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標(biāo)簽 > SST39VF801C
SST39VF801C/802C 和 SST39LF801C/802C 是采用 SST 專有的高性能 CMOS SuperFlash? 技術(shù)制造的 512K x16 CMOS 多用途閃存 +(MulTI-Purpose Flash Plus,MPF+)器件。
SST39VF801C/802C 和 SST39LF801C/802C 是采用 SST 專有的高性能 CMOS SuperFlash? 技術(shù)制造的 512K x16 CMOS 多用途閃存 +(MulTI-Purpose Flash Plus,MPF+)器件。與其他方法相比,分離柵極單元設(shè)計和厚氧化層隧穿注入器可實(shí)現(xiàn)更高的可靠性和可制造性。 SST39VF801C/802C 和 SST39LF801C/ 802C使用2.7-3.6V電源進(jìn)行寫操作(編程或擦除)。這些器件遵從x16存儲器的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)引腳排列。 SST39VF801C/802C 和 SST39LF801C/802C 器件具有高性能的字編程能力,其典型字編程時間為 7 μs。
SST39VF801C/802C/SST39LF801C/802C中文資料數(shù)據(jù)手冊PDF免費(fèi)下載(閃存技術(shù))立即下載
類別:IC datasheet pdf 2017-10-30 標(biāo)簽:閃存SST39VF801C 1357 0
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