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標簽 > tsv
TSV(Through Silicon Vias)硅片通道通過硅通孔(TSV)銅互連的立體(3D)垂直整合,目前被認為是半導(dǎo)體行業(yè)最先進的技術(shù)之一。硅片通孔(TSV)是三維疊層硅器件技術(shù)的最新進展。
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優(yōu)化縮短3D集成硅通孔(TSV)填充時間的創(chuàng)新方法
本文介紹了一種新型的高縱橫比TSV電鍍添加劑系統(tǒng),利用深層反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)技術(shù)對晶片形成圖案,并利用物理氣相沉積(PVD)技術(shù)沉積種子層。通過陽...
TSV制造關(guān)鍵工藝流程 TSV關(guān)鍵設(shè)備具體應(yīng)用
國產(chǎn)化超薄晶圓減薄拋光設(shè)備已實現(xiàn)了量 產(chǎn)應(yīng)用,實現(xiàn)了國際同類設(shè)備的高性能水平。
結(jié)束前工序的每一個晶圓上,都連接著500~1200個芯片(也可稱作Die)。為了將這些芯片用于所需之處,需要將晶圓切割(Dicing)成單獨的芯片后,再...
結(jié)束前工序的每一個晶圓上,都連接著500~1200個芯片(也可稱作Die)。為了將這些芯片用于所需之處,需要將晶圓切割(Dicing)成單獨的芯片后,再...
TSV 是目前半導(dǎo)體制造業(yè)中最為先進的技術(shù)之一,已經(jīng)應(yīng)用于很多產(chǎn)品生產(chǎn)。實現(xiàn)其制程的關(guān)鍵設(shè)備選擇與工藝選擇息息相關(guān), 在某種程度上直接決定了 TSV 的...
電化學(xué)沉積技術(shù)在集成電路行業(yè)有哪些應(yīng)用呢?
電 化 學(xué) 沉 積 技 術(shù), 簡 稱 ECD(Electrical Chemical Deposition)技術(shù),也是應(yīng)用于半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)行業(yè)的電鍍技術(shù)...
來源:半導(dǎo)體風(fēng)向標 從HBM存儲器到3D NAND芯片,再到CoWoS,硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構(gòu)建的,TSV是首字母縮寫,意為“通過硅通...
想象一下,在一個由多棟低層樓房組成的住宅綜合體內(nèi),若要容納數(shù)千名居民,則需要占據(jù)非常大的面積才能滿足需求。
2024-01-25 標簽:存儲器晶圓半導(dǎo)體封裝 1256 0
應(yīng)用于后蝕刻TSV晶圓的表面等離子體清洗技術(shù)
直通硅通孔(TSV)器件是3D芯片封裝的關(guān)鍵推動者,可提高封裝密度和器件性能。要實現(xiàn)3DIC對下一代器件的優(yōu)勢,TSV縮放至關(guān)重要。
TSV與異構(gòu)集成技術(shù)的前沿進展與趨勢展望
先進封裝是芯片設(shè)計的必由之路。TSV則是必由之路上的服務(wù)站。世界上各個主要的IC廠商包括設(shè)計、晶圓、封測廠商,開發(fā)了一大批專利技術(shù),使用TSV達成各種復(fù)...
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