先進(jìn)封裝中硅通孔(TSV)銅互連電鍍研究進(jìn)展

先進(jìn)封裝中硅通孔(TSV)銅互連電鍍研究進(jìn)展

2023-09-06 標(biāo)簽：封裝電鍍TSV 1071 0

盤點先進(jìn)封裝基本術(shù)語

先進(jìn)封裝是“超越摩爾”(More than Moore)時代的一大技術(shù)亮點。當(dāng)芯片在每個工藝節(jié)點上的微縮越來越困難、也越來越昂貴之際，工程師們將多個芯片...

2023-07-12 標(biāo)簽：fpga晶圓封裝 1026 0

硅通孔(TVS)技術(shù)相關(guān)知識 絕緣層在先進(jìn)封裝中的應(yīng)用

硅通孔(TVS)技術(shù)相關(guān)知識

2023-11-20 標(biāo)簽：集成電路TSV硅通孔 923 0

封裝設(shè)計中的熱性能考量

國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會標(biāo)準(zhǔn) SEMI G38-0996 和固態(tài)技術(shù)協(xié)會 JEDECJESD51 標(biāo)準(zhǔn)中定義的集成電路中各項溫度點位置如圖所示，其中T3...

2023-05-16 標(biāo)簽：芯片封裝TSV 920 0

全球封裝技術(shù)向先進(jìn)封裝邁進(jìn)的轉(zhuǎn)變

先進(jìn)封裝處于晶圓制造與封測制程中的交叉區(qū)域，涉及IDM、晶圓代工、封測廠商，市場格局較為集中，前6 大廠商份額合計超過80%。全球主要的 6 家廠商，包...

2023-08-11 標(biāo)簽：芯片摩爾定律封裝技術(shù) 804 0

什么是硅或TSV通路？使用TSV的應(yīng)用和優(yōu)勢

TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力，而且它具有最短的電傳輸路徑以及優(yōu)異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭，半導(dǎo)體器件的微型化也越來越依賴于集成T...

2023-07-25 標(biāo)簽：存儲器TSV3d nand 801 0

用于3D封裝的穿硅通過最后光刻的覆蓋性能（上）

華林科納對包括背照式圖像傳感器、中介層和 3D 存儲器在內(nèi)的消費產(chǎn)品相關(guān)設(shè)備的需求正在推動使用硅通孔 (TSV) [1] 的先進(jìn)封裝。 TSV 處理的各...

2022-07-19 標(biāo)簽：封裝光刻TSV 760 0

半導(dǎo)體封裝演進(jìn)及未來發(fā)展方向

由于HPC先進(jìn)封裝的互連長度很短，將存儲器3D堆疊在邏輯之上或反之亦然，這被認(rèn)為是實現(xiàn)超高帶寬的最佳方法。不過，其局限性包括邏輯IC中用于功率和信號的大...

2024-02-25 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體封裝TSV 746 0

用于3D封裝的穿硅通過最后光刻的覆蓋性能（下）

本研究通過檢查 TSV 光刻后的 DSA 光學(xué)計量可重復(fù)性，然后將該光學(xué)配準(zhǔn)數(shù)據(jù)與最終的電氣配準(zhǔn)數(shù)據(jù)進(jìn)行比較，來仔細(xì)檢查圖像放置性能。

2022-07-19 標(biāo)簽：封裝光刻TSV 716 0

封裝設(shè)計中的熱性能考量

國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會標(biāo)準(zhǔn) SEMI G38-0996 和固態(tài)技術(shù)協(xié)會 JEDECJESD51 標(biāo)準(zhǔn)中定義的集成電路中各項溫度點位置如圖所示，其中T3...

2023-05-16 標(biāo)簽：集成電路TSV 649 0

先進(jìn)封裝中的TSV/硅通孔技術(shù)介紹

Hello,大家好，今天我們來分享下什么是先進(jìn)封裝中的TSV/硅通孔技術(shù)。 TSV：Through Silicon Via， 硅通孔技術(shù)。指的是在晶圓的...

2024-12-17 標(biāo)簽：TSV硅通孔先進(jìn)封裝 385 0

先進(jìn)封裝的核心概念、技術(shù)和發(fā)展趨勢

先進(jìn)封裝簡介 先進(jìn)封裝技術(shù)已成為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的主要推動力之一，為突破傳統(tǒng)摩爾定律限制提供了新的技術(shù)手段。本文探討先進(jìn)封裝的核心概念、技術(shù)和發(fā)展趨勢...

2024-12-18 標(biāo)簽：TSVFOWLP先進(jìn)封裝 366 0