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TSV（Through Silicon Vias）硅片通道通過硅通孔（TSV）銅互連的立體（3D）垂直整合，目前被認(rèn)為是半導(dǎo)體行業(yè)最先進(jìn)的技術(shù)之一。硅片通孔（TSV）是三維疊層硅器件技術(shù)的最新進(jìn)展。

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uBUMP和TSV的寄生如何抽取

先進(jìn)工藝制程使得設(shè)計工程師們一次又一次突破了芯片性能、功耗和面積的極限。為了可以繼續(xù)速度更快、功能更強、造價更省的追求，摩爾人依然在孜孜不倦地尋找新的方...

2022-09-16 標(biāo)簽：芯片 Cadence TSV 4693 0

用于3D封裝的穿硅通過最后光刻的覆蓋性能（下）

本研究通過檢查 TSV 光刻后的 DSA 光學(xué)計量可重復(fù)性，然后將該光學(xué)配準(zhǔn)數(shù)據(jù)與最終的電氣配準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，來仔細(xì)檢查圖像放置性能。

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用于3D封裝的穿硅通過最后光刻的覆蓋性能（上）

華林科納對包括背照式圖像傳感器、中介層和 3D 存儲器在內(nèi)的消費產(chǎn)品相關(guān)設(shè)備的需求正在推動使用硅通孔 (TSV) [1] 的先進(jìn)封裝。 TSV 處理的各...

2022-07-19 標(biāo)簽：封裝光刻 TSV 760 0

TSV工藝流程與電學(xué)特性研究

本文報道了TSV過程的細(xì)節(jié)。還顯示了可以在8-in上均勻地形成許多小的tsv(直徑:6 m，深度:22 m)。通過這種TSV工藝的晶片。我們?nèi)A林科納研究...

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如何利用工具模板快速對TSV陣列進(jìn)行建模

本文介紹了采用芯和半導(dǎo)體ViaExpert軟件進(jìn)行TSV陣列的建模和仿真分析流程。TSV結(jié)構(gòu)復(fù)雜，存在建模繁瑣、分析不便等問題。

2022-06-03 標(biāo)簽：軟件 TSV viaexpert 1865 0

TSV陣列建模流程詳細(xì)說明

硅通孔(Through Silicon Via，TSV)技術(shù)是一項高密度封裝技術(shù)，它正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術(shù)，被認(rèn)為是第四代封裝技術(shù)。...

2022-05-31 標(biāo)簽：建模 TSV viaexpert 2864 0

應(yīng)用于后蝕刻TSV晶圓的表面等離子體清洗技術(shù)

直通硅通孔(TSV)器件是3D芯片封裝的關(guān)鍵推動者，可提高封裝密度和器件性能。要實現(xiàn)3DIC對下一代器件的優(yōu)勢，TSV縮放至關(guān)重要。

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優(yōu)化縮短3D集成硅通孔(TSV)填充時間的創(chuàng)新方法

本文介紹了一種新型的高縱橫比TSV電鍍添加劑系統(tǒng)，利用深層反應(yīng)離子蝕刻(DRIE)技術(shù)對晶片形成圖案，并利用物理氣相沉積(PVD)技術(shù)沉積種子層。通過陽...

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TSV封裝是什么？整體封裝的3D IC技術(shù)

為了按比例縮小半導(dǎo)體IC，需要在300mm的晶圓上生成更精細(xì)的線條。據(jù)市場研究機構(gòu)VLSI Research（圖1）預(yù)測，雖然目前大多數(shù)量產(chǎn)的IC是基于...

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什么是TSV封裝？TSV封裝有哪些應(yīng)用領(lǐng)域？

硅通孔技術(shù)（Through Silicon Via， TSV）技術(shù)是一項高密度封裝技術(shù)，正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術(shù)，被認(rèn)為是第四代封裝技...

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配備DRAM的三層堆疊式CMOS影像傳感器介紹

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深度解讀TSV 的工藝流程和關(guān)鍵技術(shù)

要實現(xiàn)三維集成，需要用到幾個關(guān)鍵技術(shù)，如硅通孔（TSV），晶圓減薄處理，以及晶圓/芯片鍵合。TSV 互連具有縮短路徑和更薄的封裝尺寸等優(yōu)點，被認(rèn)為是三維...

2017-11-24 標(biāo)簽：tsv 硅通孔刻蝕 6.4萬 2

追求更小尺寸，3DIC將獲得廣泛應(yīng)用？什么h是3DIC？傳感器該如何使自己更“苗條”

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2017-04-26 標(biāo)簽：晶圓 tsv 3dic 4264 0

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