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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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IRFR13N15DTRPBF-VB一款TO252封裝N溝道的MOS管應(yīng)用領(lǐng)域講解

型號: IRFR13N15DTRPBF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N溝道

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號:IRFR13N15DTRPBF-VB
絲印:VBE1158N
品牌:VBsemi
參數(shù):
- 封裝:TO252
- 溝道類型:N—Channel
- 最大耐壓:150V
- 最大電流:25A
- 開態(tài)電阻:RDS(ON)=70mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓:Vth=2V

應(yīng)用簡介:
IRFR13N15DTRPBF-VB是一款N—Channel溝道的功率場效應(yīng)晶體管(Power MOSFET),封裝為TO252。該器件在電源開關(guān)、電源管理、和其他需要N型溝道的應(yīng)用中有著廣泛的應(yīng)用。

詳細參數(shù)說明:
1. **溝道類型:** N—Channel,適用于需要N型溝道的電源開關(guān)和管理電路設(shè)計。
2. **最大耐壓:** 150V,適用于中等電壓電路。
3. **最大電流:** 25A,支持相對較高的電流需求。
4. **開態(tài)電阻:** RDS(ON)=70mΩ @ VGS=10V, VGS=20V,低導通電阻,有助于減小功率損耗。
5. **閾值電壓:** Vth=2V,定義了器件的開啟閾值,影響其在電路中的導通狀態(tài)。

主要應(yīng)用領(lǐng)域:
IRFR13N15DTRPBF-VB常用于以下領(lǐng)域模塊:
1. **電源開關(guān)模塊:** 適用于電源開關(guān)電路,實現(xiàn)電源的開關(guān)控制。
2. **電源管理模塊:** 可以用于電源管理電路,實現(xiàn)電流和電壓的調(diào)節(jié)。
3. **驅(qū)動器模塊:** 作為電流或電壓的開關(guān)元件,用于驅(qū)動器電路中。

作用:
在以上模塊中,IRFR13N15DTRPBF-VB的作用主要包括:
- **電源開關(guān)模塊:** 控制電源的開關(guān),實現(xiàn)電路的斷開和導通。
- **電源管理模塊:** 用于電源管理電路,調(diào)節(jié)電流和電壓。
- **驅(qū)動器模塊:** 作為開關(guān)元件,用于驅(qū)動器電路中實現(xiàn)開關(guān)操作。

使用注意事項:
1. 在設(shè)計電路時,確保工作電壓和電流不超過器件的最大耐壓和最大電流。
2. 注意閾值電壓的范圍,確保器件能夠正常工作在所需的電壓范圍內(nèi)。
3. 仔細閱讀廠商提供的數(shù)據(jù)手冊,了解更多關(guān)于使用和操作的細節(jié),以確保正確的應(yīng)用。

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