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標(biāo)簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí),柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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如下電路圖所示,此種應(yīng)用,由PMOS來進(jìn)行電壓的選擇,當(dāng)VIO9V電壓存在時(shí),此時(shí)電壓全部由VIO9V提供,將PMOS關(guān)閉,VBAT4.2V不提供電壓給...
今天給大家講解一款廣泛應(yīng)用于智能硬件產(chǎn)品中的一鍵開關(guān)機(jī)電路。首先,我們先定義需要實(shí)現(xiàn)的功能:長按開機(jī)、長按關(guān)機(jī)、短按功能切換。接下來我們就對照如下電...
MCU內(nèi)部的I/O結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)能力
經(jīng)常會(huì)聽到MCU某I/O的驅(qū)動(dòng)能力是xxmA,那么到底什么是驅(qū)動(dòng)能力呢?如果某IO的驅(qū)動(dòng)能力是5mA,它就輸出不了超過5mA的電流了嗎?為什么IO的驅(qū)動(dòng)...
當(dāng)不小心將電源正負(fù)極接反,導(dǎo)致很多電子元器件都燒毀,甚至整塊板子都廢掉,有什么好的辦法可以解決?首先粗心不可避免,雖說只是區(qū)分正負(fù)極兩根線,一紅一黑,可...
上節(jié)我們認(rèn)識了開關(guān)管的第一種電壓尖峰的抑制手段,就是利用TVS或者穩(wěn)壓管工作時(shí)的電流再次對開關(guān)管的門極進(jìn)行充電,讓開關(guān)管的門極的變化不在劇烈,因此能讓開...
???上文和大家討論了PMOS的負(fù)載開關(guān)電路,使用PMOS來控制后繼電路的開關(guān)。然而在日常應(yīng)用中PMOS可供選擇的類型較少,價(jià)格也相對昂貴。因此選用NM...
2023-03-10 標(biāo)簽:電路分析負(fù)載開關(guān)電路 8801 1
負(fù)載開關(guān)電路日常應(yīng)用比較廣泛,主要用來控制后級負(fù)載的電源開關(guān)。此功能可以直接用IC也可以用分立器件搭建,分立器件主要用PMOS加三極管實(shí)現(xiàn)。本文主要討論...
2023-03-10 標(biāo)簽:電路分析開關(guān)電路電源開關(guān) 1.0萬 0
在網(wǎng)上查了一些關(guān)于 PMOS 和 NMOS 哪個(gè)更適合用于電源開關(guān)這種場合,大部分都是從工藝,導(dǎo)通電阻 Rds 來解釋,但隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步,現(xiàn)今...
芯片的集成度雖然越來越高,但是整個(gè)電路功能的實(shí)現(xiàn),還是離不開分離器件的搭配,本文就針對筆者在實(shí)際工作中的關(guān)于 MOS 管(三極管)的應(yīng)用做一些整理。
2023-03-10 標(biāo)簽:三極管應(yīng)用電路MOS管 1.7萬 0
汽車電源系統(tǒng)常在極為惡劣的環(huán)境下運(yùn)行,數(shù)以百計(jì)的負(fù)載掛在汽車電池上,需要同時(shí)確定負(fù)載狀態(tài)的汽車電池可能面臨極大的挑戰(zhàn)。當(dāng)負(fù)載處于不同工作條件和潛在故障狀...
2023-03-06 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器保護(hù)電路NMOS 2881 0
簡單電路實(shí)現(xiàn)電源防接反設(shè)計(jì)
我們在使用外接電源類產(chǎn)品時(shí),可能會(huì)因一時(shí)疏忽將將電源線接反,導(dǎo)致產(chǎn)品被燒壞。從產(chǎn)品的設(shè)計(jì)角度來講,如果把電源做成防反接的,那就大大提高了產(chǎn)品的人性化設(shè)計(jì)...
在Buck開關(guān)中,常使用N-MOS管作為功率開關(guān)管。相比于P-MOS,N-MOS具有導(dǎo)通電阻低價(jià)格便宜且流過電流較大等優(yōu)勢。在同步結(jié)構(gòu)中對于開關(guān)管的使用...
2023-03-02 標(biāo)簽:二極管BUCK開關(guān)穩(wěn)壓器 8026 0
MOS管是一種基于金屬-氧化物-半導(dǎo)體(MOS)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,也被稱為MOSFET(MOS場效應(yīng)管),是現(xiàn)代電子技術(shù)中應(yīng)用最廣泛的晶體管之一。
2023-02-25 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管NMOS 1.6萬 0
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之...
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