(guò)分析低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器的等效電路來(lái)計(jì)算如何合理的選取RGATE電阻的阻值，既要保持MOS管的良好開(kāi)關(guān)性能，還要有效抑制振鈴的產(chǎn)生。

2024-02-26 標(biāo)簽：上拉電阻 PMOS LCR 2025 0

PMOS開(kāi)關(guān)電路故障排查與常見(jiàn)問(wèn)題分析

當(dāng)控制信號(hào)PWR_EN為高時(shí)，三極管Q1導(dǎo)通，R2下端等于接GND。由于R1和R2的分壓作用，MOS管M1的Vgs會(huì)有壓差Vgs=-Vin*R1/(R ...

2024-02-26 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電路濾波電容電源控制 1.4萬(wàn) 5

PMOS管和NMOS管防反接電路介紹

在電子電路設(shè)計(jì)中，防反接保護(hù)是一個(gè)重要的考慮因素，它的目的是防止因電源接線錯(cuò)誤而損壞電路。使用MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管）來(lái)實(shí)現(xiàn)這一功能是一個(gè)常見(jiàn)...

2024-02-16 標(biāo)簽：二極管 PMOS NMOS管 3499 0

瞬態(tài)事件對(duì)LDO動(dòng)態(tài)性能的影響

讓我們看看當(dāng)LDO的輸出出現(xiàn)下沖現(xiàn)象時(shí)，其內(nèi)部會(huì)發(fā)生什么。圖1顯示了LDO的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，輸出電壓為1V時(shí)，瞬態(tài)響應(yīng)下沖電壓為0.02V，導(dǎo)致輸出電壓下降到...

2024-01-23 標(biāo)簽：放大器負(fù)載電流 ldo 852 0

基于MOS管的雙電源自動(dòng)切換電路設(shè)計(jì)

實(shí)現(xiàn)雙電源自動(dòng)切換電路，其中利用了三個(gè)MOS管進(jìn)行的電路設(shè)計(jì)。

2024-01-10 標(biāo)簽：二極管電路圖 MOS管 1.4萬(wàn) 1

nmos與pmos符號(hào)區(qū)別

NMOS和PMOS是常見(jiàn)的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的兩種類型，它們?cè)陔娮悠骷衅鸬讲煌淖饔谩MOS和PMOS的符號(hào)和電路結(jié)構(gòu)差異...

2023-12-18 標(biāo)簽：電路 NMOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 8404 0

推薦一個(gè)高端電流檢測(cè)方案！

今天看到一張TI的一個(gè)40V~400V非隔離型的高端電流檢測(cè)方案的一個(gè)原理框圖，這個(gè)圖里，比較有意思的一點(diǎn)就是巧妙的利用了穩(wěn)壓二極管改變了運(yùn)算放大器的共...

2023-12-08 標(biāo)簽：運(yùn)算放大器穩(wěn)壓二極管電流檢測(cè) 3778 0

常用的ESD保護(hù)器件及原理

Resistor不單獨(dú)用于芯片的ESD保護(hù)，它往往用于輔助的ESD保護(hù)，如芯片Input第一級(jí)保護(hù)和第二級(jí)保護(hù)之間的限流電阻。如圖5，當(dāng)ESD電流過(guò)大，...

2023-12-07 標(biāo)簽：電阻 ESD NMOS 6518 0

pmos和nmos組成構(gòu)成什么電路

PMOS和NMOS是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的兩種類型。 PMOS和NMOS是MOSFET的兩種互補(bǔ)型式，也稱為CMOS技術(shù)，其...

2023-12-07 標(biāo)簽：電路 NMOS 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 5057 1

40V~400V非隔離型高端電流檢測(cè)方案

　　今天在群里看到了一張圖，是TI的一個(gè)40V~400V非隔離型的高端電流檢測(cè)方案的一個(gè)原理框圖，這個(gè)圖里，比較有意思的一點(diǎn)就是巧妙的利用了穩(wěn)壓二極管改...

2023-12-06 標(biāo)簽：二極管運(yùn)算放大器穩(wěn)壓二極管 1496 0

PMOS和NMOS開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì) MOS管做開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)和注意點(diǎn)

一說(shuō)到開(kāi)關(guān)，我們腦海中首先浮現(xiàn)的就是各式各樣的機(jī)械開(kāi)關(guān)，常見(jiàn)的有自鎖開(kāi)關(guān)、撥碼開(kāi)關(guān)、船型開(kāi)關(guān)等等。區(qū)別于這類常見(jiàn)的機(jī)械開(kāi)關(guān)，我們?cè)陔娮与娐分谐Ｓ玫倪€有各...

2023-12-03 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體 MOS管 9976 0

常見(jiàn)NMOS和PMOS的原理與區(qū)別 MOS管應(yīng)用電路設(shè)計(jì)

MOS管，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor F...

2023-12-01 標(biāo)簽：MOSFET NMOS 晶體管 3686 0

一個(gè)小小的反相器引發(fā)的問(wèn)題

于是多找了幾顆芯片繼續(xù)做了EMMI實(shí)驗(yàn)，可毫無(wú)例外地，每顆芯片的亮斑位置基本一樣。這基本就排除了芯片個(gè)體差異性的可能。真實(shí)問(wèn)題可能就是在那塊電路那里，但...

2023-11-30 標(biāo)簽：邏輯門反相器靜態(tài)電流 783 0

低功耗isolation cell設(shè)計(jì)

低功耗架構(gòu)設(shè)計(jì)需要前后端拉通規(guī)劃，前端設(shè)計(jì)有PMU功耗管理單元，比如A模塊電壓常開(kāi)，B模塊電壓可關(guān)斷，那么請(qǐng)思考，當(dāng)B模塊關(guān)斷電壓后，B模塊輸出到A模塊...

2023-11-24 標(biāo)簽：模塊 NMOS 芯片設(shè)計(jì) 1412 0

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IoT是Internet of Things的縮寫(xiě)，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機(jī)構(gòu)。當(dāng)步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器接收到一個(gè)脈沖信號(hào)，它就驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運(yùn)行的。可以通過(guò)控制脈沖個(gè)數(shù)來(lái)控制角位移量，從而達(dá)到準(zhǔn)確定位的目的；同時(shí)可以通過(guò)控制脈沖頻率來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)的速度和加速度，從而達(dá)到調(diào)速和定位的目的。
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服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒(méi)有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國(guó)家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
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802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests）在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
SDK

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　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
OBD

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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫(xiě)，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。

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