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標(biāo)簽 > TSV封裝
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先進(jìn)封裝技術(shù)以SiP、WLP、2.5D/3D為三大發(fā)展重點。先進(jìn)封裝核心技術(shù)包括Bumping凸點、RDL重布線、硅中介層和TSV通孔等,依托這些技術(shù)的...
2023-09-28 標(biāo)簽:晶圓芯片設(shè)計SiP技術(shù) 3431 0
半導(dǎo)體技術(shù)的許多進(jìn)步都取決于減小封裝尺寸,同時結(jié)合附加功能和更高效的供電方法。目前的供電方法會占用晶圓上的大量空間,導(dǎo)致成本增加、芯片尺寸增大和晶體管減少。
2023-08-16 標(biāo)簽:處理器半導(dǎo)體技術(shù)晶體管 895 0
用于Chiplet 3D系統(tǒng)的硅光Interposer工藝架構(gòu)介紹
這篇文章簡要介紹CEA-Leti發(fā)布用于Chiplet 3D系統(tǒng)的硅光Interposer工藝架構(gòu),包括硅光前端工藝 (FEOL)、TSV middle...
2023-08-02 標(biāo)簽:耦合器光刻機(jī)硅光子技術(shù) 6213 0
3D封裝結(jié)構(gòu)與2.5D封裝有何不同?3D IC封裝主流產(chǎn)品介紹
2.5D封裝和3D IC封裝都是新興的半導(dǎo)體封裝技術(shù),它們都可以實現(xiàn)芯片間的高速、高密度互連,從而提高系統(tǒng)的性能和集成度。
2023-08-01 標(biāo)簽:SoC芯片半導(dǎo)體封裝IC封裝 4072 0
硅通孔(Through Si Vias,TSV)硅轉(zhuǎn)接基板技術(shù)作為先進(jìn)封裝的一種工藝方式,是實現(xiàn)千級IO芯片高密度組裝的有效途徑,近年來在系統(tǒng)集成領(lǐng)域得...
芯片三維互連技術(shù)及異質(zhì)集成研究進(jìn)展
芯片是推動信息社會蓬勃發(fā)展的基石,掌握高端 芯片的制造技術(shù)關(guān)乎國家未來在人工智能、高性能計 算、5G/6G 通信和萬物互聯(lián)等關(guān)鍵領(lǐng)域的全球競爭力。
另外一個將TGV填實的方案是將金屬導(dǎo)電膠進(jìn)行TGV填實。利用金屬導(dǎo)電膠的優(yōu)點是固化后導(dǎo)電通孔的熱膨脹系數(shù)可以調(diào)節(jié),使其接近基材,避免了因CTE不匹配造成的失效。
硅通孔技術(shù)(Through Silicon Via, TSV)技術(shù)是一項高密度封裝技術(shù),正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術(shù),被認(rèn)為是第四代封裝技...
2016-10-12 標(biāo)簽:硅通孔技術(shù)TSV封裝 1.7萬 1
華邦推出為邊緣AI帶來超高帶寬內(nèi)存的CUBE架構(gòu)
全球半導(dǎo)體存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布推出一項強(qiáng)大的內(nèi)存賦能技術(shù),可助力客戶在主流應(yīng)用場景中實現(xiàn)經(jīng)濟(jì)實惠的邊緣 AI 計算。
2023-09-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電源完整性協(xié)作機(jī)器人 1825 0
三星發(fā)布容量最大的12納米級32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品
在相同封裝尺寸下,容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍,功耗降低10%,且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組
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